低温直流磁控溅射制备ITO薄膜工艺研究

采用低温直流磁控溅射法针对附有有机聚合物玻璃磁控镀制ITO薄膜,通过四探针、紫外可见分光亮度计对样品进行表征,研究了基底温度、溅射功率对ITO薄膜光电性能影响,试验表明:在附有有机聚合物的玻璃上低温直流磁控溅射法制备ITO薄膜,随着基底温度的增加方块电阻先下降后增加,透过率先增加后略微减少;随着溅射功率的增加,薄膜方块电阻减少,透过率降低。     

PET衬底上ITO薄膜的制备及光电性能

用脉冲磁控溅射法在柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了溅射气压、时间和衬底温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的物相结构与表面形貌进行了分析。结果表明:薄膜的平均晶粒尺寸随衬底温度的升高而增大;当溅射时间增加时,方块电阻与光透过率均减小;当衬底温度升高时,方块电阻减小,可见光透过率增大。     

射频等离子体改性工艺与氧化铟锡薄膜性能研究

采用正交实验方法研究了氧气等离子体表面改性中各工艺因素对ITO薄膜表面性质的影响,获得了IID表面改性的最佳工艺条件,并且通过XPS,AFM,透射光谱的分析以及薄膜表面接触角和方块电阻的测量,表征了优化工艺条件下氧气等离子体处理前后ITO薄膜的表面性质.结果表明,氧气等离子体处理降低了ITO表面的粗糙度和方块电阻,改善了ITO表面的化学组分和浸润性能.另外,以表面处理前后的ITO基片作为空穴注入电极,采用真空热蒸镀技术制备了有机薄膜电致发光(OTFEL)器件,并对器件的电流.电压.亮度特性以及电流效率进行了测试和分析,实验结果显示,氧气等离子体处理降低了启亮电压和驱动电压,提高了发光亮度和电流效率,有效地改善了OTFEL器件的光电性能.     

磁控溅射低温沉积ITO薄膜及其光电特性研究

采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜,用XRD、SEM和UV—Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响,结果表明,氧分压过大时,ITO薄膜中有大量的位错和缺陷,使薄膜的电阻率变大,导电性变差;氧分压过小时,薄膜中将有大量氧空位产生,导致晶格变形,使电阻率增加。随着溅射功率增大,在相同时间内薄膜厚度增加,方块电阻减小,薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加,制备的薄膜晶体结构相对完整,载流子浓度和迁移率逐渐增大,薄膜电阻率变小,进而对样品的光电性能产生明显影响。     

以复合材料为基底的ITO薄膜红外隐身特性研究

利用直流磁控溅射法在树脂基复合材料基底上制备了ITO低红外发射率薄膜。选择了低发射率树脂作为基底复合材料的基体树脂。通过对材料表面进行表征、测试材料表面电阻率及红外发射率,研究了材料的红外隐身性能。结果表明,材料的红外发射率随ITO膜表面电阻率的增加先增加,后趋于一定值。     

ITO薄膜的制备以及性能的研究

在室温条件下通过直流磁控溅射法在普通玻璃基体上制备了光电性能优良的ITO薄膜。靶材为ITO陶瓷靶,其中In2O3与SnO2的质量比为9∶1。运用UV-2550紫外可见光光度计测量样品的透光率,采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻率,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。研究了溅射压强、溅射功率等参数对薄膜光电性能的影响。研究表明,ITO薄膜的电阻率随着溅射功率的增大而减小,在溅射功率为110W时ITO薄膜的透光率有相对好的数值。溅射压强为1.0Pa时既能保持ITO薄膜低的电阻率又能保证高的透光率。     

ITO薄膜直流反应磁控溅射制备及性能研究

以90wt%In和10wt%Sn铟锡合金为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备ITO透明导电薄膜.用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD和SEM分别测试了ITO薄膜的紫外-可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌.研究了氧分压对ITO薄膜性能的影响.实验结果表明,ITO薄膜随着氧分压的增加,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移.随着氧分压的增大,ITO薄膜的方块电阻增加,结晶程度变好,晶粒尺寸变大.     

溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究

采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大。在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO薄膜。     

喷雾热分解法制备ITO薄膜及其光电性能研究

采用自制的喷雾热分解装置在玻璃衬底上制备ITO薄膜,并对实验条件进行了正交设计,以考察制备ITO薄膜的优良条件,结果表明,影响ITO薄膜光电性能的主要因素是基板温度。制备ITO薄膜的优化条件为：基板温度300℃,载气气流速度1L·min^-1,退火温度540℃,溶液配比为铟锡比10：1,喷嘴与基板距离8cm,薄膜沉积时间3．5min,相应的透光率为97％,方块电阻3875Ω／。     

柔性聚酰亚胺(PI)衬底上ITO薄膜的生长及其透明导电性能影响机制研究

采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征.结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导...