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利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料. 用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15±10 A/cm2. 对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为108μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K. 研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论. 相似文献
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采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管,研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性,条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W。 相似文献
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调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用。半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心波长为1 550 nm的QD SA依然是一个巨大的挑战。通过在分子束外延(MBE)生长InAs QD过程中加入两次间断制备了1 550 nm InAs/GaAs量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM),并通过构建光纤直线腔,研制出发光中心波长约为1 550 nm的被动调Q光纤激光器。该激光器最大输出功率约为2.5 mW,实现了55 kHz的重复频率,同时达到了1.45μs的脉冲宽度和45.36 nJ的单脉冲能量,表现出了InAs/GaAs QD材料在1 550 nm调Q光纤激光器应用中的巨大潜力。 相似文献
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Yang H.-P.D. I-Chen Hsu Ya-Hsien Chang Fang-I Lai Hsin-Chieh Yu Lin G. Ru-Shang Hsiao Maleev N.A. Blokhin S.A. Hao-Chung Kuo Chi J.Y. 《Lightwave Technology, Journal of》2008,26(11):1387-1395
We have made InGaAs submonolayer (SML) quantum-dot (QD) and InAs QD photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting lasers (PhC-VCSELs) for fiber-optic communications in the 990 and 1300 nm ranges, respectively. The active region of the InGaAs SML QD PhC-VCSEL contains three InGaAs SML QD layers, with each of the SML QD layer formed by alternating depositions of InAs and GaAs. The active region of the InAs QD PhC-VCSEL contains 17 undoped InAs-InGaAs QD layers. Both types of QD PhC-VCSELs exhibit single-mode characteristics throughout the current range, with side-mode suppression ratio (SMSR) larger than 35 dB. A maximum output power of 5.7 mW has been achieved for the InGaAs SML QD PhC-VCSEL. The near-field image study of the QD PhC-VCSELs indicates that the laser beam is well confined by the photonic-crystal structure of the device. 相似文献
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报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构.AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆盖表层量子点样品呈现出不均匀的多模尺寸分布.制作了脊条宽为6 μm,腔长为1.5 min的未镀膜激光器器件,器件室温连续工作的最大输出功率达到51.1 mW (单面),最高工作温度70℃.激光光谱包含一系列非均匀的多纵模簇,且随着电流的增加,纵模簇个数也增加.经分析认为,光谱的这一不同于常规半导体激光器的性质是由量子点的非均匀性以及量子点之间互不关联性导致的,是多个互相无关联的不同特性激光的集体行为. 相似文献
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对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动.在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95%),InAs/GaAS量子点激光器的结温升高了23.9℃,在相同的测试条件下,商用量子阱激光器的结温仅升高了3.5℃.InAs/GaAs量子点激光器的结温比商用量子阱激光器的结温升高了6.8倍,这是影响激光器性能的一个重要参数. 相似文献
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Photoluminescence ( PLD and electrolumineScence (ELD properties of strained self-assembled InAS/GaAS quantumdots ( GDSD structure grown by molecular-beam epitaxy technique are presented. A comparative analysis is made of optical characteristics for laSer diodes emitting at 1. 08pm With InAS/GaAS GDS in the active region. The maximum CW output of 2. 74W ( two facets and internal quantum efficiency of 87% are achieved at room temperature in 100pm Wide Strips and 1. 6mm cavity length laser diode with uncoated facets. 相似文献