55Mn(α,n)58m,gCo,55Mn(α,2n)57Co和55Mn(α,α′n)54Mn反应的激发函数

用活化法和迭靶技术,在入射α粒子能量从10.4到26.5MeV范围内,测量了⁵⁵Mn(α,n)^58m,gCo、⁵⁵Mn(α,2n)⁵⁷Co^和55Mn(α,α′n)⁵⁴Mn反应的截面,并同激子模型理论计算作了比较,结果表明在上述反应中存在平衡前发射反应机制.     

高激发213Fr核的形变研究

对132MeV ¹⁶O+¹⁹⁷Au反应产生的裂变碎片和巨偶极共振γ射线进行了符合测量,得到了E=92MeV的高激发²¹³Fr的γ衰变谱和γ角关联谱.观测到复合核巨偶极共振γ角关联谱存在很大的各向异性.利用改进的统计模型程序分析了实验数据,不考虑裂变延迟时,统计模型计算可以很好拟合地实验结果.通过对γ角关联谱的理论计算与实验结果的比较,可以得出高激发²¹³Fr核(E=92MeV)的形状从集体长椭球向非集体扁椭球变化.     

131Ce和131Pr价核子对形状变化的影响

利用95MeV的¹⁹F束轰击¹¹⁶Sn靶,采用11台反康普顿BGO-HPGe探测器对蒸发剩余核退激发射的γ射线进行γ-γ符合测量.通过对多普勒展宽峰的形状分析测定了¹³¹Ce和¹³¹Pr高自旋态的寿命.根据寿命数据提取的跃迁四极矩显示,在带交叉区发生形状变化.通过与相邻偶-偶核芯¹³⁰Ce的比较表明,价中子对核芯形状变化的影响大于价质子的影响.     

Ir β+/EC衰变及其系统性分析

在在束实验条件下用γ-γ符合方法研究了具有β⁺/EC衰变性质的核素^176,178Ir的衰变γ射线. 另外借助氦喷嘴快速带传输系统在排除在束干扰的条件下, 进一步对¹⁷⁶Ir的β⁺/EC衰变进行了研究, 在确认在束测量新γ射线的同时建议了¹⁷⁶Ir的一个低自旋同核异能态. 从衰变系统性方面对^176,178Ir核中存在同核异能态的合理性和可能性进行了分析.     

179Au的1/2[660](πi13/2)转动带

利用能量为164—180MeV的³⁵Cl束流,通过重离子核反应¹⁴⁹Sm(³⁵Cl,5n)研究了¹⁷⁹Au的高自旋态能级结构.实验进行了γ射线的激发函数、X-γ和γ-γ-t符合测量.基于对实验测量结果的分析,首次建立了¹⁷⁹Au的1/2[660](πi_13/2)转动带.结合已有的实验数据,着重讨论了奇AAu核中1/2[660](πi_13/2)转动带的带头激发能随中子数的变化     

207Rn能级结构的实验研究

利用能量为85—95MeV的¹⁶O束流,通过¹⁹⁶Pt(¹⁶O,5n)²⁰⁷Rn反应布居了²⁰⁷Rn的高自旋态.实验进行了γ射线的激发函数、γ射线的单谱、衰变谱和γ-γ-t符合测量.建立了由17条γ射线组成的²⁰⁷Rn能级纲图,并且基于实验测量的DCO系数建议了各能级的自旋值.用一个f_5/2价中子空穴与²⁰⁸Rn核芯耦合定性地解释了²⁰⁷Rn的低位激发态.     

缺中子130Pm和128Pr核的EC/β+衰变研究

171MeV³⁶Ar束轰击⁹⁶Ru靶由熔合蒸发反应生成了¹³⁰Pm和¹²⁸Pr核.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区.基于X-γ-t,γ-γ-t符合测量,首次建立了¹³⁰Pm的(EC+β⁺)衰变纲图.重新研究了¹²⁸Pr核的衰变,订正和补充了γ射线,建立了新的(EC+β⁺)衰变纲图.     

106Ag高自旋态结构

利用能量为60MeV的¹¹B束流, 通过¹⁰⁰Mo(¹¹B,5n)¹⁰⁶Ag熔合蒸发反应布居¹⁰⁶Ag的高自旋态, 用15台带BGO反康的HPGe探测器进行在束γ谱学测量. 通过γ-γ符合矩阵开窗分析和DCO比值分析, 建立了¹⁰⁶Ag新的能级纲图, 增加了26条新的γ跃迁和10条新能级. 通过与其相邻同位素奇奇核的系统比较, 对¹⁰⁶Ag的4条转动带的组态及结构性质进行了初步讨论.     

缺中子176Ir核β+/EC衰变研究

在210MeV的束流能量下, 利用重离子熔合蒸发反应¹⁴⁶Nd(³⁵Cl, 5nγ)¹⁷⁶Ir产生具有β⁺/EC衰变性质的核素¹⁷⁶Ir,由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物传送到低本底区进行测量. 经过实验数据的离线处理分析,对早先发表的¹⁷⁶Ir衰变γ跃迁进行确认的同时又发现了3个新能级和10条新的γ射线, 丰富了¹⁷⁶Os核的低位激发态能级纲图. 并根据典型γ射线的衰变时间谱建议了¹⁷⁶Ir核的一个长寿命的低自旋同核异能态.     

141Nd激发态的在束γ谱学研究

通过¹³⁰Te(¹⁶O,5nγ)¹⁴¹Nd反应布居了¹⁴¹Nd的高自旋态能级.对反应产生的在束γ射线进行了γ射线单谱和γ–γ符合测量.建立了激发能达7614.5keV的¹⁴¹Nd能级纲图,新发现了12条γ射线和15个能级.基于实验测量的γ跃迁各向异性,建议了¹⁴¹Nd部分能级的自旋值.用一个h_11/2价中子空穴与¹⁴²Nd核芯晕态的耦合可以定性地解释¹⁴¹Nd的能级结构.     

双奇核140Pr的高自旋态能级纲图

通过¹³⁰Te(¹⁴N,4n)反应首次对双奇核¹⁴⁰Pr进行了在束γ谱学研究.在实验中进行了γ射线的激发函数、γ射线单谱和γγt符合测量.建立了激发能达4717.3keV的¹⁴⁰Pr的能级纲图,其中包括新发现的42条γ射线和新建立的27个能级.基于实验测量的γ跃迁各向异性度,建议了¹⁴⁰Pr部分能级的自旋值.根据¹⁴⁰Pr附近同位素核结构的系统性,对部分能级的准粒子组态作了定性的讨论.     

双奇核176Ir转动带的旋称反转

利用¹⁴⁹Sm(³¹P,4nγ)反应,通过γ射线的激发函数测量、X-γ和γ-γ符合测量研究了双奇核¹⁷⁶Ir的高自旋态.首次建立了双奇核¹⁷⁶Ir由4个转动带构成的能级纲图.依据从实验数据中提取出的带内B(M1)/B(E2)值与理论计算值的比较,以及相邻双奇核的带结构特征,给出了转动带的准粒子组态.基于本实验建立起的带间跃迁和在I=18h处观测到的旋称交叉,指出¹⁷⁶Ir核基于πh_9/2⊙νi_13/2和πi_13/2⊙νi_13/2组态的两个转动带在低自旋时出现旋称反转现象.     

155Tm核的能级结构

通过重离子熔合蒸发反应¹⁴²Nd(¹⁹F, 6n)¹⁵⁵Tm来布居¹⁵⁵Tm核的高自旋态. 发现了一些新的γ跃迁, 经过γ-γ符合分析, 建立了新的能级纲图. 利用系统学比较对新建立的¹⁵⁵Tm能级进行了讨论.     

形变双奇核178Ir转动带能级的旋称反转

利用¹⁵²Sm(³¹P,5nγ)¹⁷⁸Ir反应产生并研究了双奇核¹⁷⁸Ir的高自旋态.实验中进行了¹⁷⁸Ir核的在束γ测量,包括γ射线的激发函数测量、X–γ和γ–γ符合测量.首次建立了双奇核¹⁷⁸Ir基于πh_9/2νi_13/2和πh_11/2νi_13/2准粒子组态上的转动带能级纲图.发现在低自旋区,两个转动带能级均出现旋称反转.对此核区半退耦带的旋称反转作了简要的分析和讨论.     

106Ag手征性实验研究

利用能量为60MeV的¹¹B束流, 通过¹⁰⁰Mo(¹¹B, 5n)¹⁰⁶Ag熔合蒸发反应布居¹⁰⁶Ag的高自旋态, 用15台带BGO反康的HPGe探测器进行在束γ谱学测量. 通过γ-γ符合矩阵开窗分析和DCO比值分析, 建立了¹⁰⁶Ag新的能级纲图, 观测到26条新γ跃迁. 与相邻同位素奇奇核¹⁰⁴Rh比较, ¹⁰⁶}Ag中带1和带2具有A≈100区手征二重带的3个特征, 推测它们可能是基于πg_9/2⊙υh_11/2组态的手征二重带. 但它们的角动量顺排不一致, 在实验上还需进一步的测量研究.     

84Rb的高自族态研究

利用75MeV的¹⁸O束流,通过⁷⁰Zn(¹⁸O,p3n)反应布居了⁸⁴Rb核的高自旋态,测量了激发函数,γ–γ符合及DCO比值,新观察到了40个能级,50多条γ跃迁,建立了到目前为止最完整的能级纲图,其正负宇称分别推高到了17⁺和17^－.通过与Rb各奇–奇同位素核和N=47的各奇–奇核比较,发现它们的结构非常相似.     

169Re的转动带结构研究

利用在束γ谱学方法,通过反应¹⁴⁴Sm(²⁸Si,1p3n)¹⁶⁹Re研究了¹⁶⁹Re的激发态能级结构.实验进行了X-γ符合、γ-γ符合、DCO系数和带内B(M1)/B(E2)比率测量.基于这些测量,建立了组态为π9/2^－[514]的强耦合带和组态为π1/2^－[541]的退耦合带.通过比较¹⁶⁹Re的转动带与邻近奇质子核已知转动带的结构和B(M1)/B(E2)比率,指定了¹⁶⁹Re转动带的组态.实验观测到π9/2^－[514]和π1/2^－[541]转动带的中子AB带交叉的转动频率分别为0.23和0.27MeV.着重讨论了¹⁶⁹Re转动带的中子AB带交叉频率、转动角动量顺排和旋称劈列等,并讨论了奇ARe核转动带结构的系统性     

146Tb的能级结构研究

利用能量为161—175MeV的³²S束流,通过反应¹¹⁸Sn(³²S,1p3n)¹⁴⁶Tb研究了双奇核¹⁴⁶Tb的高自旋态能级结构. 实验进行了γ射线的激发函数、γ射线的各向异性度、X–γ和γ–γ–t符合测量. 基于这些测量结果,建立了激发能达8390kev的¹⁴⁶Tb核的能级纲图,其中包括新发现的41条γ射线和新建立的27个能级,并指定了¹⁴⁶Tb新发现能级的自旋值. 用一个h_11/2价质子和一个h_11/2^－1价中子空穴耦合、πh_11/2υh_11/2^－1与¹⁴⁶Gd核实激发态的耦合对¹⁴⁶Tb的能级结构进行了定性地讨论.     

146Ce核的八级形变带和准γ带

通过测量²⁵²Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对¹⁴⁶Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对¹⁴⁶Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.     

198Bi的高自旋态结构研究

利用能量为85—105MeV的¹⁶O束流,通过¹⁸⁷Re(¹⁶O,5n)反应研究了¹⁹⁸Bi的高自旋态能级结构.用6台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ跃迁的平面探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ—t符合及γ射线的角分布测量.基于这些测量,首次建立了包括26条γ跃迁的¹⁹⁸Bi的高自旋能级纲图,确定了一个半寿命为(8.0±3.6)ns,自旋和宇称为15+的同质异能态.基于较重的双奇铋核^200—206Bi能级结构的系统性,定性地对¹⁹⁸Bi的能级结构进行了解释.