MCS-51指令系统速查卡(二)

注释:dir:8拉内部RAM单元及SFR地址 ＃da:8位数据 add:目标地址:addll:11位目标地址,高二位为页面地址,隐含在操作码a,b中 rel:地址偏移量(补码),即下条指令地址为基址偏移-128,+127字节 bit:可村寻址的位地址,内部RAM的20H—2FH单元及可位寻址的SFR     

单片机硬件、软件及其应用讲座(4)——第三讲 PIC16F873硬件系统(下)

<正> 程序存储器和堆栈 PIC16F873具有一个13位宽的程序计数器PC,它所产生的13位地址最大可寻址的存储器空间为8K×14,地址编码的最大范围为0000H～1FFFH。但是,PIC16F873只配置了4K× 14的闪速程序存储器 (它不仅可以在电路 板上直接进行电写入     

单片机实用技术讲座(6)——第四讲 I/O口的特点及操作

<正> 伪指令的概念 由于本文涉及到指令系统和仿真调试的概念,在具体介绍1/O端口前,我们首先熟悉一下伪指令以及仿真调试的基本概念。 伪指令是在汇编语言中起某种控制作用的特殊命令,CPU并不具体执行,即不形成机器指令。用好伪指令可以使程序具有很好的可读性和易于操作。常用的伪指令有以下几条: 1.ORG(定位伪指令)此命令总是位于每段源程序的开头,其作用是告诉汇编程序:以下程序段起始地址的有效范围一直到出现另一条ORG命令为止。如: ORG 0000H 地址标号 AJMP MAIN(主程序入口) ORG 0023H AJMP SERIAL(一个中断程序入口地址) MAIN:××××× 程序段1 SERIAL:×××× 程序段2 END 上述语句的含义是从0000H地址开始,跳转(AJMP)到MAIN主程序,执行程序段1的指令;如果起始地址是00023H,     

MOTOROLA大规模集成电路锁相环频率合成器(二)

二、MC145146-1MC145146-1是20脚陶瓷或塑料封装型,由四位输入数据及锁存器选通和地址线编程的锁相环频率合成器。它含有参考振荡器、12位可编程参考分频器(分频比范围为3～4095)、数字鉴相器、10位÷N程序计数器(分频比范围为3～1023)、7位÷A     

用Fireworks 4轻松制作Web导航条

导航条是Web页面中常见的一个功能,在同一个网站的多个Web页中都存在,通过点击导航条的一个栏目可以使页面跳转到指定地方或其它Web页面。由于导航条存在于同一站点的多个页面中,为了方便操作,可以把导航条单独输出成一个Html文件。如何在Fireworks 4中创建导航条的效果呢? 一、Fireworks 4中,使用菜单命令File→New,创建一个400×400像素的新文件,画布颜色为白色。     

电子数字计算机浅释(五)

现在介绍控制器,也就是谈谈为什么计算机能自动工作。为了讨论方便起见,假想有这样一台计算机,它的工作指标是:二进位定点记数制、字长 n=19位、符号位1位、单地址指命系统、并行操作方式、用磁心存储器(设它的存储量为2~6=64字,即一共有64个存储单元,存取周期为8微秒)。运算器中有两个数码寄存器(寄存器_1 和寄存器_2)及一个累加法器(图29);做加减法运算时,加数和减数放在寄存器_1;做乘法时,乘数放在寄存器_2,被乘数放在寄存器_1,运算结束后,在累加法器中得到乘积的前 n 位(连符号位在内共20位),在寄存器_2 中得到乘积的后 n 位;做除法时,被除数放在累加法器,除数放在寄存器_1,商放在寄存器_2,故有时可以把寄存器_2 称为乘数-商寄存器。     

1985年攻读硕士学位研究生入学考试试题参考答案

计算机原理综合一、B=102,C=103,D=101,E=100, H=110,L=114,PSW=101100,SP= 121 或B=114,C=102,D=377,E=101, H=100,L=110,PSW=377101,SP= 122 二、(1) 2~(14)=16384字节(2) 16×8=128片(3) 4位三、设存储地址为16位,内容为8位,用Z80汇编语言指令(1) LD A,(x) AND A ;判(x)的符号位     

TA2160逻辑分析仪(下)

二、电路分析TA2160有六块主要电路板:总体逻辑控制、中央处理单元板(CPU 板),时钟发生及扩展触发限定板(ACQ1板),数据获取、触发、时钟限定板(ACQ2A、2B板),组合延迟触发、高速获取板(ACQ3A、3B 板)。其它还有反汇编板、接口板。整机方框图如图9所示。(一)中央处理单元板中央处理单元板由如下三个部份组成:Z80和CPU 有关的存贮器和控制逻辑电路;键盘编码器与有关的控制逻辑电路;视频显示控制器、有关的存贮器和控制逻辑电路。现分述如下:1.Z80的16位地址分配 TA2160由 Z80微处理器控制,其32K 软程序存贮在4块只读存贮器(EPROM 2764)之中。通过图10所示的译码器 IC_1、IC_2及非门、或门电路,采用高位地址译码方法。当IC_1的15脚及 IC_2的1脚一旦出现低电平信号,立即     

单片机实用技术讲座(2) 第一讲 单片机的基本结构与工作原理(中)

<正> 存储器结构和地址空间 89C51单片机系列的存储器采用的是哈佛(Har-vard)结构,即将程序存储器和数据存储器截然分开,程序存储器和数据存储器各有自己的寻址方式、寻址空间和控制系统。 这种结构对于单片机“面向控制”的实际应用极为方便、有利。在89C51单片机中不仅在片内驻留了一定容量的程序存储器和数据存储器及众多的特殊功能寄存器,而且还具有极强的外部存储器扩展能力,寻址范围分别可达64K字节,寻址和操作简单方便。图5为89C51单片机存储器映像图。     

数字集成电路讲座(5)

<正> 第三讲 触发器(下) 二、触发器应用举例 1.密码锁电路 密码锁电路见图12。电路主体是一片CD4043。由CD40434的真值表可知,当R=0、S=1时,Q=1。所以,在图12中,开关S5～SN中任一个被按下时,都会使Q1=Q2=Q3=Q4=1,LED熄灭,代表密码锁锁上。仅当顺序按压S1、S2、S3、S4时,Q4才输出为0,LED点亮,代表密码锁打开。这里,S1～S4是开锁键,S5～SN是复位键。S5～SN可多设置几个,以起迷惑作用。     

怎样正确记录和书写测试数据(续)

5.2均值及标准偏差 均值 (?)=sum from n= to ∞(X_i/n) 利用随机误差的分布曲线,可以判断和确定产品在规定范围内的合格率,或者根据合格率来确定误差范围。 如果用P表示一批产品的合格率,问题就变成从-x偏差到+x偏差范围内曲线所占有的面积的百分比。 因为y=(dP)/(dX),所以合格率 P=integral from n=-x to ∞(+x(ydx)=integral from n=-x to ∞((1/(2πσ)~(1/2))e~-(x~2/(2σ~2))dx就表示误差在±x范围内出现的概率。     

非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度

本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1 3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g~(3/2)T~(3/2) [1 1.9E_g~(3/4)exp(Eg/2kT)]~(-1), 该式适用于x=0.17～0.37,T≤300K范围,式中Eg(eV)=-0.295 1.87x-0.28x~2 (6-14x 3x~2)(10~(-4))T 0.35x~4。本文还测量了不同组份Hg_(1-x)CdxTe样品(x=0.19～0.251)在77K～300K温度范围的本征载流子浓度。将上述公式的计算结果与本文实验结果及其他作者实验结果相比较表明,该式在x=0.19～0.29,T=77～300K范围与实验符合很好。     

微波单片集成电路进展录

itl 111 ]]11qD;_, 11_11_16 J _11dodri &”L5rl＄ 一D at_1H————J2期 景佩苏:微波单片集成电路进展录113 8 ＄ W # @ x B k 2 ＄ w ③ 4 《 W 大 4 》 $ m % @ tH 回 @ 十 ＄ M 《 K 8 M114 固 体 电 子学 研 究 与 进 展12卷 — — Q g W H & W H 0 & @ V # N *2期 景佩苏:微波单片集成电路进展录1154K pl LOI—l—1 一 S 二 IQIPIg 一:l116 固 体 电于 学 研 究 与 进 展12卷 w & — — * q 一 十 ④ — — 十 M 《 o【 — — B h M ＄ # @ 晰微波单片集成电路进展录…     

Hg~ 离子注入Hg_(1-x)Cd_x Te光伏探测器的进展

本文报导Hg~ 离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe 光伏探测器最新的一些结果。经过挑选的二极管,在77°K 和降低背景条件下(即视场角=60°),测得3.7、8和10.1微米处峰值探测率分别等于2.8×10~(11),5.9×10~(10)和4×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),而量子效率均超过90%。1.2×10~(-3)厘米~2的探测器,在5微米处观察到零偏压电阻与面积的乘积高于10~4欧·厘米~2,在9.5微米处高于24欧·厘米~2。电容—电压测量指出,结是突变的,在强的反向偏压下出现反常效应。面积为3×10~(-4)厘米~2的二极管,响应时问是1毫微秒。     

高温焦平面用光伏Hg_(1-x)Cd_xTe技术

Hg_(1-xCdxTe)光电二极管技术的最近进展是提高了整个1～20微米光谱段高温的探测器灵敏度。对1～3微米辐射灵敏的短波长光电二极管,室温蜂值探测率是在4×10~(11)和8 × 10~8厘米赫1/2/瓦之间,视峰值波长而定。对3～5微米辐射灵敏的中等波长光电二极管,在193K和130K温度下的峰值探测率分别为1×10~(11)和1 ×10~(12)厘米赫1/2/瓦。对12微米辐射灵敏的长波长光电二极管,其峰值探测率在65K时为5×10~(10)厘米赫1/2/瓦,在10K时为5×10(11) 厘米赫1/2/瓦。     

JSM—T_(300)扫描电镜物镜电路分析

扫描电镜的物焦镜距与加速电压和物镜电流有关。扫描电镜要求物镜电流具有较大的变化范围。T_300扫描电镜物镜电路如图所示。IC8为D/A转换器。波段开关S_3、二极管矩阵电路(D_10～D_27)、R_52～R_60、R_B_(23)组成了二进制码编码电路,为D/A转换器提供八位二进制码。D_8、R_(50)、IC9_1组成的电路为D/A转换器提供参考模拟电压V_REF。D_8(IS2192)的稳压值为8.2V,即A点的电压为8.2V。电压跟随器IC9_1输出的电压V_B=V_REF=V_A=8.2V。D/A转换器的输出电压Vout=-(V_REF/R_49)·R_51(A_8/2~1+A_7/2~2+A_6/2~3+A_5/2~4+A_4/2~5+A_3/2~6+A_2/2~7+A_1/2~8)。若当S_3的刀与第一掷相接时,D_10导通,D_11～D_27均不导通,D/A转换器的数字输入端A_8=0,A_7～A_1,均为1。因此D/A转换器的输出电压Vout=4V。D/A转换器的输入状态和输出电压与S_3对应关系如表1所示。从中可看到D/A转换器的输出电压范围为-4～-8.1V。D/A转换     

Ba_4Nd_(9.33)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷的微波合成及其低温烧结

采用微波加热合成了Ba4Nd9.33Ti18O54(BNT)微波介质固溶体陶瓷粉末,研究了微波加热工艺对BNT陶瓷相组成与微观形貌的影响。结果表明:微波加热相比于常规加热可以实现BNT陶瓷的低温快速合成;通过添加质量分数45%的B2O3-SiO2-CaO-MgO(BS)玻璃实现了BNT陶瓷于875℃烧结致密化。1 100℃微波合成的BNT陶瓷加BS玻璃烧结后具有最佳性能:εr=35.8,tanδ=12×10–4,σf=103.7 MPa,λ=2.576 W/(m.K)。     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性

测量了阳极氧化和ZnS双层介质结构的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性。基于Kane模型并考虑了碲镉汞导带非抛物性和载流子简并效应,进行了理论计算,高频情况下还考虑了少子在反型层中的再分布。对各种组份(x=0.2～0.56)的N型和P型Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件进行了变频(f=20～10MHz)和变温(T=26～200K)C-V测量。对于x=0.3的器件,测得其固定正电荷密度为8～10×10~(11)cm~(-2),80K下慢界面陷阱密度为4～10×10~(10)cm~(-2),最小界面态密度为1.7～2×10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)。     

1987年复旦大学计算机应用专业硕士研究生入学试题及题解

试题名称:数字信号处理一、考虑图1所示的因果数字滤波器结构。 1.找出该滤波器对应的H(z),画出H(z)的零点、极点位置图(任取一个K值),指出H(z)的收敛区域; 2.为使滤波器稳定,确定K的取值范围; 3.若K=1,x(n)=(2/3)~nu(n),确定y(n)。     

传感器讲座 第五讲 磁电式传感器(上)

磁电式传感器,范围很广。本文仅介绍对自动控制及检测仪器关系比较大的磁致伸缩换能器、霍尔效应和磁阻效应传感器、变μ式传感器以及磁进动式传感器四类,对涡流式传感器限于篇辐,暂不介绍。在介绍具体的传感器前,简单介绍一些磁学基本原理。设μ_0为真空的导磁率(4π×10~(-7)亨/米),B为磁感应强度(韦伯/米~2),H为磁场强度(安/米),J为磁化强度(韦伯/米~2),k为磁化系数,则对真空 B=μ_0H; (4-1)在铁磁物质中,由于它的磁化,产生一个附加的磁感应强度μ_0J,J=kH,大大地加强了总磁感应强度,其公式如下: B=μ_)(H+J)=μ_0(1+x)H=μ_0μ_rH; (4-2)μ_r称为相对导磁率,与k一样无量纲,其值与铁磁材