Al/SiO2/Si表面Al2O3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法.     

Al/SiO_2/Si表面Al_2O_3纳米图形的AFM阳极氧化制备方法

采用AFM阳极氧化方法,在控制AFM探针尖端电压和扫描方式的条件下,在Al/SiO2/Si表面制备了Al2O3纳米图形,图形最小尺寸为70nm.研究了表面吸附水层存在下AFM阳极氧化机理.实验结果表明AFM阳极氧化是制备金属氧化物半导体纳米器件的较好方法     

不同粒径的SiO_2纳米粒子与PVK分子复合体系的发光性质研究

通过溶胶-凝胶的方法,在乙醇溶液中合成了40nm和60nm两种不同粒径的SiO2纳米粒子,并将其分别与聚乙烯咔唑(PVK)混和,得到了不同粒径、不同质量分数配比的PVK/SiO2纳米粒子复合体系;利用光致发光光谱、吸收光谱和喇曼光谱,深入研究了PVK分子在不同状态条件下的发光特性和PVK/SiO2纳米粒子复合体系的光学性质;在复合体系中,观察到PVK与SiO2纳米粒子之间的界面能量转移过程,且不同粒径的SiO2纳米粒子对PVK分子的发光性质影响也不同。通过喇曼光谱的进一步研究表明,SiO2纳米粒子的存在,使PVK分子的振动能量明显减小,表明PVK分子与SiO2纳米粒子表面存在较强的相互作用。     

聚甲基丙烯酸甲酯与SiO2的复合研究

将正硅酸乙酯和乙醇的混合溶液加入到乙醇、水和氨水的混合溶液中,水解制备出单分散SiO2的乙醇分散液,然后分离出SiO2纳米粒子.接着利用硅烷偶联剂KH-570对SiO2纳米粒子进行表面改性以改善其亲油性.通过分散性试验,发现SiO2纳米粒子的亲水性明显降低而亲油性明显增加,证明硅烷偶联剂KH-570已经成功地接枝到纳米SiO2颗粒表面.采用超声波分散方法将其分散在含有甲基丙烯酸甲酯的乙酸乙酯和苯组成的混合溶液中,采用原位聚合法制备出PMMA/SiO2纳米复合材料.利用DSC、TGA和FTIR实验方法及溶解性实验对PMMA/SiO2纳米复合材料进行了测试.试验结果表明,SiO2纳米粒子在复合材料中起着物理交联点和化学交联点的作用.     

半导体激光器多环控制策略研究

提出了一种以半导体激光器的功率稳定作为外环、电流稳定和温度稳定作为内环的全数字多闭环控制策略,将PID控制与模糊控制、神经网络相结合,根据不同时刻的偏差和偏差变化率对PID参数进行自动调整.温度环采用PID控制和模糊控制相结合的控制策略,解决半导体激光器温度控制系统的动态品质和稳定精度相矛盾的问题.电流环和功率环采用多模态PID控制策略,满足在不同偏差下系统对PID参数的实时自整定要求,提高控制精度.仿真实验表明,系统具有良好的动态和稳态性能.     

APC在CMP工艺中的应用（Ⅰ）

随着半导体技术的快速发展,器件特征尺寸的显著减小,半导体制造业对工艺误差的控制要求越来越严格。目前,测量机台的发展促进了测量机台和工艺机台的整合(在     

Cu􀀁CMP 中磨料粒子的机械作用实验分析

本文介绍的Cu-CMP实验中的磨料粒子是纳米硅溶胶（SiO2,20－30nm）。为得到高质量、高平整度的铜表面，采用SiO2溶胶抛光液对铜进行抛光实验，在给定的条件下，得到了磨料粒子的浓度与抛光速率间的机械作用曲线。实验结果表明：当SiO2溶胶浓度增大时，机械作用增强，抛光速率随之增加。当SiO2溶胶浓度控制在一定范围，使抛光表面在低表面张力下进行抛光时，抛光后的液体呈蓝色，抛光后的铜表面光亮无划伤，此时铜表面实现了高速率及高平整度的最佳效果。     

纳米TiO_2复合微粒的制备及应用

为了改善纳米半导体TiO2的分散性,制备了以微米级的PMMA塑料粒子为核心粒子的TiO2/PMMA复合微粒和以SiO2作为表面包覆的TiO2/SiO2复合粒子。通过对TiO2/PMMA进行紫外、SEM测试,发现由于TiO2粒子分散性的改善,复合微粒对紫外线的吸收能力为纳米TiO2与PMMA塑料粒子混合物的3～10倍。在对TiO2/SiO2进行TEM、XRD及比表面测试后,结果表明复合粒子是由4nm的SiO2膜和约12.6nm的TiO2核组成。     

Au（Ru）-SiO2纳米-微米复合粒子的微观结构

金属或半导体纳米粒子在许多领域具有广阔而重要的应用前景，为降低纳米粒子间的团聚，以充分利用纳米颗粒的优异特性，而把金属或半导体纳米粒子掺杂在诸如玻璃或聚合体等基体中制备微纳复合颗粒的研究是近年来研究的热点。本研究以SiO2为基质，纳米金、钌功能粒子为镶嵌粒子，制备     

基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用.主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试.通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果.     

纳米粉体的分散技术与科学应用

研究了不同材质的7种纳米粉体中单个纳米粒子的结构特征;探讨了极稀的水(无水乙醇)溶液中纳米粒子的单分散状态及不同基底表面的纳米涂层技术;获得了纳米粉体中单个纳米粒子的三维结构及相关信息。不锈钢基底表面的涂层达10层时其表面粗糙度为最小,薄膜呈现出平滑的表面。即使达20层时,不锈钢基底上三种金属氧化物薄膜的表面粗糙度依次约为2.946、3.006和4.246nm,仍然属于nm尺度范围,为纳米涂层技术和纳米粉体的应用研究提供了直接的科学依据。     

电子墨水用SiO2白色电泳颗粒的表面包裹及荷电

采用控制正硅酸乙酯在氨水-无水乙醇中水解的方法,制备出适合电子墨水使用的白色SiO2颗粒。将经H2O2浸泡,由甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPS)表面改性的SiO2颗粒,与苯乙烯单体分散在异丙醇中,采用自由基共聚法在SiO2颗粒表面包裹不同厚度的聚苯乙烯包4裹层。采用场发射扫描电镜(Field Emission Scanning Electron Micro-scopes)、高分辨率透射电镜(High Resolution Transmission Electron Microscopes)、傅立叶变换红外光谱(Fourier Transform Infrared Ray)、纳米粒度及Zeta电位分析(Zetasizer)等分析方法,研究了包裹前后SiO2颗粒的表面形貌、颗粒尺寸及包裹层厚,包裹后颗粒的表面化学键合情况,颗粒在四氯乙烯中的表面Zeta电位以及在四氯乙烯中的分散性。结果表明:自制SiO2颗粒呈球形,粒径约300 nm,SiO2颗粒表面包裹了聚苯乙烯,包裹层较为均匀完整,层厚约为10～25 nm,并随包裹颗粒时所加苯乙烯单体量增大而变厚,颗粒在四氯乙烯中的表面Zeta电位由-4.26 mV提高到-49.47 mV,包裹后颗粒在电势为9 V的电场下,响应时间理论计算值到达40 ms,颗粒在四氯乙烯中的分散性良好,分散后静置48 h,分散率可达到87%。     

单分散尺寸可控的SiO_2胶体微球的制备

采用改进的Stber方法-种子颗粒生长法合成高单分散性、尺寸可控的SiO2微球,该方法克服了Stber方法中SiO2胶体微球成核迅速、对反应条件敏感使最终微球粒径难以控制的缺点,在控制超细颗粒形貌和粒径方面具有显著的优越性。通过精细调制正硅酸乙酯(TEOS)、氨水和去离子水的浓度,探索了在最优条件下制备单分散度较高的SiO2微球的工艺技术,制备出23.4～471.3 nm不同尺寸的SiO2微球。结果表明,SiO2颗粒越小,其形貌越不规则;SiO2颗粒越大,其表面越光滑,单分散性越好。     

纳米压痕和划痕法测定氧化硅薄膜材料的力学特性

为了研究不同制备工艺对材料力学性能的影响 ,选择了热氧化、LPCVD和PECVD三种典型工艺 ,在硅片上制备 1μm氧化硅薄膜。通过纳米压痕和划痕检测可知 ,热氧化工艺制备的SiO2薄膜的硬度和模量最大 ,LPCVD制备的样品界面结合强度高于PECVD。纳米压痕和划痕技术为此提供了丰富的近表面弹塑性变形和断裂等的信息 ,是评价微米薄膜力学性能的有效手段     

Fabrication and characterization of CdTe nano pattern on flexible substrates by nano imprinting and electrodeposition

Nano imprinting technology and the electrodeposition method were applied to make CdTe nano patterns on flexible substrates. An ammonia based aqueous solution was prepared at pH 10.7 and indium tin oxide (ITO)/polyethylene naphthalate (PEN) film with template was used as the working electrode. ITO thin film which was coated on PEN film had good electrical conductivity and optical transmittance. The template was manufactured by nano imprinting technology on ITO/PEN film. It was made from benzyl methacrylate and had nano rod arrays. It was used as the working electrode and for making CdTe nano pattern. CdTe nano pattern were analyzed by X-ray diffractometer, dual beam (DB)-focused ion beam (FIB)-scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, and ultraviolet (UV)-visible (VIS) spectroscopy. The structure and optical properties of CdTe nano pattern on flexible substrates was analyzed. The crystalline size of nano pattern had 8.26 nm. The Te particles that were precipitated on CdTe surface seems to be exist. The absence of annealing process influenced to have low absorption coefficient and narrow band gap compared to bulk CdTe. However, nano pattern increased reflectance.     

硅发光研究进展

硅是间接带隙半导体, 不能有效地发光.量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑.研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光:多孔硅、纳米硅、Si/SiO2超晶格、计算化设计与硅晶格匹配的直接带隙半导体.文章报道了这些方面的最新研究进展.     

单分散二氧化硅超细颗粒的制备

通过控制反应速度,以氨催化水解醇介质中的正硅酸乙酯(TEOS)制备得到了400±20nm的单分散二氧化硅超细颗粒。反应首先在低浓度TEOS下形成并完善晶核,再在高浓度下促使晶核强制生长,最后经陈化得到粒径分布集中、单分散二氧化硅超细颗粒。以制备的SiO2作为添加剂制作Y5V特性MLCC,其性能优于进口SiO2。     

Measurement of mean free paths for inelastic electron scattering of Si and SiO2

The effects of accelerating voltage and collection angle on the mean free path for all inelastic electron scattering (lambdap), which is an important parameter for determining specimen thickness by using electron energy-loss spectroscopy, were investigated with crystalline Si and amorphous SiO2. First, thickness of Si film was measured with the convergent-beam electron diffraction method, while thickness of SiO2 particles was estimated from their spherical shape. Then from electron energy-loss spectra, lambdap was evaluated for Si film and SiO2 particles by changing the accelerating voltage (100 to approximately 300 kV) and the collection angle for the scattered electrons. Under the condition of no objective aperture, lambdap for Si film and SiO2 particles was found to increase with the increase of accelerating voltage and to take values of 180+/-6 nm (Si) and 247+/-8 nm (SiO2) at 300 kV. Also, it was found that lambdap in both cases decreases drastically with the increase of collection angle in the range smaller than 25 mrad, while it tends to take a constant value at the collection angle larger than 25 mrad at 200 kV.