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金属型导电陶瓷BaPbO3的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了铅酸钡(BaPbO3)粉料的合成温度、气氛、时间与产率的关系。研究了BaPbO3导电陶瓷的制备工艺,以及Pb/Ba比、烧成温度、气氛对电性能的影响,制得电阻率为10^-4Ωcm的导电陶瓷 相似文献
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液相共沉淀法制备BaPbO3导电陶瓷的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度 ,其合成温度约为 65 0℃左右 ;液相法制备的BaPbO3粉末的纯度高、粒度细 ;适当地提高升温速度可提高BaPbO3粉体的合成率和降低BaPbO3粉体的合成温度 ;液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为 3.4× 10 - 4 Ω·cm ,并在 75 0℃具有优良的正温度系数阻温 (PTC)特性 相似文献
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BaTiO3陶瓷的晶粒壳—芯结构与畴 总被引:6,自引:0,他引:6
用分析电镜和高分辨电镜观测了BaTiO_3电容器陶瓷的晶粒壳-芯结构与铁电畴。首次发现本实验的BaTiO_3陶瓷的晶粒壳-芯结构由Nb原子的不均匀分布而形成。晶粒芯为贫Nb的铁电相区,而晶粒壳处由富Nb的顺电相组成。并且,壳-芯晶粒含量和壳-芯区域的大小与BaTiO_3陶瓷的性能可能存在一定关系。研究结果表明,壳-芯边界不同于通常晶粒边界结构,而在铁电畴的畴界处,存在一维方向几埃到数十埃的原子紊乱过渡区。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备BaPbO3导电陶瓷膜及其导电性能 总被引:4,自引:2,他引:4
以可溶性无机盐为原料,乙二胺四乙酸、柠檬酸和酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶技术,在Al2O3衬底上制备了导电性能优良的钙钛矿结构BaPbO3(BPO)导电薄膜.利用X射线衍射和扫描电镜测试分析了热处理工艺对薄膜微结构的影响,用四探针法测定了薄膜方阻.结果表明:升高热处理温度和增加热处理次数的工艺会导致薄膜中Pb/Ba摩尔比降低和膜厚下降,从而使BPO薄膜方阻升高,薄膜导电性能下降.尤其是在膜层较薄的情况下,这种影响更加显著.采用在670℃保温10min的单次热处理方法,获得了方阻为4.65Ω/□的单一钙钛矿结构BPO相导电陶瓷薄膜. 相似文献
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BaPbO3是一种多功能钙钛矿氧化物,具有优异的导电性和PTC特性,80年代发现通过掺杂Bi后还具有超导性,因而引起广泛关注,本概述了BaPbO3的研究进展及应用情况。并着重论述了BaPbO3的导电机制和元素掺杂对BaPbO3的影响以及国内的研究现状,展望了其未来的发展趋势。 相似文献
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BaTiO3陶瓷的击穿与电容器的耐压 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了BaTiO3陶瓷介质的极化机理,说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的,并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺特别是烧成条件对直流耐压胡较大影响的原因,此外还较全面地了添加剂,粘合剂及它们的用量以及资料中针孔的产生,加工缺陷等对耐压的影响。 相似文献
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钡钛醋酸盐凝胶制备BaTiO3粉体 总被引:2,自引:1,他引:2
本文报道了用sol-gel法制备钡醋酸盐凝胶,并分别作高灼烧和水热处理制备BaTiO3粉体。通过对产物的表征,比较了这两种处理过程,进而对水热条件下陶瓷粉体的形成机理作了探讨。由于水热条件,凝胶在反应介质中溶解,进而结晶形成晶粒,因此所形成的BaTiO3晶粒线度小;线度分布范围窄。晶粒形貌完整,明显优于高温灼烧处理后得到的粉体。 相似文献
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BN-YAION复合陶瓷的烧结行为 总被引:15,自引:4,他引:11
对BN-YAlON复合陶瓷进行了热压和无压烧结试验,对烧结体的密度变化和显微结构进行了研究,分析了影响BN基复合陶瓷致密化的主要因素.认为卡片房式结构是妨碍BN基复合陶瓷致密化的主要原因.热压过程中施加的压力足够大时,可以破坏这种卡片房式结构,使片状BN定向排列,因而能获得高致密度的BN基复合陶瓷.热压过程中若有液相出现,有利于片状BN定向排列,因而能促进BN基复合陶瓷的致密化.无压烧结时因不能消除原有的卡片房式结构,故虽有液相出现,也难以获得高致密度的BN基复合陶瓷 相似文献
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颗粒增韧陶瓷的增韧机理 总被引:69,自引:6,他引:69
综合评述并分析了第二相颗粒增韧脆性陶瓷材料的几种主要增韧机理及各种论点和这些增韧机理的适用范围,并主要从第二相颗粒的粒径着手进行了分类讨论。 相似文献
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用真空热压工艺制备了Al2O3-SiC复相陶瓷.对热压烧结的纯Al2O3以及Al2O3-SiC复相陶瓷进行了摩擦磨损实验,研究了SiC添加量对复 相陶瓷摩擦磨损性能的影响.结果表明:在压力为25 MPa,1635℃热压烧结1h,当SiC的质量含量为5%时,Al2O3-SiC复相陶瓷的耐磨性最佳,虽摩擦系数最大(0.61,Al2O3则为0.46),但磨损率(WR)仪为5×10-4mm3/(N·m).Al2O3-SiC复合材料的磨损机理为脆性断裂引起的磨粒磨损,材料的 WR与断裂韧性(KIc)和Vickers硬度(Hv)的乘积(KIc1/2HV5/8)成反比. 相似文献
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AlN—BN复合陶瓷的介电性能 总被引:9,自引:2,他引:9
以AlN-BN复合陶瓷为研究对象,着重探讨了AlN-BN复合陶瓷的极化机理,应用基本的介电介质物理理论,结合AlN-BN复合陶瓷组成和结构特点,研究了AlN-BN复合陶瓷介电性能(介电常数,介电损耗角正切值)随测量温度,测量频率变化而发生变化的温度特性和频率特性。 相似文献
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