钕重掺杂多模氟化锆玻璃光纤发射光谱与受激发射截面

用4．1％（重量比）钕离子高浓度掺杂氟化锆玻璃拉制成多模光纤，测试了~4F_3／2→~4I_11／2所对应的荧光发射光谱，其中心波长为1．037μm，其上能级辐射寿命为220μs。由Fuchtbauer－Ladenhburg关系，计算得出该光谱带的受激发射截面谱，峰值受激发射截面为9．1×10~－20cm~2。     

固体火箭发动机尾喷焰红外特性数值模拟

在给定浓度场、温度场、粒子和气体组份辐射物性参数的条件下，将贴体坐标系下有限体积法用于主动段尾喷焰红外光谱特性计算，考虑了粒子的各向异性散射，计算结果与贴体坐标系下的离散坐标法进行了比较．分析了2.7μm、2.95μm表观光谱辐射强度及2．7～2．95μm的表观谱带辐射强度，考察了若不考虑散射或用各向同性散射假设，来近似非线性各向异性散射所带来的计算误差．     

4Gbit DRAM用的ArF准分子激光曝光技术

据日本《电子技术》1996年第8期报道，日本富士通公司为了1GbitDRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4GbitDRAM的0．13μm尺寸的图形。ArF准分子激光（波长193nm）因比原i线光学光刻（波长365nm）的波长短，所以必须同时开发新的光刻材料。该公司开发了环氧树脂类的单层胶（2MAdMA—MLMA）和超高分辨率技术。并结合移相掩模技术实现了最小线宽为0．12μm的图形。采用该技术适用于4GbitDRAM0．13μm尺寸的存储单元，单元尺寸为0．59μ×0．34μm，单元面积为0．20μm2。4Gbit DRAM用的ArF准分子…     

F原子与胺类分子反应的可见化学发光研究

在交叉分子束装置上，进行了F原子与胺类分子（甲胺、乙胺、正丙胺、正丁胺）反应的可见化学发光实验研究，依次观察到了HF（3，0）、（4，0）、（5，1）、（6，2）、（7，3）、（8，4），HCF（A－X）和CN（A，B－X）的发射光谱．除F原子与甲胺的反应外，其余反应还观察到TCH（A－X）发射谱．依据产物光谱强度随反应物和反应压力的变化，对F原子与胺类分子反应的动力学过程进行了分析．     

RF-S01建模：一种精确的体接触RF-LDMOSFET大信号模型

提出一种精确的体接触RF-SOI（radio frequency silicon-on-insulator）LDMOSFET（1ateral double diffusedMOSFET）大信号等效电路模型．模型漏电流及偏置相关电容模型方程连续、任意阶次可导．发展出一种新的可满足电荷守恒栅源、栅漏电容模型．对漂移区电阻以及LDD（1ightly doped drain）区下侧寄生效应偏置相关特性进行了考虑．对自热效应引起的热功率耗散以及跨导／漏导频率分布效应也作了考虑．模型最终应用到一20栅指（每指尺寸为长L=1μm，宽W=50μm）体接触高阻SOIRF-LDMOSFET建模中．测量和仿真所得I-V，S参数，谐波功率特性对比结果验证了模型具有良好的精度．     

Zn(BTZ)2发光层厚度对白色电致发光器件发光光谱的影响

制备了结构为ITO／TPD／Zn（BTZ）2Al的有机电致发光（EL）器件，经测试发现，Zn（BTZ）2发光层厚度对器件EL光谱有较大影响。当Zn（BTZ）2层厚度分别被控制在50和80nm时，EL谱中都只有1个峰，其峰值分别为580和470nm；当Zn（BTZ）2层厚度被控制在50～80nm时，EL谱同时出现470和580nm的2个峰，且它们的相对发光强度与Zn（BTZ）2层厚度也有关系，随着Zn（BTZ）2层厚度越接近80nm（或50nm）时，EL谱峰值为470nm的光就相对越强（或弱），峰值为580nm的光就相对越弱（或强）。通过调整Zn（BTZ）2层厚度，在65nm左右时得到色度较好的白光器件，其色坐标为（0．33，0．33）。为了研究器件的光致发光（PL）谱，制备结构为TPD／Zn（BTZ）2的有机薄膜，经测试发现，薄膜PL谱与Zn（BTZ）2层厚度无关，其光谱峰值在480nm处，与相关文献报道一致。对上述现象进行了分析。     

飞速发展中的64MbDRAM技术

据《国际半导体》（英）杂志1995年第8期报道，由ICE公司微电子实验室（ICE，苏格兰、亚利桑）的分析表明，早期主要的64MbDRAM是采用0．35μm工艺技术（见表1）然而ICE工程师相信这些半导体制造商在1998年每月的产量将超出500000片，并将采用0．25μm技术。例如，在最近的国际固体电路会议上发表的第二代日立一德克萨斯仪器公司64MbDR－AM，其芯片面积为143．87068mm2，存取时间为29ns。采用了0．25μm、叁阱、三层金属化布线，多晶硅化物栅，9nm栅氧化层的制作技术。在评述新出现的64MbDRAM技术时，ICE公司的技术专家们认为：…     

0.25μm结构多层布线互连的间隙填充技术

随着集成电路设计规则正在向0．25μm缩小，提出了改进窄间隙填充、局部平坦化的工艺技术的要求。各种间隙填充淀积和深腐蚀（etchbcck）技术，当图形尺寸缩小到0．35μm左右时。使电路成本和／或族性能受到了影响。直至最近。旋转涂复的硅氧烷（SOG）在0．8μm器件设计规则下．在狭窄的金属间隔（≤0．4μm）中开始观察到空穴时也已经达到了间隙填充的极限。但是，现在已有新的SOG系列（AlliedsignalAccuglassT－14）使间隙填充工艺适用于0．25μm设计规则。一、间隙尺寸金属一互间距随每个设计规则而变化（表1）。间隙尺寸与CVD-1五…     

高效率无铝激光器

在近红外光谱区工作的（0．76～1．0μm）的高功率二极管激光器已作为掺铒光纤放大器、Nd：YAG和Ho：YAG激光器的泵浦源使用。可购到的此波段二极管激光器是把砷化铝称（AlGaAs）包含在激活区（在0．76～0．84μm波长工作的激光器）或光学限幅包层中（在0．84～1．0μm波长工作的激光器）。虽然激活区中的铝使器件输出推进到所希望波长，但也引进缺点，就砷化镓（GaAs）和砷化铜镜（InGaAs）激活区激光器而论，缩短了器件寿命和限制了输出功率。包层中含有AlGaAs的器件只存在制作困难和串联电阻较高（从而限制了总体效率）的问题。…     

μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池中i层的设计分析

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层中Ｎ型或Ｐ型掺杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（＞８００ｎｍ）载流子收集效率，从而增大电池的短路电流     

Atmosphere Transmission Performance for 0.4 μm～0.8 μm Ray Radiation in Middle Latitude of China

This paper researched on the atmospheric transmission performance of 0.4μm～0.8 μm ray radiation based on the characteristic of the middle latitude atmosphere in China. By analysis of the characteristic of the actual atmosphere, the absorption of molecular and the scattering of the steam and ozone, as well as the aerosol scattering(big granule scattering) are play a leading role to the 0. 4 μm～0.8μm ray radiation. Then a better atmospheric transmission formula in horizontal path has been deducted. The result of computer simulation indicates that this equation can best calculate the transmission performance of 0.4 μm～ 0.8 μm visible radiation in the middle latitude area of China. This computing result was applied to the nuclear explosion parameter detection system based on 0.4 μm～0.8μm visible radiation. Through nuclear explosion simulator to produce ray radiation, the tested result indicates that this method has the better measuring precision than the traditional method with the software of LOWTRAN. The calculation result of this formula not only can apply directly to each kind of optoelectronics detecting system, but also to the optical wireless communication system based on the 0.4μm～0.8μm ray radiation.     

热红外发射率光谱的野外测量方法与土壤热红外发射率特性研究

基于光谱平滑的温度／发射率迭代算法，提出热红外发射率光谱的野外测量与反演方法；分析了不同组分、粒径及含水量土壤的热红外发射率变化规律。结果表明，在8～9．5μm波长范围内土壤的发射率随SiO2含量的增加而降低，随含H2O量的增加而增大；在11～13μm波长范围内土壤的发射率基本保持不变，基于此分析结果，提出利用热红外光谱数据反演土壤含沙量和含水量的方法。     

红外目标模拟器校准系统的研制与应用

采用标准辐射和红外目标模拟器的辐射交替折转进入红外光谱辐射计的方法，研制的红外目标模拟器校准系统可以对红外目标模拟器进行直接校准．该系统由标准准直辐射源，光束偏转装置和红外光谱辐射计组成．标准准直辐射源由工作温度为50℃～1050℃的标准黑体和口径300mm的离轴抛物面作主镜的准直光管组成．光束偏转装置由口径465mm的反射镜和定位精度5″的转台组成．红外光谱辐射计采用圆形渐变滤光片CVF对入射的辐射分光，3个光谱工作区间为1μm～3μm，3μm～5μm和8μm～14μm。3个区间的测试数据显示了最小可校准的光谱辐照度低于10^-11／cm^2，系统的相对标准不确定度为2％．     

高精度激光准直及其可能应用

我们对三点法点光源的稳定性和光束传输的影响因素作了实验研究,制成一台21米长、精度为±0.6～0.8微米(或±3～4×10~(-8))的激光准直实验装置。利用这台装置,测出了人造断层的潮汐变化,小潮期间,24小时水平位移最大变幅不超过11微米。分析了用于地震预报、测定大坝变形和调整粒子加速器的可能性,讨论了广义相对论时空弯曲对准直光束的影响。     

空间飞行器对背景辐射的反射特性

介绍了飞行器在地球大气层外的主要辐射，给出了飞行器反射背景辐射强度空间分布的计算方法，并运用计算机对距地面几百千米的某圆锥形飞行器中午和晚上在3～5μm和8～14μm波段内辐射强度的空间分布进行了数值计算，得到了合理的结果。     

基于GLC模型的红外纹理合成方法研究

根据自然红外纹理在空间的统计分布特性，利用随机场模型可以有效地合成红外纹理，由于物体表面的温度场分布具有马尔可夫性，可以利用GLC(Generalized Long—Correlation)随机场模型模拟自然地物表面的红外辐射温度场分布情况，并利用普明克黑体辐射定律计算地表的辐出度场分布，通过辐出度场进行显示定标和量化，可以有效生成不同的红外纹理。模拟结果表明：GLC模型可以有效模拟3～5μm和8～12μm波段的红外纹理。     

高功率激光反射镜热畸变补偿结构设计与仿真

为了研究激光反射镜热畸变补偿结构的设计,在分析激光腔镜热变形行为的基础上,采用优化镜体结构,提出了一种减少入射激光光斑区域镜面热畸变的途径——热畸变自补偿激光反射镜,并与普通硅镜的热变形情况进行了比较.结果表明,当反射镜反射率为98%、入射激光功率为7kW、激光照射时间分别为2s,4s和10s时,普通硅镜镜面中心与光斑边缘处的热变形之差分别为0.167μm,0.174μm和0.172μm;而热畸变自补偿激光反射镜镜面中心与光斑边缘处的热变形之差分别为0.092μm,0.052μm和0.027μm.该研究结果对提高高能激光腔镜热效应稳定性、改善高能激光光束质量具有一定参考价值.     

近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的模拟与测试

设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响应范围为 0 .4～ 1 .3μm,峰值响应波长在 0 .93μm,响应度达 0 .3 8A/ W,寄生电容小于 2 .0 p F。实验结果和模拟结果符合得很好。其良好的光电性能为应用于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了可能     

共面波导形式的倒扣焊X波段低噪声放大器

研究了倒扣焊封装的共面波导 ( CPW) X波段低噪声单片放大器的设计方法、制作工艺及测量结果 ,验证了倒扣焊技术在微波频段应用的可行性。低噪声放大器单片是在 Ga As MMIC工艺线上用全离子注入、0 .8μm栅工艺研制完成。单片电路使用共面波导作为传输线 ,它可以将电磁场束缚在较小的空间内 ,受倒扣衬底的影响较微带线小。与传统的引线键合技术相比 ,单片倒扣焊于陶瓷载体上 ,性能有明显改善 ,在 9.2～ 10 .3GHz,G≈ 12 .1d B。