首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
杂质对硫酸钙结晶习性的影响   总被引:2,自引:1,他引:2  
在实验室条件下,系统地研究了磷矿中所含的铁、铝、镁、氟硅酸等主要无机杂质溶于磷酸,硫酸与磷酸的混合溶液中对硫酸钙结晶习性产生的影响。并与萃取磷酸的杂质对硫酸钙结晶习性的影响以及在萃取磷酸过程中所得硫酸钙结晶作了对比。  相似文献   

2.
硫酸钙晶须是一种正在被广泛应用的添加组分,发挥着日益突出的作用。干燥是制备硫酸钙晶须工艺中的重要步骤。为了探究微波干燥方式对硫酸钙晶须干燥的可行性,首先阐述了微波干燥原理,并且通过以二水硫酸钙晶须为原料的实验,获得在多种主要影响因素条件下半水硫酸钙晶须的实验结果。优化干燥的实验条件为:硫酸钙晶须100g、微波干燥时间25min、微波功率700W,此条件下硫酸钙晶须的相对脱水率达到97%;对样品进行XRD检测,其成分全部为半水硫酸钙晶须,与样品在120℃常规电加热干燥下所得样品成分相同,而微波干燥时间仅为其的加热干1/5。同时,通过材料性能测试实验,证明微波处理的硫酸钙晶须性能得到增强。  相似文献   

3.
4.
5.
水热过程中半水硫酸钙晶须的成核过程与生长过程两个方面考查Na~+、K~+、Mg~(2+)、Zn~(2+)和Al~(3+)几种不同价位的金属离子对水热过程中半水硫酸钙晶须结晶过程的影响。结果表明:在纯水体系中,随着过饱和比的升高,半水硫酸钙晶须的成核时间逐渐降低,其临界界面张力为9.5mJ·m~(-2);随着一价离子、二价离子、三价金属离子的加入,半水硫酸钙晶须的临界成核时间逐渐升高,同时界面张力也逐渐升高。其中,Al~(3+)对半水硫酸钙晶须成核的抑制作用最大。  相似文献   

6.
以微米级硫酸钙晶须作为填料制备出硫酸钙晶须聚酯粉末涂料,检测了粉末涂料的粒径分布及力学性能,讨论了涂膜厚度的影响因素,研究了粉末涂料的热稳定性及截面形貌.结果表明:制备的粉末涂料最高使用温度达350℃,力学性能优异;粒径主要分布在120~200目,并且接近正态分布;涂膜厚度与单位面积粉末涂料用量、成膜时间及成膜温度有关;通过扫描电子显微镜(SEM)观察得出,在成膜温度为220℃、成膜时间为10 min条件下,粉末涂料的涂膜具有较好的截面形貌,硫酸钙晶须及树脂交联分布较均匀.  相似文献   

7.
本文针对以硫酸钙型盐岩为原料制盐工艺中的实际问题,提出了用少量添加剂加速无水硫酸钙水合反应的方法,对比了有无添加剂存在下无水硫酸钙在氯化钠水溶液中的水合动力学,分析了添加剂对水合反应的作用机理。研究结果表明添加二水硫酸钙能加速无水硫酸钙在氯化钠水溶液中的水合反应,加速的最优条件是氯化钠质量百分比浓度为10%,温度为20℃;添加少量的硫酸钾对水会反应影响不大。  相似文献   

8.
微波辐射对油脂稳定性影响的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以大豆油、菜籽油和猪油为原料,研究微波辐场中油脂的抗氧化稳定性,结果发现在微波作用下油脂的抗氧化稳定性与场的强度、作用时间、油脂的不饱和程度有关。  相似文献   

9.
为揭示不同有机物形成的污染层对硫酸钙在纳滤膜面结垢行为的影响,选用牛血清蛋白(BSA)、腐殖酸(HA)、海藻酸(SA)作为典型有机污染物对聚酰胺复合纳滤膜进行污染,之后进行硫酸钙结垢实验.利用扫描电镜(SEM)观察不同污染条件下的硫酸钙形态,采用原子力显微镜(AFM)结合自制的硫酸钙探针测定不同污染条件下膜-硫酸钙及硫酸钙-硫酸钙之间的作用力.结果表明:与新膜结垢相比,有机物吸附在纳滤膜上改变了膜面性质,影响硫酸钙晶体成核机理.3种有机污染条件下硫酸钙结垢污染程度为SAHABSA.这是因为SA与Ca~(2+)的相互作用可缩短硫酸钙晶体成核时间,增大晶体尺寸,导致纳滤膜通量迅速下降;HA与Ca~(2+)络合增大了结垢层的厚度和密实度,导致纳滤膜通量衰减较大;而BSA与Ca~(2+)的结合能力较弱,加上其特殊的心形分子结构,导致该情况下硫酸钙结垢程度弱于其他两种有机物条件.  相似文献   

10.
本实验采用化学纯磷酸二氢钙和硫酸为原料,模拟湿法磷酸生产中二水硫酸钙的结晶过程,应用粒数平衡技术,改进的实验数据分析方法,在MSMPR结晶器中研究了酸中杂质Al3+对二水硫酸钙的结晶动力学及结晶习性的影响、结果表明Al3+对二水硫酸钙的结晶动力学有很大影响,且使二水硫酸钙晶体变小变短。并发现存在-Al3+浓度极值,低于此浓度,二水硫酸钙成核速随Al3+浓度的增加而增大,成长速率则随Al3+浓度的增大而减小,高于这个浓度,则情况相反.  相似文献   

11.
采用液-固-溶液法(LSS法)制备了CaF2纳米粉体,通过X射线衍射分析(XRD)测试手段对纳米粉体进行了性能表征,研究了水热合成温度及水热压力对于粉体质量的影响;当水热合成温度为160℃,填充比为70%时,制得的CaF2纳米粉体的质量更佳。采用坩埚下降法,制备出了位错少,红外透过率大于90%,在紫外到中红外范围内折射率随波长的变化率小,光密度小于0.1,且上下波动范围较小的CaF2光学晶体。通过显微镜、XRD、红外和紫外分光光度计等测试手段对CaF2晶体的物相结构、光学性能及晶体表面性能进行了表征。  相似文献   

12.
微波消解-MPT-AES法测定海带中钙和锌   总被引:4,自引:0,他引:4  
分别使用常规消解方法与微波消解方法处理海带样品,采用微波等离子体炬原子发射光谱法(MPT-AES)测定海带中钙和锌的含量。详细考察了分析谱线、微波前向功率、载气流量、工作气流量等实验参数对元素测定的影响。在最佳实验条件下测得钙和锌的检出限分别为3.5×10-3,4.62×10-2μg/mL;线性范围分别为0.04~4.00μg/mL和0.04~10.00μg/mL;精密度分别为0.76%和0.91%;加标回收率分别在98.5%~106.2%和97.8%~104.8%。结果表明,微波消解方法与常规消解方法相比精密度与准确度均较高,微波消解-微波等离子体炬原子发射光谱法是一种简便、快速、准确、无污染的绿色环保方法。  相似文献   

13.
硫酸钾晶体生长速率的研究(二)   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了4种添加剂对硫酸钾晶体生长速率的影响.实验表明:在以氯化钾、硫酸铵、甲酰胺、丙酮作为添加制,丙酮促进硫酸钾晶体生长,而其他几种添加剂则抑制其生长.可以选择在硫酸钾生产中添加适量丙酮从而提高硫酸钾的产率.  相似文献   

14.
采用微波辐射,在金属盐硫酸亚铁为助催化剂的条件下,对玉米秸秆进行稀酸水解制备还原糖的研究,考察了硫酸亚铁质量分数、硫酸质量分数、液固质量比、微波辐射功率、微波辐射时间和微波辐射压力对水解制备还原糖产率的影响。结果表明,硫酸亚铁质量分数3%、硫酸质量分数2%、液固质量比15、微波辐射功率187.5W、微波辐射时间30min、微波辐射压力0.3MPa为最佳水解条件,在此条件下还原糖产率可达38.5%,与无金属盐时的微波辐射稀酸水解方法相比,还原糖产率增加了1.1倍,与无微波辐射时的稀酸水解方法相比,还原糖产率增加了2.8倍。  相似文献   

15.
为了探讨塑料-NaI(T1)复合探测器对点状γ射线源的探测效率与晶体尺寸之间的关系,利用蒙特卡罗方法及相关软件,在VC++开发平台下编制了可以自定义塑料-NaI(T1)复合晶体尺寸的软件,实现对不同能量的γ射线的探测效率的计算.根据计算得到的数据矩阵拟合出不同尺寸探测器对点源的效率函数,并确定出函数的参数.  相似文献   

16.
KDP晶体生长工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用水溶法生长了KDP单晶体,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程.指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项.实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高,会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核;pH值过高,生长的晶体会出现楔化现象,过低则影响生长速率,实验测得pH值为2.2;50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力,提高晶体的光学均匀性.同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷.  相似文献   

17.
碘化铅多晶合成与单晶体生长研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
碘化铅 (PbI2 )的平均原子序数较大 ,碘化铅晶体有较宽的禁带宽度 ,作为一种新型的室温核辐射探测器材料有广泛的前景。本文对碘化铅原料的合成与晶体生长工艺进行了初步研究 ,用垂直布里奇曼法生长出了直径达 2 0mm、长约 3 0mm的完整半透明的碘化铅单晶体  相似文献   

18.
本文采用改进的滴体积法和廷德尔(Tyndall)结晶视察法研究了表面活性剂对无机盐水溶液的表面张力和溶液结晶过饱和度的影响.并用电子探针照片分析了硼酸结晶改性前后的晶体生长情况、实验证明;微量的表面活性剂在无机盐饱和溶液中与在纯水中一样,同样具有降低表面张力,增大溶液表面活性的作用;此外,实验还发现,表面活性剂还能极大地改变溶液结晶过饱和度,使溶液的结晶速率发生变化.为此,给出了表面活性剂在无机盐溶液中结晶改性机理的新解释。  相似文献   

19.
磷石膏晶须在造纸中应用的初步研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
结合磷石膏晶须的结构特点,对其在造纸中的应用进行了探讨.研究发现:无论是针叶木浆还是漂白麦草浆,抄纸时加填磷石膏晶须可有效提高纸张的抗张指数、撕裂指数、耐破指数等,尤其是磷石膏晶须添加量为30%时,纸张的物理强度性能和填料留着率最高.白度高、成本低的磷石膏晶须作为填料应用于造纸,将具有很大的市场潜力.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号