选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究

主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.     

双离子注入增强退火效应的研究

本文介绍氩、硼离子注入的增强退火效应.四探针测试显示在500℃左右有低的薄层电阻R值,SEM观察和拉曼谱观察表明,注入区的晶格损伤得到了很好的恢复.     

砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.     

掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响

半绝缘(S.I)GaAs材料既在微波MESFET器件中用作外延生长的衬底又在集成电路中用作直接离子注入的掺杂层材料,因此进一步了解S.I-GaAs材料的质量是十分重要的.本文将Si²⁸直接注入到不同质量的掺Cr.S.I-GaAs衬底,然后测量注入层的载流子浓度分布和迁移率,从而直接评价SI-GaAs材料的质量,并对实验结果进行了讨论.     

双膜片的硅-蓝宝石高温压力传感器

介绍了用硅-蓝宝石材料制作的通过采用双膜片结构及真空高温烧结工艺制成的高温压力传感器,并利用电路温度补偿来提高传感器高温压力的测量精度.350℃下测得传感器的准确度为0.1%.     

一种确定MESFET噪声参量的新方法

本文提出了一种确定MESFET噪声参量的新方法.该法不仅能单独从MESFET结构参量或S参数实测值出发计算噪声参量;而且能同时利用结构参量及S参数实测值,通过优化,得出更精确的噪声参量.     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

GaAs／GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器

本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控制脊高和包层中Ａｌ含量以及采用剥离掩膜，反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为１２．２ｄＢ，串音达－２５．９ｄＢ。     

基于铁电薄膜HfO2的双阈值 负电容独立栅FinFET器件

将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面,构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数,构建高阈值和低阈值负电容独立栅FinFET器件提出的双阈值负电容独立栅FinFET器件具有较小的亚阈值摆幅和较大的开关电流比,在降低功耗方面具有显著的优势     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化.先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量.利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化.优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.     

改进的水平梯度凝固法生长无位错掺硅的砷化镓单晶

本文提出具有准双抛物线温度分布的水平梯度凝固法生长GaAs晶体.利用此法成功地生长了取向〈111〉B和〈211〉B的掺Si无位错GaAs单晶.晶体在生长过程中,生长界面微凸,与生长方向近乎垂直,表明生长区热对称性良好,从而避免了沿用的水平Bridgman法的一些弊端.文中对该法的其它一些工艺特点也作了详尽的论述.此外,认为掺Si降低位错密度的作用,可能与形成的Si_GaV_Ga络合物与位错的交互作用有关.     

中碳钢短裂纹扩展规律及其在疲劳寿命预测上的应用

从研究中碳合金结构钢３５ＣｒＭｏ，４２ＣｒＭＯ三点弯曲缺口试件的疲劳裂纹萌生及短裂纹扩展规律出发，研究了疲劳过程中各个阶段所占总疲劳的百分比，并以短裂纹扩展规律为基，提出了预测试件疲劳寿命的经验公式。     

金属枝晶生长方向的研究

本文利用结晶热力学基本理论结合点阵中原子排列的规律性,对金属枝晶生长方向进行了研究并取得了与实际一致的结果.     

定向凝固程度的定量化与枝晶生长形貌的研究

作者分别用宏观分析、显微分析、X射线衍射分析三个不同层次检验和分析了定向凝固的状态。在此基础上,提出了定量评估定向凝固程度和质量的四个参数F,U, W和A,并根据此四个基本参数,派生出一系列描述枝晶生长形貌的参数,如一次轴直径φ,枝晶直径Φ,一次轴间距e,二次枝晶长度d长,揭示了定向参数和枝晶形貌间的联系,研究了定向参数及其变化规律,描述了枝晶生长的形貌,探讨了定向参数、枝晶形貌和铸态机械性能之间的关系。     

疲劳裂纹扩展率的工程计算方法

以弹塑性断裂理论为基础，提出了基于J积分的疲劳裂纹扩展率工程计算方法，并推导出了D—M模型下的疲劳寿命工程计算公式。     

一类椭圆型方程的非标准线性元的渐近展式

一类椭圆型方程的非标准线性元的渐近展式舒适，黄云清［摘要］＊本文通过对系数及右端进行线性插值而得到近似有限元解，证明了的渐近展式和标准有限元完全相同．主题词：有限元；渐近展式；非标准有限元分类号：Ｏ２４２．２１１引言有限元解的渐近展开式的研究在有限元...     

一类椭圆型方程修正有限元解的高阶渐近展开

该文基于标准有限元的渐近展开,利用原方程的扰动,构造了一种非标准的有限元方法,并得到了解的整体高阶渐近展式,从而可以利用各种后处理技术．     

任意形状坯料反挤流变成形内圆筒上限单元技术的改善分析

提出了对任意形状坯料的反挤流变成形内圆筒的运动许可速度场改善．在以前各种著作中出现的速度场不满足在模具和材料接触面的法线速度必须为零的条件,而且忽略了冲头下面的材料旋转．同时对前者进行了修正,对后者以一种新的速度场进行了改进．得出的挤压载荷的理论计算值比文献中出现的低,且更接受实验结果,同时平均挤压高度与实际情况相吻合．     

一类时变系统解的全局稳定性

讨论了系统dxi/dt=-aii(t)fii(xi)+n∑j=1,j≠i aij(t)fij(xj),(i=1,2,…,n),应用大系统的分解理论,得到了该系统零解全局稳定的充分条件.