成型工艺对PMN—PMS—PZT热释电陶瓷性能的影响

采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN-PMS-PZT)陶瓷,并进行对比研究.实验结果表明,冷等静压成型的陶瓷综合性能较好,其具有均匀紧凑的晶粒结构,可得到较高的成瓷密度;使材料的介电常数εr和介电损耗tan δ降低,在保持较高热释电系数P的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相(FRL-FRH)的相变温度,并使热释电系数峰值得到稳定.其最佳性能为室温时,εr=216,tan δ=0.20%,p=12.0×10-4 C/m2·℃(持续温区为23～55℃),探测率优值FD=24.6×10-5Pa-1/2.     

铌锌酸铅基电陶瓷的热膨胀行为

通过对铌锌酸铅基铁电陶瓷（０．９－ｘ）ＰＺＮ－０．１ＢＴ－ｘＰＴ，（ｘ＝．０５１，０．１５）在０－４５０℃热膨胀行为的详细测量，结合其相应温度范围内的介电温谱，发现一个弱的一级相变过程，进而探讨了复合钙钛矿结构弛豫型铁电体中局域极化的转变特性。     

制备工艺对PMN铁电陶瓷性能的影响

从材料组成、结构和性能的关系出发,系统地研究了探讨了制备工艺对弛豫型铁电陶瓷性能的影响,以及烧结后退火工艺对样性能的影响。研究PbTiO3组分2种不同的加入方式((1-x)(PbO 1/3MgNb2O6) x(PbO TiO2)和(1-x)(PbO 1/3MgNb2O6) x(PbTiO3))对Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3固溶体陶瓷介电性能的影响规律。与用前一种方法制得的试样相比,用后一种方法得到的陶瓷试样的介电常数峰得到进一步展宽,并且呈现双峰。介电性能的这种变化表明微区化学组成的均匀程度对材料的宏观介电性能会产生显著影响。     

铌锌酸铅基铁电陶瓷的热膨胀行为

通过对铌锌酸铅基铁电陶瓷（０．９－ｘ）ＰＺＮ－０．１ＢＴ－ｘＰＴ，（ｘ＝０．０５，０．１５）在０～４５０°Ｃ热膨胀行为的详细测量，结合其相应温度范围内的介电温谱，发现一个弱的一级相变过程，进而探讨了复合钙钛矿结构弛豫型铁电体中局域极化的转变特征。     

Sm2O3掺杂对铌镁酸铅铁电陶瓷介电性能的影响

为了改善铌镁酸铅(PMN)的介电性能及温度稳定性,采用铌铁矿法制备了Sm<,2>O<,3>掺杂的PMN陶瓷(PSMN).研究了Sm<,2>O<,3>掺杂对PMN铁电陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着钐掺杂量x(Sm)的增加,PSMN陶瓷的晶粒尺寸减小、分布均一,材料的相变温度向远离居里点的低温方向移动,相对介电常数峰值...     

PNN—PT弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能

研究了０．７５ＰＮＮ－０．２５ＰＴ弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能，结果表明，通过添加过量镍可以有效抑制焦绿石相的生成，获得单相钙钛矿结构，从而获得优异的介电性能。     

MnO2对Pb(Ni1/3 Nb2/3)O3基复相陶瓷介电性能的影响

研究了少量MnO2添加对Pb(Ni1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷的介电常数温度特性和频率特性、介质损耗及电阻率的影响。结果表明,少量MnO2的加入,改善了复相陶瓷的介温特性和频率特性,降低了介电常数;同时降低了介质损耗,特别是低频高温下的介质损耗,提高了电阻率。对MnO2在复相陶瓷中所起的作用进行了分析。     

烧结助剂对Mg4Nb2O9陶瓷性能的影响

研究了Bi2O3-V2O5、CuO-Bi2O3-V2O5、Li2CO3-V2O5掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结特性和微波介电性能的影响。通过XRD分析材料物相组成,结果表明,CuO-Bi2O3-V2O5、Bi2O3-V2O5的添加能有效地将Mg4Nb2O9陶瓷烧结温度从1 350℃降至950℃,但同时陶瓷的品质因数(Q.f)有很大恶化。掺杂w(Li2CO3-V2O5)=3%,试样致密化温度降至950℃,保温5 h,其具有良好的微波介电性能:介电常数(rε)为14.0,Q.f为83 276 GHz。     

铌镁酸铅-钛酸铅铁电体准同型相界附近的压电性能研究

采用固相合成法制备了准同型相界附近的PMN-PT铁电陶瓷,对其介电和压电性能进行了研究,并讨论了不同掺杂对陶瓷的晶粒尺寸,介电常数,压电系数和机电耦合系数的影响,分析了不同掺杂取代位置对陶瓷的介电和压电性能的影响。发现这一体系陶瓷材料的压电性能与其晶粒的大小有一定的对应关系,同时在这一体系的掺杂后的影响可以较好地用传统PZT系统中的软硬掺杂解释。     

水热粉体制备(K, Na) NbNO3陶瓷的电学性能研究

利用水热法分别合成NaNbO3与KNbO3粉体,将其按摩尔比1∶1充分混合均匀后,于1 040～1 100℃常压烧结2h制备了(K,Na) NbO3 (KNN)无铅压电陶瓷.研究了烧结温度对KNN陶瓷的相组成、显微结构、体积密度及电学性能的影响.X线衍射(XRD)结果显示,混合粉体经烧结后形成了单一的铌酸钾钠固溶体;场发射扫描电镜(FESEM)测试分析表明,适当提高烧结温度能促进陶瓷晶粒长大,提高其致密度,从而改善样品的压电性能.当烧结温度为1 080℃时,陶瓷的体积密度达到最大值(4.46 g/cm3),此时性能最佳:压电常数d33=96 pC/N,平面机电耦合系数kp=0.37,品质因数Qm=108,介电常数εr=450,介电损耗tanδ=0.024和居里温度Tc=417℃.     

GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究

介绍了一种能够全面表征半导体二极管器件的电学特性的方法,此方法结合半导体二极管的正向交流特性和直流特性,称之为正向交流小信号法。利用该方法深入地研究和对比分析了GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性,包括表观电容、串联电阻和理想因子。实验结果表明,对于GaN基和GaAs基半导体激光器,其开始发光的过程同步于其电容由正转变为负的过程。进一步实验结果表明,GaN基半导体激光器比GaAs基半导体激光器具有更大的串联电阻和更大的理想因子。这是由于GaN基激光器的器件工艺不够完善以及外延生长的GaN材料具有很大的位错密度。该研究为提高和改善GaN基激光器的性能提供了必要的依据以及理论指导。     

富汞热处理对碲镉汞电学性能的影响

对用液相外延(Liquid Phase Epitaxy,LPE)方法生长的碲镉汞(HgCdTe)材料进行了闭管富汞热处理,并研究了不同的热处理时间和热处理温度对其电学性能的影响.通过对HgCdTe材料进行富汞热处理可以有效降低材料内的缺陷尺寸、密度以及位错密度,并可完成材料由p型到n型的转变.工艺中,低温热处理对HgC...     

电镀镍层对金属封装外引线弯曲疲劳性能的影响

笔者系统地研究了改善金属封装外引线抗弯曲疲劳的方法。发现各种类型的电镀镍层对外引线弯曲疲劳性能有不同的影响,其中在氨基磺酸镍镀液中,采用多波形电流电镀时外引线抗弯曲疲劳的性能最好。另外,用H2作为保护气体,对引线弯曲性能较差的镀覆亮镍的金属封装进行退火,也能明显改善外引线的抗弯曲疲劳能力。     

硅纳米线的电学特性

总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。     

掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响

通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少量的Sb2O3可明显改善材料的非线性.研究中发现掺杂x(sb2O3)为0.01%的样品具有最高的质量密度(ρ＝6.90g/cm3)、最高的视在势垒电场(EB＝276V/cm)和最好的电学非线性(a＝12.89).提出了SnO2@Co2O3@Sb2O3的晶界缺陷势垒模型.     

离子注入对ITO薄膜电学特性的影响

对系列In2O3∶Sn (ITO)薄膜样品分别实施了不同剂量的Sn+, Ag+ 和Mo+离子注入并将它们在250 ℃下进行了热处理.利用霍耳测量研究了原始样品及注入和退火前后各样品的电学特性.研究了ITO薄膜的电学参数受离子注入的种类及剂量的影响.实验证明不同种类的离子注入会不同程度地降低ITO的导电性能,但热处理的效应与之相反.3种金属中,Sn+离子对薄膜造成的注入损伤最小,而高价的钼离子可以替换铟离子的位置成为施主,当注入剂量为1×1015 cm-2时,经过Mo+离子注入和后续退火的ITO薄膜,载流子浓度提高了14%.     

Improvement in Electrical Properties of SIMNI Films by Multiple-Step Implantation

SOI-SIMNI (Silicon On Insulator-Separation by Implanted Nitrogen) films were formed with standard method and multiple-step implantation one. The Hall-effect measurements (4-300K) show that the multiple-step implanted SIMNI films have a lower sheet resistance and higher carrier mobility than those in standard SIMNI films. The DLTS results indicate that there is a deep level defect (Et=0. 152 eV) in the standard SIMNI films but no such defects in the multiple-step implanted ones. The multiple-step implanted SIMNI films have good electrical properties.     

Improvement in Electrical Properties of SIMNI Films by Multiple-Step Implantation

In the past decade,there is an increasing interest in making Silicon-On-Insulator(SOI) films by high dose oxygen or nitrogen implantation into silicon,which will replaceSOS(Silicon-On-Sapphire) to fabricate the high-speed,no latch-up...     

Electrical Properties of Carbon Nanotube Based Fibers and Their Future Use in Electrical Wiring

The production of continuous fibers made purely of carbon nanotubes has paved the way for new macro‐scale applications which utilize the superior properties of individual carbon nanotubes. These wire‐like macroscopic assemblies of carbon nanotubes were recognized to have a potential to be used in electrical wiring. Carbon nanotube wiring may be extremely light and mechanically stronger and more efficient in transferring high frequency signals than any conventional conducting material, being cost‐effective simultaneously. However, transfer of the unique properties of individual CNTs to the macro‐scale proves to be quite challenging. This Feature Article gives an overview of the potential of using carbon nanotube fibers as next generation wiring, state of the art developments in this field, and goals to be achieved before carbon nanotubes may be transformed into competitive products.     

纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响

研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理。研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高。在质量分数为0~30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势。当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149。在0~10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%~30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高。当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6 mA。