一种高压快速BiCMOS模拟开关的设计

本文详细介绍了一种高压快速ＢｉＣＭＯＳ模拟开关的电路设计原理及版图优化设计。在模拟开关的基准源和电平转换部分均采用ＢｉＣＭＯＳ设计技术，使得该模拟开关在较长沟道长度下也能实现５０ｎｓ以下的开关速度。同时通过对开关管版图的优化设计，使开关导通电阻小于５０Ω。     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

HCMOS模拟开关及多路转换器/信号分离器

ＨＣＭＯＳ模拟开关及多路转换器／信号分离器曾庆贵开关类集成电路在ＣＭＯＳ和ＨＣＭＯＳＩＣ中占有很重要的地位，它和其他工艺的开关相比，ＣＭＯＳ＄拟开关的优点是功耗低，输入电压范围宽、开关于扰ＣＭＯＳ传输门，如图１所示。它的导通电阻Ｒ。。随输入电压Ｖｉ变...     

一种智能功率集成电路隔离技术

本文介绍一种智能功率集成电路（高边ＣＭＯＳ模拟开关）的隔离技术。对除开关管ＶＤＭＯＳ管以外的器件采用自隔离技术，ＶＤＭＯＳ管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁，采用浮阱技术来防止电路闭锁。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

合并互补BiCMOS集成电路的研究

分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

具有优良性能的MCBiCMOS IC结构

本文分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对ＭＣＢｉＣＭＯＳ集成电路结构的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明：ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单；芯片面积小；工作速度高，负载能力强和低压工作性能好等优点。     

高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。     

发展中的BiCMOS技术

集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其典型应用，同时还介绍了最新发展的低温ＢｉＣＭＯＳ技术和面临的关键问题。     

BiCMOS直流开关型变换器集成模块的CAD设计

讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关型变换器集成模块输出电压稳定、纹波小、工作频率高、功耗低，且体积小。     

全耗尽SOI MOSFET及CMOS／SOI电路的研究

采用ＳＩＭＯＸ材料，研制了一种全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ模拟开关电路，研究了全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳ场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系，对漏源击穿的Ｓｎａｐｂａｃｋ特性进行分析，介绍了薄层ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ制作工艺，给出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的测试结果。     

BiCMOS例相器延迟特性的计算与分析

本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式，结果表明该模型具有近似于ＳＰＩＣＥ数值模拟精度，为各类高性能ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计与分析提供了理论依据．     

一种BiCMOS基准源及其应用

本文分析了ＭＯＳ晶体管的温度特性及其对器件参数的影响，提出了一种ＢｉＣＭＯＳ基准源，它使器件具有良好的温度特性和抗干扰能力。还对具体应用电路的工作原理作了简单的介绍，分析了电路的温度性能及抗干扰能力，并给出应用结果。     

半导体和IC

ＢｉＣＭＯＳ５Ｖ离线电源控制器查询号２３１Ｕｎｉｔｒｏｄｅ公司推出ＢＩＣＭＯＳ５Ｖ离线电源控制器。这种ＵＣＣ３８８８控制器的输入范围宽达１００ＶＤＣ～４００ＶＤＣ，在功率为１～２Ｗ时的输出为５ＶＤＣ。它采用独特的电路结构，因而只需一个开关 与低端相连接。三个二极管构成其他有源器件。ＵＣＣ３８８８可直接连接到整流的ＡＣ电源。２个表面贴装电感器是唯一的磁性元件。它非常适用于使用次级开关稳压器的启动电源。 该控制器采用８脚塑料ＳＯＩＣ和ＤＩＬ封装，温度范围为０℃～＋７０℃。在购买１０００个时，售价…     

BiCMOS倒相器延迟特性的计算与分析

本对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入，大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式，结果表明该模型具有近似于ＳＰＩＣＥ数值模拟精度，为各类高性能ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计与分析提供了理论依据。     

GaAs单刀双掷开关

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ推出了低功耗、小型ＳＯＴ塑封的ＧａＡｓ单刀双掷开关,它的工作频率覆盖了直流至３ＧＨｚ的范围。其中,ＳＷ-４３７型ＭＭＩＣ反射式开关采用超小型ＳＯＴ-３６３封装;ＳＷ-４４２型终端开关采用ＳＯＴ-２６封装。它们的共同特点是插入损耗低、隔离效果好,特别适合于便携式双波段电话使用。也可用于ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＧＳＭ以及宽带ＣＤＭＡ通信系统。GaAs单刀双掷开关     

PASC在DCC中的应用

ＰＡＳＣ在ＤＣＣ中的应用苏州电视机厂傅言宁一、前言在现今的国际市场上，荷兰ＰＨＩＬＩＰＳ的ＤＣＣ（数字盒式录音机）与日本ＳＯＮＹ的ＭＤ（微型唱碟）的竞争愈演愈烈，音乐软件公司Ｐｏｌｙｇｒａｍ、ＢＭＧ、ＥＭＩ、ＭＣＡ、ＣＢＳ／ＳＯＮＹ等纷纷加入竞争的行...     

模拟开关型R—S触发器

模拟开关型Ｒ┐Ｓ触发器田凌生（山东省科学院自动化研究所，济南，２５００１４）ＣＭＯＳ模拟开关是数字电路的重要组成部分。当实际应用它们时，有可能只用一片中的部分开关。如果将其所剩开关设计成其它所需要的电路，就会减小所用器件，降低成本。下面就介绍ＣＤ４０...