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物理技术与方法在溶致液晶结构研究中的应用 总被引:5,自引:2,他引:5
现代物理技术与方法的发展为液晶科学的研究提供了丰富的手段。文章介绍了在溶致液晶研究中的一些常用物理技术与方法如偏光显微镜、量热法、X射线,同时重点介绍了一些新兴的非常规研究手段诸如中子散射技术、光谱技术、电子显微镜、扫描探针显微镜(扫描隧道显微镜、原子力显微镜)。并对诸多技术与方法近年来在国内外的应用进展做了简单介绍,且对各种技术与方法的优缺点进行了类比。 相似文献
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David Lammers 《集成电路应用》2009,(Z1)
在一篇延期提交到2008国际电子器件会议(IEDM)的论文中,来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台,并介绍了基于锑化铟(InSb)的pFET,其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片,此外其他几家逻辑器件供应商也介绍了他们最先进的工艺技术。 相似文献