GZ—1—B型中波广播发射机音频放大负反馈电路简单分析

我台使用的GZ-1-B型中波广播发射机音频放大电路由三级放大电路组成，这三级电压放大电路为减小非线性失真，改善频响特性，减小寄生调制，除采用推挽放大电路外还采用了负反馈电路，这些电路的采用，都为改善放大器各项指标得到保证。1 由音频放大器第二级的输出端至音频第一放大器输入之间的反馈电路如图1所示 ：图1反馈电路由9R20、9R3、9C8组成，此电压串联负反馈电路特点是：能够在如电子管内阻、放大因数或输出端负载发生变化时，能自动调节输入电压，使输出稳定。但此时，反馈电路系统由于引入了电抗元件，在信号高频段和低频段就…     

弹光调制高压谐振电路设计

针对弹光调制需要高Q值、高电压、高稳定性驱动电路的特点,设计了一种基于LC谐振升压原理的高压驱动电路,该电路主要由输入波形转换电路、功率放大电路、充放电回路、阻抗匹配电路和反馈信号采集电路组成。采用低磁导率磁芯制作的高品质因数电感,使电路在输出高电压的同时,降低了对直流电源电压的要求。实验结果表明:在弹光调制干涉具谐振频率50.04 kHz下,谐振电路的输出电压在0~1200 VP-P可调,所需直流电源电压最大幅值为29 V。电路具有较强的带负载能力,可以满足弹光调制晶体的驱动需求。     

高电压检测电路的设计

近年来,电路的工作电压不断降低,但仍有一些电路的工作电压是9V、12V、15V少数还有18V或24V。由于电压检测器大部分电压在6V以下(6V以上有少数品种),如何对这些高电压进行检测呢?Seikc公司介绍了两种高电压检测电路,可以采用6V以下的电压检测器加上其它元器件组成的电路来对高于6V的电压进行检测。     

一种高速低功耗EPROM读写电路

本文主要介绍一种高速低功耗ＥＰＲＯＭ读写电路，包括ＥＰＲＯＭ单元管、读写电路，以及产生写ＥＰＲＯＭ所需高电压的高电压发生器，并着重分析了ＥＰＲＯＭ读写电路低功耗的特点。     

一个高性能带隙基准电压源的设计

设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源.该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性;采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力.结果表明,电路温度系数为3.3 ppm/℃,在电源电压2.7～3.6 V范围内输出仅变化18 μV左右.     

卫星数字接收机电源电路的检修

卫星数字接收机的电源电路，大都采用TOP系列开关电源专用集成电路。该电源电路的特点是线路简单、输入电压范围宽、性能稳定、检修维护方便。但是，由于TOP系列开关电源有其自身的特点，其功率器件又工作在高频率、高电压的状态，所以在电源电路出现故障，进行分析判断和检修时，又有许多与其它开关电源不同的地方。下面就以DSD660型卫星数字接收机为例，介绍TOP系列开关电源的工作原理和常见故障的检修。     

精巧推进村田制作所在移动设备用的多层功率电感

移动设备里供电电路的工作电压随着产品附加功能而多元化，例如移动电话同时供电给LCD驱动、功放和基带IC，但供电电路的电压是各不相同的，因此供电电路需要把电池电压转换成各个电路工作电压。同时供电电路要求的工作电压变得越来越低、越来越精确。所以极小的电压波动都会给设备带来比较高的故障率。     

常用数字万用表的检修问答

winner1222：我们常用的万用表基本都是以7106为核心做的，如830、9205、9208等表。很多厂家在设计电路时会考虑对7106采用适当的保护措施，如在电路中的IN＋与地之间接一个三极管，将电压限制在1V以内。如果出现误操作导致高电压进入，这个三极管将被击穿短路，避免7106损坏。如果发现万用表在电压挡一直显示DV的话，就检查这部分电路。芯片损坏的几率还是比较小的，     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

实用电压测量电路的设计

对电压测量电路的基本要求是其应具有高输入阻抗,文章设计了几种实用的电压测量电路,即场效应管差分式电路、高阻型集成运放构成的电路、高稳定度与高增益集成运放构成的电路.这些电压测量电路具有很高的输入阻抗,因而可有效地减小测量误差,提高准确度.     

一种低压CMOS LDO稳压电源电路

提出了一种低压CMOS LDO稳压电源电路。与常规CMOS LDO稳压电源电路相比,该电路有两个主要特点:引入了低压带隙基准电路;将带隙基准电路置于串联稳压管后端。通过上述设计,提出的稳压电源电路能在输出电压较低的情况下提供较稳定的输出,同时也能提供稳定的偏置电压及具有较高PSRR的基准输出。对电路进行了仿真,并给出了仿真结果。     

基于新型启动电路的高电源抑制带隙基准源

设计了一种基于新型启动电路的高电源抑制(PSR)的带隙基准电压源。启动电路可以在300ns的时间内使电路进入工作状态,同时可在10ns的时间内完全关断电路。可控的启动电路增加了电路使用的灵活性。本基准电路基于新加坡Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,已应用于射频调谐器当中。测试结果表明,基准电压源在低频段的电源抑制PSR≈123dB,高频段PSR>50dB,电路采用一阶温度补偿技术,在0～100℃的温度范围内输出基准电压的温度系数(TC)约为12ppm/℃。     

一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

带隙基准电压源是利用PN结电压的负温度系数和不同电流密度下两个PN结电压差的正温度系数电压相互补偿,而使输出电压达到很低的温度漂移。带隙电压基准具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压以及长期稳定性等优点。根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用一级温度补偿、电流反馈等技术,设计出了一种高精度、输出可调的带隙电压基准源。该电路具有精度高,输出电压可调,稳定性好,易于实现的特点。     

一种结构新颖的CMOS带隙基准源

为了简化可变参考电压电路结构,并且降低该参考电压的温度系数,讨论了一种输出可调节的CMOS带隙基准电路。该电路在传统带隙基准电路的基础上增加了一个运算放大器。可以通过调整电阻值来分别调节电流与VBE和VT的比例关系,从而得到任意输出电压的带隙基准源。此外,为了使带隙基准电路能够正常工作,设计了启动电路。通过仔细设计版图和增加电路结构,提高了电路的性能。HSPICE模拟和测试结果表明,所设计的电路具有较高的电源抑制比和良好的温度特性。     

LED显示屏的恒流驱动电路的设计

介绍了一种LED显示屏的恒流驱动电路,该电路包括输出控制部分电源电压的低压差线性稳压器、产生多路基准电压的带隙基准电压源、误差放大器、缓冲器、多个大功率MOS管以及取样MOS管五个部分,并且重点介绍了其中的低压差线性稳压器和带隙基准电压源的具体实现电路,能够更好的减少振荡,提高精度。通过上述恒流驱动电路为多路LED提供恒定的0.4V的驱动电流。     

基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计

设计了一种带温度补偿的无运放低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术,通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路,基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0.5μmCMOS N阱工艺条件下,采用spectre进行模拟验证。仿真结果表明,在3.3V条件下,在-20～100℃范围内,带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6ppm/℃和37.8ppm/℃,直流时的电源抑制比为-68dB,基准源电路的供电电压范围为2.2～4.5V。     

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～＋120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。     

指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源设计

利用双极型管电流增益的温度特性,采用UMC0.6μm BiCMOS工艺设计了一款指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源。测试结果表明:温度在10°C～100°C之间变化,带隙基准电压随温度变化最大偏移为2.5mV;电源电压在2.5～5.0V之间变化,带隙基准电压随电源电压直流变化最大偏移为0.95mV。该带隙基准电压具有较高的温度稳定性和电压稳定性。     

用于高分辨率ADC的高精度可编程带隙电压参考设计

A programmable high precision bandgap reference is presented, which can meet the accuracy requirements for all technology corners while a traditional bandgap reference cannot.This design uses SMIC 0.18 μm 1P4M CMOS technology.The theoretically achievable temperature coefficient is close to 0.69 ppm/°C over the whole temperature range.     

一款新颖的带隙基准电压源设计

基于TSMC0.5 μm CMOS工艺,设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比,该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿,设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为13.2×10^-6/℃,低频时的电源抑制为-98 dB,静态工作电流为3 μA。