4～6毫米波段GaAs混频二极管

考虑了混频二极管串联电阻、结电容、变频损耗、噪声温度等在毫米波段下的变化,进行了计算机辅助设计.制成了4～6毫米波段Nb-Mo/GaAs合金型肖特基势垒,微型管壳封装的混频二极管.二极管参数的最佳值是正向I-V特性n因子1.09,串联电阻1.6Ω,结电容0.03～0.04pF,69GHz测试变频损耗小于5.0dB,整机噪声系数低于6.5dB(包括中放1.5dB).     

GaAs低噪声混频二极管串联电阻的研究

本文论述了混频二极管的关键参数之一——串联电阻对器件微波参数的重要影响;较详细地叙述和计算了影响串联电阻r_s的各种主要因素。叙述了为减小串联电阻所采取的工艺方法和措施,列出了实验结果。势垒直径φ=6μm,串联电阻最小值为1Ω,典型值为1.4Ω。器件在兄弟单位整机中使用效果良好。     

性能优于肖特基二极管的极性保护器

图1所示的极性保护电路是一种高性能电路,可替代普通的串联二极管(常常是肖特基二极管).这一电路引起的电压降比性能最好的肖特基二极管还要小很多.该电路之所以使用MOSFET,是因为MOSFET的导通电阻很小.本设计所用的两只MOSFET,其导通电阻加起来才0.013Ω,在使用10A负载的情况下,其电压降在25℃下为0.13V.     

用变温法测量RTD串联电阻

用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数.与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值.为了便于对比,设计并研制了两种发射极面积的RTD器件,经测量发现,发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响.对其产生原因进行了详细的分析,为RTD在高频电路中的应用奠定了基础.     

GaAs混频二极管的设计和制作

GaAs混频二极管是制作混频器的关键器件,从GaAs混频二极管的工作原理出发简述了其参数设计和典型制作工艺.介绍了GaAs混频二极管的主要性能:击穿电压VBR≥4 V,零偏压结电容0.1～0.15 pF,串联电阻Rs≤3Ω,整机噪声系数NF≤5.3 dB.并给出了在8～18 GHz混频器中的使用结果.     

VHF/UHF硅外延电调变容管

本文简述了器件原理,并给出VHF/UHF硅电调变容管的设计结果.WB30系列VHF/UHF硅电调谐变容二极管,其管芯为双外延台式钝化结构,采用金属陶瓷微带管壳封装.制得的器件,其变容比 C_3/C_(25)≥4.5,串联电阻 r≤1.5Ω,截止频率f_c≥12GHz(VHF波段);及r_s≤0.8Ω,f_c≥22GHz(UHF).结果表明WB30型VHF/UHF硅电调变容管已与日本NEC公司的VHF/UHF硅外延平面电调变容管1S2209/1S2208的性能相当.电调变容管的统调特性及其串联电阻直接与电视高频头的增益相关.用WB30型电调变容管制作的UHF频段电视机用高频头——一级高放及一级二极管混频,已获得5～6dB的增益.     

一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值.用此方法对Ni/n-GaN肖特基二极管进行了检测,所有的实验结果与理论分析相符合.实验中确认了在GaN肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在.     

一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值.用此方法对Ni/ n- Ga N肖特基二极管进行了检测,所有的实验结果与理论分析相符合.实验中确认了在Ga N肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在.     

二极管串联不需均压电阻

一般为适应耐压要求,将两个或更多个二极管串联运用时,在各二极管上并联着所谓均压电阻,用以平衡各管所承受的反向电压.笔者根据对两个二极管串联运用时反向电压的分配所作的分析,并参照有关文献关于二极管P-N结击穿损坏的原理,得出结论:二极管串联运用时毋须并接均压电阻.硅二极管通常有如图1所示的反向伏安特性.在     

X波段GaAs单片压控振荡器

<正>本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,