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报道了x=0.214组份、低补偿度(K《1)n-Hg1-xCdxTe晶体在0.3─30K温度范围,0─7T强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果,观测到了磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据,提出:低补偿度、组份:x=0.2附近的n-Hg1-xCdxTe,磁致金属-绝缘体相变(MIT)发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结;发生磁冻结的前提是热冻出(thermal freeze
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研究了Gd_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dT_c/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现T_c的压力导数随着ca ̄(2+)含量的增加而下降,分析了氧含量对T_c和dT_c/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO_2面在超导电性上的作用,用CuO_2面之间耦合解释T_c(P)曲线的非线性关系。 相似文献
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在0.0001-2.4GPa流体静压力范围详细研究了非晶(Fe_xCo_x)_(77.5)Nd_4B_(18.5)(0≤x≤1.0)合金的电阻率与压力的关系,得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分x变化的规律。结果表明:用少量的钴(x=0.2)替代铁,不会影响其硬磁性和热稳定性,同时却可减小电阻率的压力系数,从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在0.51GPa保压3-24b的结构弛豫,进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分x的依赖关系。 相似文献
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使用分子束外延方法生长了一种新的基于Siδ掺杂的AlxGa_1-xAs/GaAs异质结,测量了0.3-30K低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Hall电阻,磁阻的Shubni-kov-deHass(SdH)振荡非常明显。对振荡曲线作快速Fourier变换分析,获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量(m_0/m_0=0.073,m_1/m_0=0.068).随温度降低,子带上占据的电子增多,实验中发现:当样品温度为0.3K,横向磁场从0到7T扫描时,磁阻振荡出现间歇性的反常峰,磁阻振幅陡然增大5-6倍。 相似文献
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用非极性喇曼散射光谱研究了混晶(Rb_xK_(1-x))_2SnCl_6性质随组份(0<x<1)及温度(10K<T<300K)的变化。发现在纯K_2SnCl_6晶体中用Rb ̄+部分替代K ̄+后,将降低原K_2SnCl_6的相变温度Tcl。当混晶中Rb ̄+成份超过极限浓度(x>0.7)后,该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率,随Rb ̄+的增加,向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。 相似文献
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用混溶蒸发法制备出高聚物(PEO)_n-CuBr_2(n=4,8,12,16,24)薄膜。并详细测量它们在0.1350MPa静水压范围的复阻抗谱,以及在0.1-2400MPa静水压范围的交流电导率。结果表明:离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据X射线衍射物相分析,它们分别归于PEO非晶相的压力效应,PEO结晶相的压力效应和析出新相CuBr_2的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加(PEO)_n-CuBr_2薄膜的弹性,使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。 相似文献
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在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa_2Cu_3O_(7-δ)和Y_(0.9)Eu_(0.1)Ba_2·Cu_3O_(7-δ)样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),J_c(T)和U_(ef_f)(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa_2Cu_3O_(7-δ)相比,Y_(0.9)Eu_(0.1)·Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 相似文献
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采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ge_xSi_(1-x)合金,根据总能最小原则计算了Ge_xSi_(1-x)合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,Ge_xSi_(1-x)合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得很好.原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小,对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序. 相似文献
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本文介绍以拉曼峰强为分子晶体相变有序度的概念,并以KH_(1-x)D_(x)F_2和K_(1-x)Na_(x)F_2为例说明晶格振动模在相变过程中的临界性质可以因此得到。晶格振动模的临界性质反映着掺杂体系的丰富信息。 相似文献
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用非极性喇曼散射光谱研究了混晶(RbxK1-x)2SnCl6性质随组份(0〈x〈1)及温度(10K〈T〈300K)的变化,发现在纯K2SnCl6晶体中用Rb^+部分替代K^+后,将降低原K2SnCl6的相变温度Tcl。当混晶中Rb^+成份超过极限浓度(x〉0.7)后,该相变就被抑制,不同组份样品的同一喇曼模频率,随Rb^+的增加,向低频方向移动,用平均力常数拟合给出很好的理论解释。 相似文献
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本文用喇曼散射的方法研究了六氯锡化钾铵混晶系列样品[(NN_4)_xK_(1-x)]_2SnCl_5(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0,3,1)从室温到77K的行为,首先观察到了其外振动模的双模行为,并且还发现了其一内模T_(2gint)的宽度随铵离子浓度x的增加而增加,相变温度Tc却随铵离子浓度的增加而迅速下降,下降速率约为dT_c/dx=-600K/mol,这一行为是由于正四面体的NH_4 ̄+离子对正八面体的SnCl_6 ̄(2-)离子团的转动产生阻碍而引起。内模T_(2gint)的宽度变化也是由于铵离子的转动影响以及由它引起的晶格畸变所导致。双模行为来自于强烈的集团效应。 相似文献
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研究了La2-xSrxCu1-yFeyO4(x=0.13,0.15,0.17和y=0.0,0.002,0.004,0.006)多晶样品在不同磁场下(H=1,3和5T)正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.结果表明,不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为.随着Fe掺杂量的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度随Fe掺杂含量的变化而变化.这表明载流子浓度是影响超导的重要因素.对Fe掺杂样品,其正常态直流磁化率与温度的关系可以用X=a+bT+c/(T-T0)很好的表示.我们认为,其中a+bT项是带Pauli顺磁的贡献.对同一掺Fe样品,增加外磁场时,居里常数c增大而常数项a减小.这是由于在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbard带),它是导致居里顺磁的原因.增加磁场时它往高能方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的杂化带,导致每个Cu离子的磁矩增大,而带的Fermi面电子态度减小.我们的实验结果也表明,超导电性与能带结构密切相关. 相似文献
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采用固态反应法制备了(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3Gax/3)O3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30)体系的系列样品。通过系统地测量其零场和1.6特斯拉(T)磁场下样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随Ga^3+替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为,上述结果是由于Ga^3 相似文献