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B4C超细粉末的制备及烧结 总被引:10,自引:0,他引:10
采用气流粉碎对B4C粗粉(比表面积0.52m^2/g,中位粒径20.4μm)进行了一系列粉碎实验,研究了气流粉碎次数,成形压力和烧结温度对烧结密度的影响。结果表明,当粉碎次数达到3次后,可获得<1μm的B4C超细粉末。经过4次气流粉碎的B4C超细粉末的比表面积为2.53m^2/g,中位粒径为0.56μm;该粉末分别于2200和2250℃无压烧结1h,其烧结密度分别达到理论密度的78.6% 82.5%,平均晶粒尺寸分别为28和50μm,抗压强度分别为390和555MPa。 相似文献
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气流粉碎B4C粉末的掺碳活化烧结研究 总被引:2,自引:0,他引:2
开展了气流粉碎B4C粉末(比表面积2.53m2/g)的掺碳烧结实验,研究了掺碳剂种类、掺碳量、烧结温度、比表面积等对B4C烧结密度的影响.结果表明,掺碳显著促进B4C的烧结;在炭黑、葡萄糖和酚醛树酯三种掺碳剂中,掺入酚醛树酯可以获得最高的烧结密度;并且最佳的掺碳量为3%-5%C.B4C 3%C(酚醛树酯)分别经2200和2250℃烧结后的密度为92.1%TD和94.4%TD.若采用振动球磨B4C粉末(8.30m2/g)进行掺碳烧结实验,则可使2200℃的烧结密度提高到95.6%TD. 相似文献
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由聚碳硅烷生成纳米SiC颗粒增强B4C基复相陶瓷的结构与性能 总被引:7,自引:0,他引:7
制备了由聚碳硅烷(PCS)为先驱体裂解形成的纳米SiC增强的B4C基复合材料,并与直接球磨混合法制备的纳米SiC增强的B4C基复合材料进行了对比研究。实验结果表明,先驱体法制备的复合材料形成一种复杂的晶内/晶间结构;B4C内部的纳米SiC和Al2O3内部的少量纳米SiC、晶界处的层片状SiC、B4C晶粒内部的SiC亚晶界结构。材料的断裂方式以穿晶断裂为主,形成晶内裂纹扩展路径,增强了材料的韧性,采用PCS为先驱体工艺制备高性能的纳米复相陶瓷,其组织均匀性、致密度和力学性能均优于直接机械混合制备的纳米复合材料。 相似文献
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碳化硅陶瓷以其优异的性能被广泛利用于各种领域,但其脆性限制了其性能的发挥,因此其增韧技术得到广泛研究并取得良好效果。综合评述了碳化硅陶瓷增韧机理和增韧方法的研究进展,包括晶须或纤维增韧、颗粒弥散增韧、表面改性技术增韧、自增韧、层状结构复合增韧的增韧机理和方法进。 相似文献
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六硼化硅(SiB6)添加剂对B4C陶瓷致密化与力学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用热压烧结(2000℃保温1h)制备了添加2wt%和5wt%SiB6的B4C陶瓷,研究了SiB6不同添加量对B4C陶瓷致密化和力学性能的影响.结果表明: SiB6能有效地促进B4C的烧结,并有助于提高材料的力学性能. SiB6的添加量为2wt%时,B4C陶瓷的块体密度为2.515g/cm3,是理论密度的99.5%,抗折强度和硬度分别达到426.6MPa和31.2GPa. SiB6添加量增加为5wt%时,材料的密度为2.500g/cm3,强度和硬度分别下降为387MPa和29.7GPa.不同添加量对B4C陶瓷的断裂韧性的影响不明显,添加2wt%和5wt%SiB6的B4C陶瓷的K1C分别为3.20和3.28MPa·m1/2.文中还对烧结样品的物相和影响力学性能的原因进行了讨论. 相似文献
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增强韧性成为Al2O3等结构陶瓷材料研究领域的摘要氧化铝陶瓷材料的脆性极大地限制了该项材料的推广及应用。核心与热点问题。详细探讨了近年来氧化铝陶瓷材料增韧技术的研究现状。 相似文献
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采用浆料法结合真空浸渗工艺, 制备了二维(2D)石英纤维增强多孔Si3N4-SiO2基复合材料。采用X射线衍射技术就粘结剂种类和氮化硅的加入对材料析晶性能的影响进行了分析, 采用扫描电镜对不同浸渗次数复合材料的截面和断口形貌进行了观察, 并采用裂纹偏转因子对复合材料断裂模式进行了分析。结果表明, 粘结剂中杂质Na+促进了石英析晶, 而Si3N4对石英析晶影响不大。增加浸渗次数虽不能有效提高复合材料强度, 但却使裂纹偏转因子变小, 断裂模式由韧性断裂向脆性断裂转变, 断口形貌由纤维成束拔出变为多级拔出。 相似文献
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氧化硼掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷致密化及介电性 总被引:2,自引:1,他引:2
研究了氧化硼(B2O3)掺杂量及烧结温度对钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,x=0~0.4)致密化行为及其微观组织的影响,确定了不同成分钛酸锶钡中氧化硼掺杂量.随后,采用一系列Ba1-xSrxTiO3掺杂粉体,烧结制备了钛酸锶钡梯度陶瓷,并测试了其介电性能.结果表明,钛酸锶钡掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度,在1300℃即可烧结致密化,比未掺杂相同成分的钛酸锶钡陶瓷烧结温度至少降低100℃;烧结后各成分单层陶瓷与梯度陶瓷介电性能随温度的变化表明,梯度组成陶瓷的居里峰温度区间显著展宽,大大降低了该温区的介温系数,可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性。 相似文献