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相似文献
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1.
研究了纳米γ-Al2O3粉末对化铝纤维烧结行为的影响,在纤维挤在坟成型过程中,纳米粉体填入到微米颗粒形成的孔隙中,当另入量为40wt%时,纤维素相对密度由65%提高到80%,由于成型密度高、气孔分布窄、孔径小而有利于烧结,在较低的烧结温度下可以达到理论密度,全部采用纳米γ-Al2O3粉挤压纤维烧结后具肋交大的径向收缩率,在1200℃烧结即可达到完全致密。  相似文献   

2.
高温等静压烧结Al2O3-ZrO2纳米陶瓷   总被引:7,自引:0,他引:7  
本工作用化学共沉淀法制备了平均晶粒尺寸约20mm的20mol%Al2O3-ZrO2复合粉体,不含有Y2O3作为四方氧化锆的稳定剂,粉体的煅烧温度为750℃,XRD结果表明,粉体中含100%立方氧化锆相,未发现有Al2O3结晶相存在。该粉体用高温等静压方法,在1000℃和200MPa的条件下烧结1h,得到了平均尺寸为50nm的致密陶瓷,样品密度为密度的98%左右。  相似文献   

3.
微波烧结和常压烧结对Al2O3-ZrO2陶瓷磨损行为的影响   总被引:5,自引:1,他引:5  
采用多模微波烧结系统和常压烧结,对Al2O3-ZrO2复合材料的基本性能进行了研究,提出了相关的磨损机理,与常压烧相比,微波烧结可以提高ZTA陶瓷的密度,强度和韧,使其结构均匀,耐磨性提高,常压吉样品的磨损主要是晶粒铲平,磨屑填充体内气孔形成光滑的磨损界面;而向波烧结ZTA陶瓷主要是界面晶粒剥离脱落磨损,载荷的增加使磨损量增大。  相似文献   

4.
β-Si3N4粉末烧结及其显微结构形成   总被引:7,自引:0,他引:7  
由β-Si3N4粉末通过一定的工艺条件得到致密的氮化硅陶瓷,试样的显微结构为短柱状和等轴状颗粒交织排列而成的均匀结构。材料的烧结过程分为重排晶形转变、晶粒生长三个阶段,随烧结时间增加,烧结试样的显微结构开始阶段变化很明显,2h后结构比较稳定,温度升高有利于柱状颗粒长径比的提高,添加剂量的增加使显微结构粗化。  相似文献   

5.
Naβ/β″-Al2O3膜的制备与电学性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过MgAl2O4-α-Al2O3复合相陶瓷基体与Li2O,Na2O气氛的反应制备了Li2O和MgO共同稳定的Naβ/β″-Al2O3膜,相分析的结果表明,反应温度是决定膜中β/β″Al2O3相形成速率的主要因素,当温度低于1100℃时,α-Al2O3基体不能转化为β/β″-Al2O3基体中的MgAl2O4可以促进膜的形成,并降低膜的形成温度,交流复阻抗谱和四极法测量的结果表明,复合基体表面形成的  相似文献   

6.
本工作研究了β″-Al2O3陶瓷压人料的化学组成,制备方法对其密度1电导及显微结构的影响。  相似文献   

7.
本文研究了分散剂种类数量、pH值等对大颗粒α-Al2O3陶瓷浆料稳定性的影响,得到了具有一定的粘度和流动性适于制备α-Al2O3陶瓷膜管的稳定浆料。  相似文献   

8.
部分合成法制备Na—β″—Al2O3陶瓷   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了Na-β″-Al2O3陶瓷管制备的部分合成法,制备的β″-Al2O3管比用反应烧结法具有更均匀的显微结构,主要性能达到国际先进水平。  相似文献   

9.
Al2O3和Y2O3包覆的SiC复合粒子制备   总被引:9,自引:0,他引:9  
本文利用非均匀成核法,将Al(OH)3和Y(OH)3均匀地包覆在SiC粒子表面,制备出被覆Al2O3和Y2O的SiC复合粒子,包覆Al(OH)3的SiC粒子,其等电点IEP的pH=3.4移至pH=7.3,再用Y(OH)3包覆表面被覆Al(OH)3的SiC复合粒子后,其等电点IEP又从pH=7.3移至pH=8.6dadk。  相似文献   

10.
Al2O3—TiC—Co与Al2O3—TiC陶瓷冲蚀磨损行为的比较研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过特殊的化学处理方法,完成了对Al2O3及TiC陶瓷粉末的钴包覆,将包覆后的两种粉安70wt%Al2O3-Co和30wt%TiC-Co的比例混合烧结出硬度和韧性都较理想的Al2O3-TiC-Co(ATC)精细陶瓷,通过SEM观察研究其冲饥蚀磨损行为,并对AT30(70wt%Al2O3-30wt%TiC)和ATC陶瓷的冲蚀行为机制进行了比较研究,与AT30陶瓷相比,ATC陶瓷良好的综合力学性能和细  相似文献   

11.
TiO2和MgO微量添加剂对Al2O3陶瓷烧结致密化的影响   总被引:10,自引:0,他引:10  
通过在氧化名中添加微量氧化钛和氧化镁,利用无压烧结工艺,制备了具有明显各向异性晶粒的氧化铝块材,研究了氧化钛、氧化镁的添加量和烧结温度对材料显微结构和致密度的影响,与单纯添加氧化钛的氧化铝材料相比,氧化镁的加入细化了氧化铝的晶粒,因此,可以通过调整氧化镁的加入量,在保持氧化铝晶粒各向异性形貌的同时,调整晶粒的尺寸,最终得到比较均匀的显微结构。  相似文献   

12.
低温制备纳米α-Al2O3粉体   总被引:12,自引:0,他引:12  
研究了以Al(NO3)3.9H2O和NH3.H2O溶液为原料,采用高纯氧化铝球磨原位引入晶种和添加ZnF2、AlF3的制备工艺,通过提高凝胶中晶种的均匀性和加速相转变时物质的扩散和传输,可降低过渡型氧化铝向α型氧化铝相转变温度,所制铝凝胶经900-920℃煅烧可获得平均粒径<50nm的α型纳米氧化铝。  相似文献   

13.
Al2O3/Ni包裹粉体的制备、烧结行为及其显微结构研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
利用非均相沉淀包裹技术,在铝无机盐溶液中制备出氧化铝前驱体包裹纳米镍颗粒的复合粉体,并通过能量发射能谱(EDS)以及俄歇电子能谱(AES)研究包裹粉体的成分构成,发现镍纳米颗料表面均匀地包裹一层氧化铝的前驱体。燃烧后的包裹粉体在氩气氛中进行热压烧结。结果表明,与溶胶-凝胶法制备的粉体相比,包裹粉体可以在较低的温度下达到致密化,烧结后的材料其显微结构明显不同于环磨粉体烧成的材料,否认在氧化铝晶界或晶内,镍颗粒与氧化铝之间都有孔隙,这是由于镍的热膨胀系数与氧化铝的热膨胀系数大引起的,Al2O3/Ni复合材料的断裂方式以及沿晶断裂为主。  相似文献   

14.
二步煅烧法制备超细α-Al2O3   总被引:8,自引:0,他引:8  
经由二步煅烧法制备了超细α-Al2O3粉。XRD分析说明所制备的粉是α相,TEM观察到其一次粒子尺寸在80~100nm间,形貌较规则。  相似文献   

15.
本文介绍了用化学共沉淀和在适当温度下煅烧以直接制备YAG-Al2O3纳纳米复合粉体的新方法。XRD结果表明,所得粉体具纯的YAG和α-Al2O3相,因此其化学组成符合配料的组分设计,用本方法制备的25vol%YAG-Al2O3复合粉体经热压烧结,所得的致0密体材料为晶内型纳米复合材料,其抗弯强度达612MPa,断裂韧性为4.54MPam^-1/2,都比单相Al2O3陶瓷有大幅度提高。  相似文献   

16.
晶内型Al2O3—SiC纳米复合陶瓷的制备   总被引:31,自引:5,他引:31  
研究了沉淀法制备Al2O3-SiC纳米复合陶瓷的工艺过程,利用Al2O3从γ相到α相的蠕虫状生长过程,使大部分纳米SiC颗粒位于Al2O3晶粒内,用沉淀法制得的、含有5vol%SiC的Al2O3-SiC纳米复合陶瓷,其强度为467MPa,韧性为4.7MPa.m^1/2,与一般的Al2O3陶瓷相比有较大的提高,显示了沉淀法制备Al2O3-SiC纳米复合陶瓷的优点。  相似文献   

17.
Tiron对纳米Al2O3悬浮液性能的影响   总被引:10,自引:0,他引:10  
以1,2-二羟基苯-3,5-二磺酸钠(Tiron)为分散剂获得了平均粒径约为57nm的氧化铝粉体的稳定悬浮液。通过测定等温吸附曲线及悬浮液的Zeta电位,研究了Tiron对粉体表面特性的影响。结果表明,Tiron在Al2O3表面发生化学吸附,磺酸基的离解使胶粒表面电荷更负,显著提高颗粒表面的带电量,从而改善浆料的稳定性。FTIR研究表明:Tiron分子结构中两个相邻羟基与Al-OH形成内环结构,从而提高了吸附强度。流变测试确定了制备在含量稳定浆料在pH=8.5时所需的最佳分散剂用量为0.8wt%。  相似文献   

18.
Y-TZP/Al2O3复相陶瓷的液相烧结及显微结构   总被引:8,自引:1,他引:7  
通过在Y-TZP/Al2O3复相陶瓷材料中加入一定的添加剂,可以使其在较低的温度下进行液相烧结,使材料的烧结温度大幅度降低.由于液相的存在,氧化锆晶粒较细,而氧化铝晶粒可以借助液相发育成长柱状,这种形状的晶粒有利于陶瓷材料的力学性能,复相材料仍然保持较高的强度和断裂韧性.  相似文献   

19.
反应烧结法制备Na-β”-Al2O3   总被引:1,自引:1,他引:1  
研究了Na-β"-Al2O3陶瓷管制备的反应烧结法,即在900℃分解初始组成,而后快速反应烧结和分阶段退火转相的工艺.制备的Na-β"-Al2O3管具有良好的性能,双重显微结构也在一定程度上得到控制.  相似文献   

20.
添加Y2O3-Dy2O3的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文探索了以自蔓延高温(SHS)法合成并经抗水化处理的AlN粉为原料,以Y2O3-Dy2O3作为助烧结剂的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构,结果表明,晶界处存在Dy4Al2O9、Y3Al2O9、DyAlO3、Dy2O3和DyN等第二相物质,随烧结温度变化,第二相的种类、数量和分布不同,显微结构也随之变化,从而影响AlN的热导率,在1850℃下,可获得热导率为148W/m·K的AlN陶瓷。  相似文献   

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