离子层气相反应法制备CulnS2半导体薄膜

以CH3CH2OH为溶剂，CuCl和InCl3为反应物，H2S为硫源，用离子层气相反应法制备了CulnS2半导体薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征。分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比【Cu】／[In】对薄膜化学计量及性能的影响。[Cu]／[In]〉／1、25时，可获得黄铜矿结构的CulnS2薄膜，其单相形成区外【Cu】／叫为1．45-1．65。     

离子层气相反应法制备CuInS2半导体薄膜

以CH3CH2OH为溶剂,CuCl和InCl3为反应物,H2S为硫源,用离子层气相反应法制备了CuInS2半导体薄膜.用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜和紫外-可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征.分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比[Cu]/[In]对薄膜化学计量及性能的影响.[Cu]/[In]≥1.25时,可获得黄铜矿结构的CuInS2薄膜,其单相形成区外[Cu]/[In]为1.45～1.65.     

浸渍法制备铜离子半定量检测试纸

以Cu2+与1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚(PAN)的显色反应为基础,在中速定性滤纸上制备了适于水溶液中Cu2+快速检测的试纸条。试纸颜色随样品中Cu2+浓度的增加从黄变化到橙红再到紫色。考察了试纸制备过程中增溶剂类型、p H、显色剂浓度、反应时间等影响检测灵敏度的因素。优化条件下,该试纸可实现模拟水体中Cu2+的半定量测定。     

浸渍法在制备薄膜中的应用

近几年来,随着高科技的发展,薄膜技术已成为一门综合性的应用科学。本文介绍了制备薄膜的液相法-浸渍法的原理、特点以及影响薄膜厚度的因素,并举例说明了此法在制备薄膜中的应用及需要注意的问题。     

连续离子层吸附反应(SILAR)法制备纳米Cu_2O薄膜

采用低温液相薄膜制备工艺--连续离子层吸附反应(SILAR)法,在玻璃衬底上制备了纳米Cu2O薄膜,考察了工艺参数对薄膜质量和薄膜表面形貌的影响,对薄膜的生长速率与反应溶液浓度、反应温度以及循环次数的关系进行了研究和分析。结果表明,采用连续离子层吸附反应(SILAR)法有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜,连续离子层吸附反应(SILAR)法可以有效去掉疏松的离子,每次循环吸附反应都能使紧密吸附的离子转化成致密的纳米Cu2O薄膜,这样既有利于纳米Cu2O颗粒的生成,同时减少了污染和降低了成本。试验表明,制备纳米Cu2O薄膜的最佳反应温度为70℃,最佳反应溶液浓度均为1 mol/L,纳米Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数的增加而增加,循环40次可制得厚度为0.38μm的薄膜。经XRD和SEM测试,所制备的薄膜纯度高,表面平整且致密,Cu2O颗粒大小约为100 nm。     

电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜

本文报道恒电位法在pH为1.35的Cu2SO4、SeO2、In2(SO4)3溶液中,在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe2纳米薄膜。研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe2纳米薄膜的影响。扫描电子显微镜（SEM）结果表明,加入络合剂后,电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密。X射线衍射（XRD）分析显示,制备的CuInSe2薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混合物,添加柠檬酸和酒石酸后,衍射峰增强,晶形变好,制备的薄膜颗粒尺寸大小在250nm左右,造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用。     

连续离子层吸附反应法制备(Zn,Cd)S薄膜及其性能

采用液相薄膜制备工艺——连续离子层吸附反应法(successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR),在室温下,使用混合阳离子前驱体于玻璃衬底上制备了(Zn,Cd)S薄膜．采用X射线光电子谱分析薄膜的成分,测定紫外透射光谱,分析不同成分对薄膜光电性能的影响,并使用环境扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察．实验结果表明：SILAR法制备薄膜的生长速率约为3nm／cycle。(Zn,Cd)S薄膜的成分偏离前驱体溶液中的n(Zn)／n(Cd)值,表现为Cd含量偏大,这与CdS和ZnS二者的溶度积不同有关。随着Cd含量的增加,薄膜的透射率和禁带宽度降低,电导率增大。通过控制前驱体混合溶液中不同阳离子间的比例可以得到带宽可调的复合硫化物薄膜。     

溶胶-浸渍提拉法制备ZnO薄膜

利用溶胶-凝胶浸渍提拉法在导电玻璃(FTO)基板上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计对ZnO薄膜的结构、形貌以及透过性能进行了分析.结果表明,当溶胶陈化时间为26h,煅烧温度550℃时,ZnO薄膜呈现棒状颗粒,缺陷密度低,从而使ZnO薄膜具有较高的透过率.     

前体浸渍法制备含铜的介孔材料Cu/MSU-s

采用前体浸渍法向具有强水热稳定性的介孔材料MSU-s中引入了铜离子,制得了含Cu的MSU-s。此外,还分别以浸渍法和直接插入法制备了含铜的MSU-s,利用TG-DTA、XRD以及N2吸附等手段对所制备的Cu/MSU-s的微观结构进行了表征分析。研究结果表明:以前体浸渍法制备Cu/MSU-s时,所需焙烧温度较低,且能更好地保持MSU-s的介孔结构。     

化学气相反应法制备SiC涂层

采用化学气相反应法,以3种不同工艺在C／C复合材料表面制备了SiC涂层,并检测了其抗氧化性能．以工业用Si和辅助剂SiO2为原料,在高温、惰性环境中反应产生SiO蒸气,将其引入反应室与C／C复合材料在不同温度下进行气相反应,在试样表面生成一层致密的SiC涂层。X射线衍射分析表明：涂层是由β-SiC组成。从试样截面的扫描电镜可知：不同工艺制得的SiC涂层界面过渡带颗粒的微观形貌各异。经最优工艺制备的涂层过渡带很窄,有β-SiC纳米晶须生成,且其抗氧化性能最佳。     

铜离子掺杂对二氧化钛薄膜光催化性能的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃表面制备了Cu2 掺杂TiO2复合纳米薄膜.掺杂Cu2 的数量和方式及前驱体对TiO2光催化降解甲基橙有不同程度的影响.当合成TiO2前驱体的原料为Ti(OC4H9)4时,预涂一层质量分数(下同)为1.0%的Cu(CH3COO)2水溶液,可使TiO2光催化氧化活性提高53%,最外层掺入Cu2 会减弱TiO2光催化氧化活性.当TiO2的前驱体为工业偏钛酸时,预涂一层1.0%Cu(CH3COO)2水溶液,仅使TiO2光催化氧化活性提高14%.用X射线衍射对纳米薄膜进行表征.Cu2 掺杂会诱导生成金红石相.     

蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层

研究了基片温度、溅射功率对采用射频溅射沉积在(1102)蓝宝石基片上的CeO2薄膜生长的影响.过低的沉积温度、溅射功率都会导致CeO2薄膜呈[111]取向生长.在基片温度为700～750 ℃,溅射功率为100～150 W,溅射气压为14 Pa下沉积了高质量[00l]取向的CeO2缓冲层.通过X射线衍射和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌.在最优化条件下制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.在CeO2缓冲层上制得的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全[00l]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)为89.5 K,临界电流密度Jc(77 K,0T)约为1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77 K,10 GHz)大约为 0.30 mΩ.     

静电雾化沉积制备PbTiO3薄膜的研究

采用静电雾化沉积技术制备了PbTiO3薄膜,探索了沉积温度和沉积时间对所制备薄膜的结构和形貌的影响.通过调节制备工艺,制备了多孔和致密的PbTiO3薄膜.测试了所制备钛酸铅薄膜的介电频率特性,在100kHz的介电常数和介电损耗分别为222和0.0247.     

非水解溶胶-凝胶法制备TiO2光催化薄膜

以TiCl4为前驱体,无水乙醇为氧供体,聚乙二醇(polyethylene glycol,PEG)为成膜控制剂,通过非水解溶胶-凝胶法制备了TiO2光催化薄膜.应用X射线衍射和热重-差式扫描量热研究了TiO2凝胶在热处理过程中的物相变化.采用场发射扫描电镜和光照甲基橙的降解实验研究了TiCl4浓度和镀膜次数对TiO2薄膜显微结构和光催化活性的影响.结果表明:非水解溶胶-凝胶法制备的TiO2薄膜开始出现金红石相的温度为750 ℃,高于传统水解溶胶-凝胶法制备的薄膜.TiCl4浓度和PEG用量是影响薄膜结构和光催化性能的关键因素.当TiCl4浓度为0.83 mol/L,PEG与TiCl4摩尔比为0.1时,所制备的薄膜是一种晶粒细小且孔隙及孔径分布均匀的多孔膜,这有利于提高薄膜的比表面积,薄膜具有最佳的光催化性能.     

陶瓷薄膜的Sol—Gel法制备

本文从凝胶制备途径,即无机途径和有机途径角度,阐述了各途径溶胶－凝胶化过程的特点以及凝胶膜向陶瓷薄膜转化的过程。     

自组装单层膜技术制备纳米晶态薄膜的研究

自组装单层膜(SAMs)技术是制备纳米尺寸超薄膜材料的一种极具应用前景的新型高效、环境友好的绿色制膜技术。本文首先比较详细地介绍了自组装单层膜技术(SAMs)的发展历程和研究现状,然后对SAMs技术诱导沉积纳米晶态无机薄膜的机理进行了综述,接着比较了SAMs技术与生物矿化的异同,最后对SAMs技术的应用做了一定的展望。