高压直流输电光触发晶闸管反向恢复期保护的研究

高压直流输电晶闸管换流阀,不管是光触发晶闸管换流阀还是电触发晶闸管换流阀．其反向恢复期的保护功能都是一项极为重要的保护。电触发晶闸管和光触发晶闸管在实现这一保护的做法上有较大不同。文中介绍了目前常用的电触发晶闸管的反向恢复期保护方式．并着重对光触发晶闸管的反向恢复期保护进行了研究。     

浅谈晶闸管的保护

1.晶阐管过电压保护 (1)产生过电压的原因 在电路中出现过电压,其值超过晶闸管的阻断电压时,将会使其PN结损坏。过电压是造成晶闸管电路故障的重要原因之一,产生过电压的原因有如下几种: 1)雷击浪涌电压 直击雷和感应雷将在输电线上产生浪涌电压,尽管电网中装有阀形避雷器,但是残余电压仍有可能涌入控制电路并损坏晶闸管。 2)线路谐振产生高压 由于变压器漏电抗和二次侧线圈分布电容的存在,当变压器一次侧接通时,二次侧会产生谐振高电压,其值最大可     

晶闸管的几种实用保护电路

本文叙述晶闸管的过电流保护和过电压保护以及电压和电流上升率的限制。     

一种实效可关断晶闸管过流保护方法

在分析其它电流保护方法的基础上，提出一种实效电流保护新方法即采用对可关断晶闸管阳极电流值及其上升率同时监测分级保护的方法，并对严重故障有预报作用。实验证明，该方法精确、有效而且可靠。     

高压晶闸管的双正斜角造型及表面保护

结合KP9500-55晶闸管的研究课题,对晶闸管的正负斜角、双正斜角等表面造型进行了分析,并结合工厂的生产实践,探讨了应用不同表面造型的可能性。采用由刻槽法获得的双正斜角表面造型,可形成管芯电压合格率稳定在60%～80%之间的生产能力。实验结果表明,采用刻槽方式的双正斜角造型,槽深在片厚的0.60～0.66范围,两次喷腐,表面采用硅橡胶保护,可以制成正反阻断特性接近,电压达到5.5kV的高压晶闸管,值得推广应用于高压器件在研制。     

高压晶闸管触发器

本文详细介绍了一种高压晶闸管计数触发器的工作原理及制造工艺,解决以往触发器输出脉冲上升沿di/dt、dv/dt小,触发功率低,绝缘耐压不高等问题。     

晶闸管阻断恢复期保护定值的研究

为尽可能减少换流阀的换相失败,发挥晶闸管的更大效能,在此介绍了高压直流输电(HVDC)换流阀中晶闸管的阻断恢复期特性,并给出阻断恢复期保护的两种方法及保护定值的选取原则.对于因阻断恢复期保护定值设置不合理而造成部分试验或运行晶闸管的损坏,此处也进行了分析,以增强理解阻断恢复期保护的关键点和必要性.     

大功率晶闸管变流装置的缺支路保护电路

论述了晶闸管大功率变流装置中产生缺支路现象的实质，提出用磁位计检测缺支路信号的方法，研制出简单的缺支路保护电路。实践证明，该电路检测准确，保护可靠。     

BOD在晶闸管过电压保护中的应用研究

本文描述了ＢＯＤ器件的物理结构及特性,论述了ＢＯＤ在晶闸管过电压保护应用中的典型电路设计及参数选择原则,最后通过ＴＣＲ工程具体实例,给出实验结果。     

并联型晶闸管中频电源过压保护新措施

分析了并联逆变型晶闸管中频电源产生中频过电压的原因和目前采用的过电压保护方案的缺点；提出了中频过电压保护新措施，经仿真计算与实验结果表明，新措施对各种原因产生的中频过电压均有抑制作用，且简单实用，效果良好。     

晶闸管直流稳压器的过流和短路保护

尽管功率场效应VDMOS和绝缘栅双极型晶体管IGBT等电力半导体元器件层出不穷，且在电力电子技术领域占据重要位置，晶闸管(可控硅)却因耐高压耐大电流冲击的特性，仍有着稳固的阵地，受到用户的青睐。在摈弃电流采样、放大和执行等多个环节的情况下，将单结晶体管移相触发器中的晶体管误差放大器改为集成运算放大器，就可实现晶闸管直流稳压器的过流及短路保护，简化了电路结构，并提高了整机的稳定可靠性能和AC-DC变换效率。