名义成分为La1.0Ca2.0Mn2O7锰氧化物的压阻效应

 利用低温高压电阻原位测量装置（自箝铍青铜活塞-圆筒式压砧），在0~1.05 GPa静水压力范围内，对以层状钙钛矿结构为主相、名义成分为La_1.0Ca_2.0Mn₂O₇的锰氧化物样品进行了压阻效应研究。实验观测到异常的压阻效应。在低温5~150 K范围内，压力为0.55 GPa时，样品呈现出高达40%的压阻效应，而且，金属-绝缘体相变温度在低压范围内随压力的增加而增加，但随着压力的进一步增加而减小。     

双层钙钛矿锰氧化物Nd2-2xCa1+2xMn2O7(x=0.4,0.5)的磁相变特性

利用固相反应法制备了Nd2-2x Ca1+2x Mn2O7(x=0.0-0.9)多晶样品,通过FULLPROF程序对样品X射线衍射图谱进行了精修,样品的空间群为14/mmm.测量了样品x=0.4,0.5的磁性(5K相似文献   

钙钛矿(La1-yTby)0.67Sr0.33MnO3的超巨磁电阻效应

采用固相反应烧结法制成了钙钛矿(La_1-yTb_y)_0.67Sr_0.33MnO₃(y=0—1)多晶样品.研究了样品的微观结构,常温、低温下的磁性,样品的磁电阻随温度、成分的变化关系,电阻随温度变化特性等.并在y=0.40样品中,170K附近、最大磁化场为7T时,观察到了900%的巨磁电阻. 关键词：     

磁电子学讲座 第二讲 掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应

介绍了掺杂稀土锰氧化物的巨磁电阻效应研究概况和最新进展．在综合目前实验和理论研究结果的基础上，对在掺杂稀土锰氧化物材料中引起巨磁电阻效应的物理机制进行了探讨．对这一材料的应用前景和需要做的工作进行了讨论     

稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应

过去十多年来,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应,因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面,锰氧化物是典型的强关联电子体系,它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构,简单介绍了其他一些庞磁电阻材料;随后综述了锰氧化物的电荷/轨道有序相及其输运性质;在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制;最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用,如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p＿n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。     

掺杂锰氧化物和极化子行为

掺杂锰氧化物属于强关联材料,实验上明确显示出强电-声子耦合对于材料性质(如输运性质和铁磁性质)的影响.极化子是对氧化物材料中载流子行为的近似描述.顺磁状态的掺杂锰氧化物样品电阻率随温度变化关系可以用极化子理论进行很好的描述,并且数据分析还提供了与材料性质有关的微观参数.利用文章作者提出的跃迁极化子交换相互作用与材料铁磁有序温度TC联系的关系式,对掺杂锰氧化物样品磁场下的测量结果进行了数据拟合.非常好的拟合结果说明,跃迁极化子决定交换耦合及铁磁有序的物理图像和数据拟合中使用的近似是合理的.在数据拟合基础上对掺杂锰氧化物和巨磁电阻（CMR）效应的物理图像进行了讨论.     

(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3体系的结构和输运性质研究

关键词：     

In替代(La2/3Ca1/3)(Mn(3-2x)/3In2x/3)O3体系巨磁电阻效应的研究

采用固态反应法制备了In替代的(La_2/3Ca_1/3)(Mn_(3-2x)/3In_2x/3)O₃(x=0.00，0.10，0.15)体系.通过测量其零场和1.6T磁场下样品的电阻-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系.发现随In³⁺替代量的增加其磁电阻峰和电阻峰均向低温方向移动，同时巨磁电阻效应减弱，磁电阻峰也展宽.这是由于In³⁺替代量的变化，引起 关键词：     

Pd/Ag掺杂的La0.67(Ca0.65Ba0.35)0.33MnO3体系电特性和磁电阻增强效应

系统研究了xAg-La_0.67(Ca_0.65Ba_0.35)_0.33MnO₃和xPd-La_0.67(Ca_0.65Ba_0.35)_0.33MnO₃(xAg-LCBMO和xPd-LCBMO)两种复合体系的电特性和磁电阻特性. 结果发现,Pd和Ag的掺杂都引起电阻率的大幅降低和峰值电阻率温度的升高,这主要源于晶粒边界/表面良导体金属晶粒的析出. 另外,Pd和Ag的掺杂都引起室温磁电阻的大幅增强. 尤其是27%摩尔比的Ag掺杂诱导了高达70%的室温磁电阻,几乎是未掺杂母体LCBMO的10倍,而27%摩尔比的Pd掺杂诱导产生了更高的磁电阻,约170%. 磁电阻的大幅增强,与良导体金属掺杂引起的样品电阻率的降低有关. 另一方面,晶粒表面/边界Mn离子与Pd离子接近诱导Pd离子的自旋极化对磁电阻的增强起了重要的促进作用.     

稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应

过去十多年来，具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高，且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应，因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面，锰氧化物是典型的强关联电子体系，它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构，简单介绍了其他一些庞磁电阻材料；随后综述了锰氧化物的电荷／轨道有序相及其输运性质；在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制；最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用，如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p-n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。     

层状钙钛矿钴氧化物Y1-xGdxBaCo2O5中稀土离子半径对电荷有序转变的影响

研究了层状钙钛矿钴氧化物Y1-xGdxBaCo2O5(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的结构和输运性质,结果显示它们具有相似的相变行为,从而证明GdBaCo2O5与YBaCo2O5一样,也存在电荷有序转变.结果还表明电荷有序转变温度随稀土离子半径增加而上升.     

La2／3Ca1／3—xSrxMnO3系列锰氧化物材料的Rietveld结构分析

用固相反应法制备了La2/3Ca1/3-xSrxMnO3系列样品，利用Rietveld方法精修晶体结构，结果表明，当x≥0.15时，样品由正交结构（Pnma)转变为六方结构（R－3c)。本文详细介绍了Rietveld精修方法并分析了Sr^2 ,Ca^2 对材料结构的影响。     

巨磁阻材料Sr2CrWO6高压下的结构稳定性和电学特性

 采用金刚石压砧高压装置，研究了双钙钛矿结构化合物Sr₂CrWO₆在室温下、34.5 GPa压力内的同步辐射X射线衍射谱，发现在9.6 GPa的压力点样品的结构有所变化。结合室温下20 GPa内电阻和电容随压力的变化，证明样品在9 GPa附近发生了晶体结构相变，而在2~5 GPa的压力范围内样品发生了电子结构相变。     

层状钙钛矿结构锰氧化物Ca3Mn2O 7的压致结构相变

采用金刚石压砧高压装置（DAC）,对层状钙钛矿结构锰氧化物Ca3Mn2O7的粉末样品进行了高压能散X射线衍射实验。实验结果表明,在0－35GPa压力范围内,Ca3Mn2O7晶体结构发生了两次相变。在1．3GPa左右,由原来的四方相转变为正交相,在9．5GPa左右,又由正交相向新的四方相转变。     

钙钛矿结构La0.9Sb0.1MnO3的庞磁电阻性质

一种新的钙钛矿结构的庞磁电阻氧化物La_0.9Sb_0.1MnO₃已用固态反应方法制 成，通过超导量子干涉器件(SQUID)装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.x射线光电子 能谱分析证明，该氧化物中Sb的价态是+5价，因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻 材料. 关键词： 钙钛矿结构 0.9Sb_0.1MnO₃')" href="#">La_0.9Sb_0.1MnO₃ 电子掺杂 庞磁电阻     

钙钛矿结构La0.7Ca0.3MnO3-δ外延薄膜中氧的扩散

利用脉冲激光淀积方法，我们制备了外延La0．7Ca0．3MnO3-δ薄膜．实验发现，在30Pa氧分压下制备的薄膜晶格中仅有少量氧空位．可以通过高真空条件下的热处理(热处理温度为780℃)减少样品晶格中的氧含量．室温x射线衍射分析表明，在780℃通过高真空热处理的La0．7Ca0．3MnO3-δ外延薄膜结构不发生改变．通过延长高真空热处理时间可以逐渐减少外延薄膜样品晶格中的氧含量，这反映在样品晶格常数有系统变化及样品绝缘体-金属(I-M)转变温度降低．对样品电阻率．温度曲线的拟合表明，样品晶格中的氧含量是均匀的，这与X射线衍射分析的结果是一致的．通过长时间高真空条件下的热处理可以使样品的I-M转变温度低于10K，而短时间氧气氛中的充氧热处理可以使转变温度回复．这说明样品晶格中的氧扩散出和充入是有区别的．在同一外延薄膜样品可以反复通过高真空条件下的高温脱氧热处理和充氧热处理来改变样品中氧含量，这将方便于将薄膜性能与氧含量的关系进行比较、分析和讨论．     

类钙钛矿化合物Ca（Mn2Cu1）Mn4O12的磁性与磁电阻效应

利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2Cu1)Mn4O12的类钙钛矿锰氧化物.x射线衍射表明，为了获得较为致密的样品和减小杂相含量，可以采用高温烧结再在1073K长时间空气中退火的制备方法.样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相，由于反铁磁相的存在导致样品在4.5K时的磁化强度显著降低，并在8T的高磁场下仍未达到饱和.样品呈半导体导电性质，在85K和6T磁场下磁电阻比的最大值可达-46%. 关键词： ［AC3］(B4)O12类钙钛矿锰氧化物 庞磁电阻效应 铁磁性 反铁磁性     

Ba2+掺杂钙钛矿Bi0.5Ca0.5MnO3多晶材料的结构、磁性和输运性质研究

本文系统地研究了具有电荷有序(CO)和C型反铁磁(AFM)磁结构的钙钛矿锰氧化物Bi0.5Ca0.5-xBaxMnO3(x=0,0.03,0.05,0.07 and 0.10)的结构、磁性和电输运性质.系统晶格对称性保持Pnma空间群正交结构不变.随着Ba掺杂浓度的提高,电荷有序转变温度和反铁磁转变温度明显降低,表明掺...     

钙钛矿锰氧化物(La1-xGdx)4/3Sr5/3Mn2O7 (x=0, 0.025) 磁性和输运性质研究

采用传统的高温固相烧结法制备了双层钙钛矿锰氧化物(La_1-xGd_x)_4/3Sr_5/3Mn₂ O₇ (x=0, 0.025)多晶样品. 通过X射线衍射仪研究发现样品为Sr₃Ti₂O₇型四方结构, 空间群为I4/mmm; 磁性测量表明, Gd³⁺掺杂后的样品(La_0.975Gd_0.025)_4/3Sr_5/3Mn₂O₇的三维磁有序转变温度(T_C1^3D)、磁化强度(M)均降低, 这是由于Gd³⁺的掺杂引起晶格的畸变, 从而使得晶格常数发生改变, 减弱了铁磁耦合而导致的; 通过电子自旋共振谱测量发现, 在T_C^3D<T<300 K温度范围内, 两样品在顺磁的基体上均有短程的铁磁团簇存在, 出现了相分离现象. 电性测量表明: 两样品分别在T_C1^3D (La_4/3Sr_5/3Mn₂O₇ 样品的三维磁有序转变温度, T_C0^3D)<T<300 K温度范围内均以三维变程跳跃的方式导电, 分析得出Gd³⁺的掺杂使得载流子局域长度的减小. 这表明载流子需要吸收更多的能量才能克服晶格的束缚进行跳跃, 因此(La_0.975Gd_0.025)_4/3Sr_5/3Mn₂ O₇ 样品的电阻较高.     

包含Mn2+离子的钙钛矿材料:合成、发光性质与应用(英文)

锰离子是发光材料家族中最重要的激活剂离子之一。锰离子无论是作为掺杂离子还是作为基质材料,都可以提高卤化物钙钛矿的发光性能。但是合成的驱动力不同,发光稳定性也不同;由于结合能和形成能的改变,热稳定性和环境稳定性也随之改变。锰离子的发光机理相对清晰明了。基质的激子发射和瞬态光导致晶格缺陷引起的自陷态发射也可能参与锰离子的发光机制。在这篇综述中,我们将分析不同类型结构的锰掺杂卤化物钙钛矿和锰基卤化物钙钛矿的发光机理,重点是锰离子的掺杂驱动力和掺杂策略。