纳米粒子的电容

纳米粒子的电容对由纳米点陈列所形成的单电子器件是一个十分重要的参数。基于少体理论，提出了计算纳米粒子量子点充电电容的理论模型，由此可以预测出室温下出现库仑台阶等单电子现象的最大纳米粒子粒径。采用简谐势模型计算模拟了ＣｄＳ、ＰｂＳ半导体纳米粒子的充电电容，发现ＣｄＳ、ＰｂＳ纳米粒子的尺寸上限为１１与５ｎｍ。理论计算结果与实验相吻合。     

CdS薄膜的染料敏化

用ＬＢ方法在电沉积ＣｄＳ薄膜上修饰了ＰｃＣｕ单分子膜，并利用表面光电压谱对ＣｄＳ薄膜与ＰｃＣｕ修饰的ＣｄＳ薄膜进行了测试。结果表明，修饰后的ＣｄＳ薄膜其表面光电压值提高约５０倍，并且光电压响应由３００－５００ｎｍ扩展为３００－７００ｎｍ。紫外－可见偏振光谱测试表明，ＬＢ膜中酞菁环的取向角为４５度。     

利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究

提出结合Ｃｄ（ＯＨ）２ 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小ＣｄＳ纳米微粒的尺寸分布, 并通过对ＣｄＳ纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想． 以多聚磷酸钠（ＨＭＰ）为稳定剂合成ＣｄＳ纳米微粒, 再通过Ｃｄ２＋ 与ＯＨ－ 的选择性包覆在大粒径的ＣｄＳ纳米微粒表面形成一层Ｃｄ（ＯＨ）２, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径ＣｄＳ纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Ｃｄ（ＯＨ）２ 包覆的大粒径ＣｄＳ纳米微粒, 这样即可达到缩小ＣｄＳ纳米微粒尺寸分布的目的．     

C2分子的分析势能函数与垂直电离势

用ａｂｉｎｉｔｉｏ计算方法和实验光谱数据分别导出Ｃ２分子基态Ｘ１Σ＋ｇ和激发态ｄ３Πｇ的Ｍｕｒｅｌ－Ｓｏｒｂｉｅ函数，同时用ＱＣＩＳＤ／６－３１１Ｇ方法优化出Ｃ－２、Ｃ＋２、Ｃ２＋２分子离子基态的平衡核间距，算出Ｃ２分子的垂直电离势，计算数据与实验光谱数据进行了比较。     

用铜和氯掺杂的CdS-CdSe双层光电导膜的性质

对掺Ｃｕ和Ｃｌ的ＣｄＳ－ＣｄＳｅ双怪光电导膜的暗电导和亮电导与掺杂浓度及Ｃｕ／Ｃｌ比的关系、响应时间和光谱响应进行了研究。试验发现：适当的Ｃｕ／Ｃｌ掺杂比可使暗电导降低而亮电导提高;掺杂薄膜的响应时间可达５－１０ｍｓ,而对掺杂一般为数百毫秒;随着ＣｄＳｅ浓度增加,光学吸收变大,光谱响应向长波移动 。     

利用Cd（OH）2选择性包覆我分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究

提出结合Ｃｄ（ＯＨ）２选择性包覆与光分解腐蚀法缩小ＣｄＳ纳米微粒的 政论发布,并通过对ＣｄＳ纳米微粒发射光谱的研究产了这一设计思想,以多聚磷酸钠（ＨＭＰ）为稳定剂合成ＣｄＳ纳米微粒,再通过Ｃｄ＾２＋与ＨＯ＾－的选择民覆在大粒径的ＣｄＳ纳米表面形成一层Ｃｄ（ＯＨ）２,然后溶液置于日光下辐照处理,数天后,未经包覆的小粒径ＣｄＳ纳米微粒被日光腐蚀分解,溶液中只剩下被Ｃｄ（ＯＨ）２包覆的大粒径ＣｄＳ纳米微     

CdS／SiO_2半导体玻璃复合材料的低频Raman散射光谱研究

ＣｄＳ／ＳｉＯ＿２半导体玻璃复合材料的低频Ｒａｍａｎ散射光谱研究王凯旋，隗罡，黄建滨，戴庆红，赵壁英，桂琳琳，谢有畅，唐有祺（北京大学物理化学研究所北京１００８７１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＣｄＳＳｅｍｉｅｏｎｄｕｃｔｏｒｉｎＳｉｌｉｃａＧｌａｓｓｅｓｂｙＬ...     

CdCl2：V^2＋和CdI2：V^2＋的g因子和零场分裂研究

研究了ＣｄＣｌ２：Ｖ＾２＋和ＣｄＩ：Ｖ＾２＋的ＥＰＲｇ因子和零场分裂Ｄ。在计算中既考虑了中心过渡金属离子ＳＯ耦合作用，也考虑了配体ＳＯ耦合作用的贡献，结果表明，对某些共价性强和配体ＳＯ耦合系数大的络合物，在研究其ＥＰＲ性质时应考虑到双ＳＯ耦合作用的共同贡献。     

CdS／ZnS包覆结构纳米微粒的微乳液合成及光学特性

利用微乳液法合成ＣｄＳ纳米微粒,并对其进行表面修饰,得到具有ＣｄＳ／ＺｎＳ包覆结构的纳米微粒,以及收光谱与透射电镜表征其粒度与包覆结构,得到ＣｄＳ内核的直径为５ｎｍ,ＣｄＳ／ＺｎＳ包覆结构总粒径为８～１０ｎｍ,吸收阈值及发射峰的蓝移起因于量子限域效应,并观测到ＺｎＳ的懈覆经ＣｄＳ纳米微粒的表面态发射、增强带边发射１并使带边发射进一步蓝移。     

FAAS法测定土壤和蔬菜中的Cd元素

本文以油菜为试材，用ＦＡＡＳ法对受Ｃｄ污染土壤中的全量Ｃｄ、有效态Ｃｄ以及油菜茎叶中的Ｃｄ含量进行了测定与分析。同时对土壤全量Ｃｄ、有效态Ｃｄ及茎叶中Ｃｄ的样品予处理方法进行了比较研究。结果表明，方法回收率在９６％以上，样品测定的相对标准偏差小于３．９７％。本方法快速、准确、干扰少。测定结果满意     

纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸ＣｄＳ半导体微晶的光致发光光谱，研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系．考虑ＣｄＳ微晶的ＬＯ声子的相互作用，拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线，获得样品的非均匀线宽．ＣｄＳ微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的．     

新型（Pb,Cd）—1222相化合物的制备,结构和电学性质

本成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ‘０．７Ｃｅ０．３）２Ｃｕ２Ｏｚ，Ｒ＝Ｒ’＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以有（Ｒ，Ｒ‘）＝（Ｌａ，Ｅｕ），Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）。     

CdS_xSe_（1－x）半导体微晶掺杂玻璃在抗共振环APM激光器中不能压窄脉

本文对具有较大非线性系数，较快非线性响应和回复时间的ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃能否在挽共振环（亦称为非谐振环）ＡＰＭ激光器中有效地压缩脉宽等问题做了详尽的理论与实验的切耐与分析。理论计算与实验研究的结果均表明：在抗共振环ＡＰＭ激光器中，应用ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃不能使超短光脉冲宽度被压窄．     

中药方剂煎煮液中ICP—AES法同时测定16个元素

本文提出了用硝酸－过氧化氢对中药方剂煎煮液进行处理，ＩＣＰ－ＡＥＳ法对煎煮液中Ｌｉ，Ｎａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｃｄ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｖ１６个元素进行同时测定的方法，该方法简单，快速，准确度高，所测元素的加标回收率均在８５～１０３％之间，样品分析结果满意。     

新型（Pb，Cd）－1222相化合物的制备、结构和电学性质

本文成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ＇０．７Ｃｅ０．３）２。Ｃｕ２Ｏｘ，Ｒ＝Ｒ＇＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以及（Ｒ，Ｒ’）＝（Ｌａ，Ｅｕ），（Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｅｕ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）．Ｘ－射线衍射和电子衍射表明它们属于四方晶系，其结构与（Ｐｂ，ＣＵ）－１２２２相结构相似．其中（Ｒ＇，Ｒ＇）＝（Ｅｕ，Ｇｄ）的样品在氧气中成相得到２３Ｋ的超导转变临界温度．     

a－CdSe超快光电探测器特性研究

本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用ａ－ＣｄＳｅ为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。     

掺杂无机纳米超微粒的有机聚合物体系听光折变效应

研究了掺杂无机纳米超微粒的有机聚合物体系中的光折变效应。体系中以Ｃｕ２Ｓ／ＣｄＳ／ＺｎＳ复合超微粒为光敏度，ＰＶＫ为载流子输运剂，电光分子为ＥＰＮＡＣ。     

(NH_2CH_2COOH)_2CdCl_2晶体的拉曼光谱的研究

（ＮＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ）２ＣｄＣｌ２晶体的拉曼光谱的研究刘建军吴粤郑吉民扈士芬蓝国祥（南开大学天津３０００７１）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆ（ＮＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ）２ＣｄＣｌ２ＣｒｙｓｔａｌｓＬｉｕＪｉａｎｊｕｎ，ＷｕＹｕｅ，ＺｈｅｎｇＪｉｍｉｎ，Ｈ...     

光折变材料Cu∶KNSBN的晶格振动和d－d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡（Ｃｕ∶ＫＮＳＢＮ）和钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ）两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼（Ｒａｍａｎ）谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ２＋在晶体中形成两个深能级２．５０ｅＶ和２．６４ｅＶ。     

类镉离子5s^2 ^1S0→5s5p^1,3P1跃迁振子强度的计算

应用屏蔽氢模型计算类Ｃｄ离子５ｓ２１Ｓ０→５ｓ５ｐ１Ｐ１共振跃迁振子强度，引入ｊ－耦合中校正系数Ｋ和混合角θ导出５ｓ２１Ｓ０→５ｓ５ｐ３Ｐ１跃迁振子强度表达式。计算结果和其他作者进行了比较，并给出某些讨论。