制备V_（1－x）M_xO_2（M＝Cr、Ti、Mo、W，0≤x＜0．2）陶瓷的湿化学方法──氧钒（Ⅳ）碱式碳酸铵掺杂母体法

利用ＶＯ（２＋）与ＮＨ４ＨＣＯ３反应生成对氧颇稳定的氧钒（Ⅳ）碱式碳酸铵晶体的特性，分别掺入Ｃｒ（３＋）、ＴｉＯ（２＋）、ＭｏＯ（３＋）、ＷＯ杂质离子合成ＶＯ２掺杂母体；母体在Ｎ２气氛下、≤４００℃时，热分解制得活性大的标题化合物，再经压片、１０５０℃高温烧结０．５ｈ得到陶瓷．合成试样相变时，电阻率改变约３个数量级，与传统固－固合成法的相同，但温化学法与固－固合成法比较具有节能、简便、设备要求较低、成本低的优点．     

掺杂V2O3系PTC陶瓷电极的研究

本文采用一次烧渗法制备出掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的Ａｇ－Ｚｎ－Ｔｉ电极，测量了电极的电学性能，采用差热—失重分析、ＸＲＤ分析和电子探针Ｘ射线衍射显微分析等方法研究了电极的结构，同时对电极与陶瓷基体的接触状态进行了分析。研究结果表明：在电极与陶瓷基体间获得良好的欧姆接触，Ｚｎ和Ｔｉ固溶进入Ａｇ晶格而形成固溶体，Ｚｎ对形成欧姆接触具有重要影响。     

掺杂V2O3系PTC陶瓷的研究及进展

简要介绍了掺杂Ｖ２Ｏ３中的Ｍ－Ｉ相变以及相关ＰＴＣ特性，综述了国内外掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的研究现状，论述了近期在掺杂体系、淬冷处理工艺和金属添加剂等方面的研究进展，并展望了掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的应用前景。     

ZrO2—Y2O3纳米晶的制备及其湿敏性能

以化学共沉淀法为基础，配合高速剪切均质并添加表面活性剂制备了粒径为２０￣４０ｎｍ的ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３纳米晶，经ＸＲＤ分析为稳定立方相结构。用ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３纳米晶为感湿材料制作了厚膜型湿敏元件，测试结果表明：（１）元件电阻随相对温度上升而下降。（２）在总电导中，离子电导占主要成分。（３）元件有较快的感湿响应速度。     

TiO2—K2O—Y2O3—SiO2陶瓷薄膜结露元件的制备及其湿敏性能研究

采用淀粉产法制备了ＴｉＯ２－Ｋ２Ｏ－Ｙ２Ｏ３－ＳｉＯ２（Ｔｉ：Ｋ：Ｙ：Ｓｉ＝１：０．１＋０．０４＋０．０５,摩尔比）陶瓷薄膜结露元件,研究了陶瓷粉末和薄膜的结构以及元件的感湿性能。６００℃热处理后,陶瓷粉末和薄膜主要由锐钛矿型Ｔdisplay status     

SrMO3—x（M=Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,0≤x≤0.5）氧化物的结构及其…

本文总结了国内外对ＳｒＭＯ３－ｘ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ，０≤ｘ≤０．５）氧化物的结构及其电行为的研究，并分析了晶体场效应对这类钙钛矿化合物结构和电性质的影响。     

Pb（Mg1／2W1／2）O3—PbTiO3—PbZrO3l陶瓷的化学不均匀性和介电行为的…

研究了Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３－ＰｂＺｒＯ３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ｉ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．２７０Ｗ０．３６７Ｚｒ０．１８２）Ｏ３．０９１；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．１０９Ｗ０．１８７Ｔｉ０．２０４Ｚｒ０．３４０）Ｏ２．７５８。两种居里点分别为：ＴＣＩ〈－６５℃，ＴＣＩ＝１０５℃，图像处理     

新型氧离子导体La1.84R0.16Mo1.7W0.3O8.92（R=Ca^2＋、Sr^2＋、Ba^2＋）的制备及其电性能

以La2Mo1.7W0.3O9为本体,在La位进行碱土金属掺杂,采用溶胶-凝胶方法合成新型氧离子导体La1.84R0.16Mo1.7 W0.3O8.92(R=Ca2 、Sr2 、Ba2 ).应用示差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:掺杂改善了本体导电性能的同时,保持了La2Mo1.7W0.3O9抑制La2Mo2O9相变的功能;碱土离子的掺杂,在体系中引入了氧空位,有利于氧离子扩散,提高氧离子导电性,773K时Ba2 掺杂体系的电导率为1.0×10-4S/cm,高于本体的电导率(5.0×10-5/cm).     

Al2O3/Cr3C2/(W,Ti)C复合材料化学相容性分析

应用热力学原理计算分析了Al2O3/Cr3C2/(W,Ti)C复合陶瓷材料体系中各组分间化学反应的可能性.结果表明,在1800℃范围内各组分间不会发生化学反应.并通过Al2O3/Cr3C2/(W,Ti)C复合陶瓷材料的热压烧结制备进行了实验验证.     

B位掺杂对（Pb,Ca）（Fe1／2Nb1／2）O3陶瓷微波介电性能的影响

研究了Ｂ位分别掺杂Ｓｎ＾４＋、Ｚｒ＾４＋、Ｃｅ＾４＋对（Ｐｂ０．４５Ｃａ０．２５）（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＣＦＮ）陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结果表明,掺杂样品能在相对较低的温度下烧结（１２００℃／２ｈ）,Ｂ位大半径离子的掺入使介电常数降低,适量的Ｂ位掺杂能不同程度的改进ＰＣＦＮ陶瓷的综合微波介电性能。用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为９２８．４ＭＨｚ下,插入损耗为２．４６９ｄＢ,满足插入损耗应小于３ｄＢ的要求,在移动通信中有着实际应用前景。     

非晶Fe2O3—MO2（M=Sn,Ti）的水热制备及反射谱研究

研究了用水热法制备的非晶Ｆｅ２Ｏ３－ＭＯ２（Ｍ＝Ｓｎ，Ｔｉ）光学选择性吸收材料的光学性能发现具有红外透明组份（ＳｎＯ２，ＴｉＯ２）可显著改进Ｆｅ２Ｏ３的光学性质，并从固体中光吸收与反射的微观机制的角度对实验结果进行分析和讨论。     

La1—xSrxMO3（M=Co,Mn）陶瓷阴极的制作及相关性能分析

尝试采用涂履法制备燃料电池陶瓷阴极，通过合理控制初始粉末粒度，添加一定的分散剂，稳定剂，并应用相应的陶瓷烧结工艺制备了表观形貌及性能俱佳的陶瓷阴极，结合固态电化学三电极法对其极化现象作了一定分析。     

二元系Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—Pb（Fe2／3W1／3O）3电容器陶瓷的介电性质

目前,制备 Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PZN)基陶瓷电容器,最主要的问题是形成有害于介电性质的焦录石相。实验表明,固相反应法很难合成钙钛矿结构的 PZN 陶瓷,于1000℃经固相反应的产物是含立方焦录石的混合物。在 PZN 中添加0.53mol 的 Pb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_3(PFW),试样中的钙钛矿相超过97%。通过对 PFW 结晶化学和烧结机理的分析,证明在 PZN 中添加 PFW 能减少或抑制焦录石的形成。本文报导了 PZN-PFW 二元系陶瓷的相关系和介电性质,探讨了钙钛矿相的形成机理。     

SrMO_(3-x)(M=Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni,0≤x≤0.5)氧化物的结构及其电行为

本文总结了国内外对 SrMO_(3-x)(M=Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni,0≤x≤0.5)氧化物的结构及其电行为的研究,并分析了晶体场效应对这类钙钛矿化合物结构和电性质的影响.     

β—MxV2O5（M=Li,Na,K）的溶胶凝胶法合成及其高温有极放电性能

用柠檬酸盐溶胶－凝胶工艺制以了三种β-MxV2O5氧化物Li0.3V2O5、Na0.33V2O5和K0.25V2O5;TG和DTA试验显示干凝胶焙烧过程中出现两个吸热峰，中间有一个放热峰；XRD分析表明高温处理时Li0.3V2O5可氧化成LiV3O8和V2O5，而Na0.33V2O5和K0.25有较好的化学稳定性；模拟Li-B合金／LiCl-KCl/β-MxV2O5(或α-V2O5)热电池500℃放电试验表明β相阴极放电较α相平稳，但初始电压峰值略有降低，β－Li0.3V2O 5相因具有较α－V2O5相更通畅的Li^ 快速扩散通道，且通道内没有Na^ 或K^ 大离子对Li^ 扩散的阻碍，放电最为平稳，有效比容量最高。