ZrO2（Y—TZP）—Si3N4复合材料中抑制ZrN生成研究

研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加≤２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３）的氮化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａ氮气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成。     

烧结工艺对Si3N4-SiC材料性能的影响

本文采用氮化硅作为碳化硅材料的结合相的方法制备氮化硅结合碳化硅耐火材料，通过对氮化硅结合碳化硅的烧结工艺过程的探讨，推导了理论密度、气孔率与生坯密度的关系及影响材料氮化率的关系式，分析了材料性能与烧结工艺参数之间的关系。     

溶胶—凝胶碳热法制备超细Si3N4粉的研究

本文报道了用溶胶－凝胶碳热氮化法、在高氮气压下（１．５ＭＰａ）各种参数对氮化硅生成的影响。在１７００℃／５ｈ下能得到初始粒径为几十ｎｍ的超细α－Ｓｉ３Ｎ４粉，氮含量达３８ｗｔ％以上，且无结晶的ＳｉＯ２和ＳｉＣ。     

精细陶瓷氮化硅

精细陶瓷氮化硅１．前言近年来无论从环境保护，还是能源的有效利用，都要求尽可能的节能，所以在燃气轮机制造中，热切的希望开发耐高温燃烧的材料。日本东芝公司，目前已有ＴＳＮ－０８＿（ＴＭ）系列氮化硅和ＴＳＣ－０１＿（ＴＭ）系列碳化硅陶瓷。这些高温结构材料中...     

石墨—碳化硅复合材料及其制法（特公平5－83517）

石墨—碳化硅复合材料及其制法（特公平５－８３５１７）专利权限这是关于石墨—碳化硅复合材料的制造方法，权限如下：１、在石墨基体材料表面浸渍占石墨基体材料全气孔体积５～６０％的碳化硅，以及在此碳化硅浸渍层上进一步形成碳化硅包覆层。２、让溶融硅浸透并反应，...     

用有机硅聚合物制备高温结构陶瓷材料研究进展

回顾了用有机硅聚合物制备陶瓷历史,综述了工艺及材料性能,其中碳化硅、氮化硅等纤维,碳化硅、二氧化硅等薄膜已进入实用阶段;重点介绍了在高温1400－2000℃下长期稳定存在的块体材料研究进展和趋势。     

用Y2O3—Al2O3—SiO2—Si3N4钎料连接氮化硅复相陶瓷

研究了用Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４,钎料对氮化硅复相陶瓷的连接。对连接界面进行了ＳＥＭ,ＥＰＭＡ和ＸＲＤ分析,接头强度随着保温时间,连接温度的增加而逐渐增加。在达到峰值后,连接强度逐渐降低,在ＹＡＳ钎料中添加氮化硅,可以降低接头界面的热应力,改善接头强度。     

分散剂对纳米碳化硅粉末在水中分散的影响

研究了ｐＨ２－１２范围内分散剂－聚乙烯亚胺（ＰＥＩ）的加入及其浓度对碳化硅粉末在水中的分散情况的影响。发现在浆料中加入分散剂时，碳化硅在ｐＨ＝１０．４时达到最佳分散，此时浆体呈现牛顿流体特征，表现出最小的沉降高度和最大的电位势。在酸性条件（ｈＨ＝２－７）浆体产生很大的团聚，具有较大的沉降高度，较大的粒子尺寸，较低的电位值，呈现非牛顿体特征。对于碳化硅粉末适宜的分散条件是在碱性条件ｐＨ＝８～１０。     

复合陶瓷材料的生产

将二氧化硅细粉(10～150份重)撒在氮化硅和/或碳化硅(100份重)基体粒子表面上,与10～600份重的碳、10～300份重的碱金属卤化物或碱土金属、氮化硅和/或碳化硅用的准确数量的烧结助剂和形成碳化硅胡须用的准确数量的催化剂混合在一起,将混合物置于非氧化     

氮化硅纳米复合陶瓷的抗氧化性与耐蚀性研究

采用极性分散剂和超声分散技术，在氮化硅微米粉中加入碳化硅纳米粉真空热压制备出氮化硅／碳化硅（n)纳米复合陶瓷，研究了纳米增强相对纳米复合陶瓷抗氧化性与耐蚀性的影响。结果表明：随着SiC纳米粉的含量的增加，纳米复合陶瓷在空气中加热时抗氧化性增强，其中含15％SiC纳米粉的纳米复合陶瓷抗氧化性最好；纳米复合陶瓷的耐碱性也非常好，适于在酸、碱性环境中使用。     

硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长

工业生产的太阳能电池用多晶硅锭内部常出现碳化硅夹杂,影响太阳能电池的转换效率,特别是严重威胁硅片的切割生产过程。本文研究了硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅沉淀生长特性。在熔解实验中发现:即使在碳显著过饱和的情况下,碳化硅仍会熔解在1450℃的硅熔体中,同时熔体中易形核处发生新的碳化硅颗粒析出。在1350℃下进行了硅料中碳化硅沉淀的固相生长实验,结果表明晶体硅中碳化硅沉淀的高温固态生长十分缓慢。这一特性得到理论计算证实,它表明固相生长不可能是多晶硅锭中出现大颗粒碳化硅的原因。     

碳化硅改性PU弹性体复合材料的研究

采用超声波技术对碳化硅表面进行有机处理,并将其分散到甲苯二异氰酸酯(TDI)体系内,在其表面进行原位聚合,制得了聚氨酯弹性体复合材料.SEM分析表明碳化硅在聚氨酯弹性体中具有良好的分散性.力学测试结果表明,5%～10%碳化硅添加量会使复合材料的力学性能、耐磨性、耐溶剂性能最好.     

由有机-无机混杂先驱体制备SiC纳米微粉

以工业硅溶胶和水溶性酚醛树脂为原料合成了有机-无机混杂先驱体,经过高温热处理,利用碳热还原反应制备了碳化硅纳米微粉,研究了先驱体的热分解过程以及制备工艺对产物组成结构的影响.结果表明产物为纯度较高的纳米碳化硅粉末与碳化硅晶须的混合物.     

碳化硅泡沫陶瓷的制备

碳化硅泡沫陶瓷具有气孔率高、热稳定性好等优良性能,被广泛用作金属溶液过滤器、高温气体和离子交换过滤器、催化剂载体等.重点介绍了碳化硅泡沫陶瓷的种类,阐述了碳化硅泡沫陶瓷的制备方法和影响碳化硅泡沫陶瓷产品性能的因素,展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展前景.     

氢气气氛下SiC纤维的热稳定性

采用XRD和扫描电镜等分析方法,对国产SiC纤维进行氢气气氛下除去游离碳及纤维高温稳定性的实验研究.在氢气气氛下,将国产SiC纤维分别在900,1200,1500℃和1800℃保温4h,随着温度的升高,纤维质量不断流失,同时纤维结构遭到破坏, 但β-SiC晶化转变不明显,表明国产纤维存在较多的因氧的介入所形成的Si-O-C键,从而影响了纤维在氢气气氛下的高温稳定性.     

在线粒度监控系统在线切割用碳化硅粉生产中的应用

针对目前国内碳化硅微粉的生产均为半自动化控制,本文中对Insitec在线粒度监控系统的功能和应用领域进行介绍,并在线切割用碳化硅粉的生产过程用来对产品粒度进行监控。结果表明:中控系统能够根据Insitec反馈的测量信息对工艺参数自动进行调节,使粒度变化控制在设定范围之内,粒度变化趋势平稳,波动很小,产品质量得到保证。整个生产过程达到全自动化控制。     

多孔SiC陶瓷烧结体的导电特性

利用聚碳硅烷热分解形成的碳化硅，将工作碳化硅颗粒粘结在一起，形成多孔的碳化硅烧结体。文中给出了烧结体的微观分析，热分析和结构分析的结果。同时还给出了烧结时不同 量与常温电阻关系。对实验结果从掺杂，减少富碳和钝化表界面悬挂键几个角度进行了讨论，结果表明三者的影响对电阻率的变化趋势是一致的。     

亚微米碳化硅粉末的制备

采用硅酸乙脂和酚醛树脂为原料,合成了具有高混合度的Ｃ／ＳｉＯ２混合物。高温碳热反应后,得到亚微米级的球状粉末,并且粉末粒度分布范围小。本文对碳热反应中一氧化硅的损失作了定量分析。结果表明,较高Ｃ／ＳｉＯ２比导致较低一氧化硅损失和较高的碳化硅产量。在１５００℃反应后,Ｃ／ＳｉＯ２＝３时,一氧化硅的损失达约２０％。而当Ｃ／ＳｉＯ２＝５时,损失＜５％。较高的Ｃ／ＳｉＯ２比对碳化硅的形成速度有明显的促进作     

一步法合成高纯度碳化硅粉体的研究

利用液态硅为原料, 以碳和二氧化硅粉末组成的混合物作为催化剂, 通过液态硅与一氧化碳之间的气-液相碳热反应, 一步合成了高纯度的碳化硅微细粉体, 制得的碳化硅粉体的平均颗粒尺寸为D₅₀=0.41μm. 利用XRD、SEM、激光粒度分析和元素分析对粉体进行了表征, 并讨论了碳化硅粉体的形成机理.     

电场处理对碳化硅/聚合物复合材料电导特性的影响

通过在碳化硅(SiC)/低密度聚乙烯(LDPE)的热压成型和SiC/硅橡胶的硫化过程中施加不同形式的直流电场,研究了电场处理对SiC/聚合物复合非线性绝缘材料电导特性的影响.研究结果表明,在SiC/LDPE的热成型过程中待到模具中的物料流动结束后施加均匀电场仅使复合材料的电导率发生微弱变化,而在SiC/LDPE的热压流动过程中施加均匀电场导致复合材料的电导率明显增加;SiC/硅橡胶共混物的粘度较SiC/LDPE的粘度低,故均匀电场处理导致前者电导率增加的趋势较后者明显;非均匀电场处理导致复合材料的电导率明显增大,电导非线性特性明显得到改善,其作用效果明显好于均匀电场.