共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
多孔硅制备工艺的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
多孔硅的发光性能与其制备工艺密切相关,本文着重讨论了阳极氧化技术、表面再处理、硅衬底的电学性质等因素对多孔硅质量的影响,给出了合适的工艺条件。 相似文献
2.
本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。 相似文献
3.
阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了多孔硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响,实验表明多孔硅的制备条件如电解电流密度、电解时间等多孔硅冷阴极的场发射特性有较大的影响。 相似文献
5.
多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献
6.
7.
8.
发光多孔硅微结构及其发光起源探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
用制备发光多孔硅样品的常规电化学方法,在未抛光多晶硅表面,成功地制备出了均匀地发射肉眼可分辨的可见光样品。样品的先致发光光谱得到了测定,证明是一种典型的多孔硅光致发光光谱。用扫描电镜对样品的表面形貌、截面结构进行了详细的分析,摄制出了发光多孔硅样品的完整多孔状微结构清晰照片。实验结果认为多孔硅样品可分成三层:表面层、多孔层、单晶硅衬底;而多晶硅表面上制备的发光样品只有两层结构:表面层、多晶硅衬底。文中认为多孔硅可见光发射应来自其表面层,而与层下的多孔层微结构无关。 相似文献
9.
本文介绍了多孔硅(PS)二次阳极氧化(A0)过程中的电致发光现象,所设计的M/PS/Si/M肖特基结构的二极管也观察到了电致发光,本文还对它们的发光机理做了粗略地讨论。并提出要使多孔硅电致发光器件实用化,还有许多问题有待进一步解决。 相似文献
10.
11.
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔 相似文献
12.
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔. 相似文献
13.
14.
15.
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 总被引:2,自引:0,他引:2
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔. 相似文献
16.
Porous silicon prepared by pulse electro-etching is heat-treated in O2 atmosphere with an enhancement of its PL peak and an improvement of its PL stability. The PL peak of a sample porous silicon treated in O2 atmosphere at 1000℃ presents itself a three-peak structure and, compared with an un- heat-treated sample, there exists blue shift of ~ 40nm. 相似文献
17.
嵌入聚合物聚苯胺的多孔硅光致发光的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
分别通过溶液法和阳极电化学腐蚀法制得聚苯胺(PANI)和多孔硅,并用匀胶机涂布法把聚苯胺嵌入到多孔硅中,观察了嵌入前后的样品的光致发光谱.实验结果表明,聚苯胺的嵌入增强了多孔硅的光致发光强度,却不改变其峰位及峰宽,这与现有文献报道的结果有所不同,并对此进行了分析.认为聚苯胺掺入多孔硅中之后,与硅形成了新的键,从而使多孔硅的光致发光得到增强. 相似文献
18.