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颜一凡 《湖南大学学报(自然科学版)》1997,24(1):15-17,28
证明了a-Si:H磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数,其系数可由磷掺杂饱和极限,悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定。 相似文献
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本文通过测量掺杂a-Si:H和a-Sic:H薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明,(1)杂质激活过程是伸展指数形式,(2)在低温区掺杂效率正比于,(3)在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型,我们解释了上述实验结果。 相似文献
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a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 总被引:9,自引:0,他引:9
利用固相晶化法获得多晶硅薄膜(退火温度700~800℃),采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析。研究结果表明:晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加;并且退火后薄膜暗电导率提高了2~4个数量级。 相似文献