FeSiB非晶薄带的磁阻抗效应

研究了频率、磁场强度、线圈匝数以及退火对Fe78Si9B13非晶薄带的磁阻抗效应的影响。结果表明:阻抗随频率的升高和线圈匝数的增多而增大,随磁场强度的增大而减小;阻抗变化幅度随频率的升高、磁场强度的增大和线圈匝数的增多而增大;退火可以提高阻抗及阻抗变化幅度。     

处理电流密度对钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了焦耳处理工艺的处理电流密度对Co68.15Fe4.35Si12.5B15和Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。样品在不同电流密度下进行了处理。实验结果表明：焦耳处理存在最佳电流密度,对Co68.15Fe4.35Si12.5B15窄带来说,最佳处理电流密度为30A／mm^2,处理后样品的阻抗变化率峰值和灵敏度分别为119％和73％／Oe;对Co71．8Fe4．9Nb0.8Si7．5B15窄带来说,最佳处理电流密度为35A／mm^2,处理后的阻抗变化率峰值为232％,灵敏度在30A／mm^2时达到42％／Oe。处理后样品的内应力得到有效释放,软磁性能提高,使薄带的巨磁阻抗效应较淬态时有了明显提高。处理电流密度是焦耳处理方法中影响钴基非晶薄带巨磁阻抗效应的一个重要参数。     

退火工艺对FeSiB非晶薄带压应力阻抗效应的影响

研究了退火工艺对FeSiB非晶薄带压应力阻抗(SI)效应的影响.结果表明,与淬态非晶薄带相比,退火可以改变非晶薄带的SI效应.当退火时间为1 h,退火温度低于300 ℃时,退火后薄带的SI效应增强,且薄带的SI效应随着退火温度的升高而增强,退火温度升高到400 ℃时,薄带的SI效应减弱;当退火温度为300 ℃,退火时间小于1.5 h时,退火后薄带的SI效应增强,且薄带的SI效应随着退火时间的延长而增强,退火时间大于1.5 h时,薄带的SI效应反而随着退火时间的延长而减弱;经300 ℃, 1.5 h退火后薄带的SI效应最强.当测试压应力为1.42 MPa,测试频率为60 MHz时,淬态非晶薄带的SI效应为1.12%,经300 ℃, 1.5 h退火后薄带的SI效应可达1.52%.     

退火条件对FeCuNbSiB非晶带材应力阻抗效应的影响

研究了退火条件对非晶FeCuNbSiB带材应力阻抗性能的影响.结果表明,当退火温度为300℃时,FeCuNbSiB非晶带材开始慢慢晶化,当温度上升到500℃时,带材内部结构已由非晶态完全转变成晶态.当退火温度低于300℃时,退火能够消除部分应力,使阻抗变化的灵敏度提高;但当退火温度高于300℃时,随着退火温度的升高,应力阻抗效应减弱.退火时间超过1 h,延长退火时间,对带材的应力阻抗性能影响不大.非晶FeCuNbSiB带材经100℃×2 h的退火处理后,应力为2.7 MPa时,应力阻抗变化可达26%.     

退火条件对FeCuNbSiB非晶带材应力阻抗效应的影响

研究了退火条件对非晶FeCuNbSiB带材应力阻抗性能的影响。结果表明,当退火温度为300℃时,FeCuNbSiB非晶带材开始慢慢晶化,当温度上升到500℃时,带材内部结构已由非晶态完全转变成晶态。当退火温度低于300℃时,退火能够消除部分应力,使阻抗变化的灵敏度提高;但当退火温度高于300℃时,随着退火温度的升高,应力阻抗效应减弱。退火时间超过1h,延长退火时间,对带材的应力阻抗性能影响不大。非晶FeCuNbSiB带材经100℃×2h的退火处理后,应力为2.7MPa时,应力阻抗变化可达26%。     

FeSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe78Si9B13非晶薄带磁感应效应变化幅度的影响因素.结果表明:非晶薄带的磁感应效应变化幅度随磁场强度的增大而增大;随频率的升高呈现出先增大后减小的趋势;随限流电阻的增大而减小;退火可以提高非晶薄带的磁感应效应变化幅度.     

低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3．7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗（GMI）效应。结果表明，在低频脉冲电流下，巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z／Z先随退火电流密度的增加而增强，当电流密度为104A／mm^2时，△Z／Z达到最大值53．8％，此后随电流密度增大，GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响，发现HK有利于提高GMI效应的峰值，但同时存在一个临界值，当超过这个值时，GMI效应的峰值减弱。     

退火工艺对FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场及退火工艺对Fe73.5Cu1Nb3Si3.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随磁场的增强而增大,随频率的升高而减小;与淬火态非晶薄带相比,退火可以提高非晶薄带的磁感应效应变化幅度。且经300℃×1h退火后非晶薄带的磁感应效应变化幅度最大,当测试频率为0．8MHz时,磁场为1412A／m时。淬火态非晶薄带的磁感应效应变化幅度为1．50V,经300℃×1h退火后非晶薄带的磁感应效应变化幅度为1．77V。     

直流偏置电流对钴基非晶带环形磁芯巨磁阻抗效应的影响

将近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应.激励电流频率f＞100kHz时,阻抗随圆周磁场的变化呈现对称双峰曲线;最大阻抗变化率（GMI）max随频率的升高而增大,当频率f=2MHz,幅值Ip=10mA时,（GMI）max=57%.直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.偏置电流较小时,阻抗变化曲线的一边峰值得到加强,另一边峰值减弱;偏置电流较大时,两峰值都被削弱.阻抗变化的不对称性与激励电流的频率和直流偏置电流大小有紧密联系.     

Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应

研究了Ｃｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应。样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的ＧＭＩ效应。在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下,获得了最大的ＧＭＩ效应,磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％。在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在１００ｋＨｚ下,磁电感比达到７６９％。在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在１３     

矩形脉冲电流退火与激励电流对Co基非晶带巨磁阻抗效应的影响

利用矩形脉冲电流对Co_(66.3)Fe_(3.7)Si_(12)B_(18)非晶带进行退火处理,研究了退火电流密度对非晶带巨磁阻抗效应的影响,同时研究了激励电流频率对退火处理后的非晶带巨磁阻抗效应的影响。结果表明,该非晶带的特征频率为1.4 MHz。最大巨磁阻抗所对应的磁场随激励电流频率的增加逐渐向高磁场方向移动。     

非晶带表面波纹对表面粗糙度的影响

观察分析了非晶带表面由平纹、沟纹组成的波纹规律,其频率数量级为１×１０４次／ｓ,平纹和沟纹本身的粗糙度、粗糙度的差值及二者宽度比决定着表面质量。     

非晶态CoFeZr合金的制备及其微波吸收性能研究

采用机械合金化工艺(MA)制备了非晶态CoFeZr材料，使用X射线衍射仪(XRD)分析了其结构，用扫描电子显微镜(SEM)观察颗粒的形貌特征，采用微波网络矢量分析仪测量了试样的微波电磁参数；并研究了工艺条件和材料组分对所合成材料的结构、形貌特征以及微波电磁参数的影响；制得了形貌较均匀、粒度较均一的Co70Fe20Zr10非晶态材料，该材料在2GHz点，μ=4．26，μ=4．22；最后用数值计算模拟方法得到了该材料在2～18GHz的反射率曲线，结果表明该材料可以应用于吸波材料的设计和制备中。     

玻璃包覆钴基非晶细丝的巨磁阻抗研究

深入研究了玻璃包覆的成分为Ｆｅ６８．２５Ｃｏ４．５Ｓｉ１２．２５Ｂ１５,直径为２５ｕｍ的非晶细丝的巨磁阻抗效应。在频率为０．１～１２ＭＨｚ,磁场在０～５．２ｋＡ／ｍ的范围内测量了交流磁电阻、磁电抗、磁阻抗对频率及磁场的依赖关系。发现该细丝材料的巨磁阻抗ＧＭＩ（Ｚ）值在测量频率范围内随频率增大而增大。     

渗流铸造制备Ni-Nb非晶条带增强AZ91镁合金复合材料

利用渗流铸造法分别制备了体积分数约为5%、10%的Ni60-Nb40非晶条带增强的AZ91镁合金复合材料,通过光学显微镜和扫描电镜观察了复合材料的结构和压缩时的断口形貌.结果发现:Ni60-Nb40非晶条带与AZ91镁合金界面润湿性状况较差,有部分分离现象.压缩试验表明:复合材料的屈服强度较AZ91镁合金屈服强度提高,但提高的幅度随着条带体积分数的增加而降低.材料的破坏方式也随条带数量的变化而变化,从应力-应变曲线和断口形貌等方面分析了材料的力学性能及其影响因素.     

弯曲应变下Co66Fe4Cr2Si12B16非晶态合金带应力阻抗效应

对具有负磁致伸缩系数的Co66Fe4Cr2Si12B16非晶合金带在制备态下及经脉冲电流退火下的应力阻抗效应进行了研究.结果表明:长为50 mm的非晶带,在仅5 mm挠度的弯曲应变作用下材料可显示显著的应力阻抗效应,输出电压幅值变化率大于40%.非晶材料经电流密度为35 A/mm2,频率为2 Hz,持续时间为30 s的脉冲电流退火处理后,可改善应力阻抗效应灵敏度.该非晶材料受张应力作用时阻抗减小,受压应力作用时阻抗增大,弯曲应变下的应力阻抗效应可用于制作具有高应变因子的力传感器及新型智能材料.     

FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应研究

研究了频率为40kHz时,线圈匝数、薄带长度和励磁电压幅值对经300℃×1h退火处理Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响.结果表明:磁感应效应随着线圈匝数的增多、薄带的加长以及励磁电压幅值的增大而增强.磁感应效应变化幅度随着励磁电压幅值的增大而增大,随着线圈匝数的增多和薄带的加长呈现出先增大后减小的趋势.