磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应

在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应，这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠构成，出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变。该效应的物理是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射，层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象，在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在，自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景。     

金属磁性多层膜的新颖特性──巨磁电阻效应

磁性和非磁性层交替重构成的金属磁性多层膜常具有巨磁电阻效应，其中每层膜约几个纳米厚。出现巨磁电阻效应的基本条件是：在外磁场下相邻磁层磁化强度取向发生对变化。巨磁电阻效应的物理起源是，其自旋与局域磁化强度平行和反平行的电子受到的散射不同，散射的不同既要嗵来自获射中收的特性，又可能源于两种自旋电子的能态密度的差异。由于信息存储技术中磁电阻“读出”磁头有巨大的应用前景，巨磁电阻效应引起了人们的极大兴趣。     

平行下垂直磁化下多层磁膜巨磁电阻与外磁场关系的唯象理论计算

用Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的唯象理论方法，计算了相邻铁层间具有反铁磁耦合的的层数较多的Ｆｅ／Ｃｒ多层膜，在外磁场平行和垂直于膜面情况下的磁电阻与外磁场的关系，并与实验结果作了比较，符合得较好。在计算中利用对称性条件，对Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的理论进行了简化，求出了电子分布函数和磁电阻的显式解。     

互不固溶磁性颗粒合金巨磁电阻的一个唯象理论

利用随机的自相关函数来描述互不固溶的磁性-非磁性颗粒薄膜体系中传导电子的散射势,从而求得了该体系的电阻率与颗粒尺度的一个函数关系。进而通过引入一个唯象因子以刻划在饱和外磁场下关联长度的增加,得到了巨磁电阻系数的解析表达式,计算结果显示理论能定性地解释磁电阻随铁磁颗粒大小变化的实验结果。     

多层膜的巨磁电阻

本文总结了多层膜中巨磁电阻的物理机制及其研究进展。为了对多层膜磁电阻的各个可能来源有全面的认识，首先简述了正常磁电阻和各向异性磁电阻的原理，然后在本文的主要部分，着重介绍了铁磁金属和多层膜中的自旋相关散射与双电流模型及在多层膜巨磁电阻基础研究和材料研究领域的进展，列举出具有巨磁电阻的各种多层结构。最后报道了巨磁电阻的主要应用。     

第是 金属磁性多层膜的结构及其对巨磁电阻效应的影响

介绍了金属磁性多层膜的微结构和磁结构的研究进展，简要综述了磁性多层膜的结构与巨磁电阻（ＧＭＲ）之间的关系。     

多层膜巨磁电阻特性及电流最佳测量

测量了不同方向外磁场和温度下多层膜巨磁电阻的磁阻特性,给出了巨磁电阻模拟传感器用于电流测量的最佳磁偏置.结果表明:外磁场强度相同但方向不同,对巨磁电阻的作用效果不同,巨磁电阻饱和时,阻值与外磁场方向无关.温度不同,巨磁电阻的阻值不同,磁电阻变化率也有改变.     

磁控溅射Fe/Mo多层膜的巨磁电阻及层间耦合

研究了DC/RF磁控溅射Fe/Mo多层膜的磁电阻特性.在反铁磁性耦合的样品中,观察到了磁电阻比率约为12%的巨磁电阻效应.当Mo层厚度改变时,还观察到了周期约为1.0—1.2nm的层间耦合振荡.另外,F/Mo多层膜的磁电阻比率不仅随Mo层厚度改变出现振荡,而且与Fe层厚度的改变也有着很强的依赖关系. 关键词：     

磁电子学讲座第三讲 磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应

在许多磁性金属多层膜系统中都存在巨磁电阻效应，这些系统是由厚度为几个纳米的磁层与非磁层交替重叠而构成．出现巨磁电阻效应的必要条件是系统的磁化状态能被外加磁场所改变．该效应的物理原因是传导电子在界面处或磁层内的所谓自旋相关散射．层间耦合随隔离层厚度变化而振荡的现象，在隔离层为非磁过渡金属和贵金属的系统中普遍存在．自旋阀多层结构在信息存储技术中磁电阻“读出”头方面极具应用前景．     

磁性多层薄膜系统中的巨磁电阻效应

考虑到量子尺寸效应以及来自杂质、粗糙表面、粗糙界面三方面的散射,运用量子统计格林函数方法和久保理论,计算了磁性多层薄膜系统中的巨磁电阻,讨论了巨磁电阻随非磁层厚度作周期性振荡,以及在(Fe/Cr)_N/Fe系统中巨磁电阻随多层基元数目N增加而增大等现象.理论计算与实验结果符合.此外,还讨论了有关各种散射引起的散射率能否相加的问题. 关键词：     

磁电子学讲座 第九讲 金属磁性多层膜的结构及其对巨磁电阻效应的影响

介绍了金属磁性多层膜的微结构和磁结构的研究进展,简要综述了磁性多层膜的结构与巨磁电阻（ＧＭＲ）之间的关系     

平行与垂直磁化下多层磁膜巨磁电阻与外磁场关系的唯象理论计算

用Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的唯象理论方法，计算了相邻铁层间具有反铁磁耦合的层数较多的Ｆｅ／Ｃｒ多层膜，在外磁场平行和垂直于膜面情况下的磁电阻与外磁场的关系，并与实验结果作了比较，符合得较好。在计算中利用对称性条件，对Ｃａｍｌｅｙ和Ｂａｒｎａｓ等人的理论进行了简化，求出了电子分布函数和磁电阻的显式解。     

自旋阀型[NiFe/Cu/Co/Cu]多层膜的磁电阻、矫顽力和稳定性研究

用电子束蒸镀工艺制备了自旋阀型［NiFe/Cu/Co/Cu］_N多层膜．研究了工艺过程及磁层、非磁层厚度和矫顽力对磁电阻的影响．还研究了磁电阻的稳定性和降低中心磁场等问题．用较优化的方法，制备了中心磁场为（10—20）（10³/4π）A/m，优值大于0.2%（（10³/4π）A/m）^-1的多层膜．实验表明，磁电阻随磁场的变化在中心区内是可逆的．经200℃退火15min，中心磁场略有减小，磁电阻稍有增加．一些样品经一年多老 关键词：     

退火对W/C周期性多层膜X射线衍射性能的影响

对W/C周期性多层膜的退火行为进行了精密X射线衍射测量,引入折射率修正,准确计算了多层膜的周期。观测到退火过程中多层膜周期变大的现象,同时二、三级Bragg衍射强度增大。用C层的密度下降对这些现象进行了解释。 关键词：     

极性晶体中表面磁极化子的温度依赖性

本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱,与表面光学声子耦合强时对表面磁极化子的温度特性的影响,用线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性.对AgCl晶体进行了数值计算.结果表明,极化子的振动频率和诱生势随温度的升高而减小.     

ITERATIVE SEMICLASSICAL SOLUTIONS OF CIP GIANT MAGNETORESISTANCE IN MAGNETIC MULTILAYERS WITH MIXED LAYERS TAKEN INTO ACCOUNT

The problem of solving semiclassically the current in-plane (CIP) giant magnetoresistance in magnetic multilayers with mixed layers taken into account is comprehensively studied. The solution of this problem is attributed to the solution of G-coefficients. A new choice of local spin quantization-axes is adopted so that the number of G-coefficients is reduced from Johnson-Camley's 4(5n+1) to our 4(4n+1). Furthermore, we show that actually only a half number of G-coefficients need be sloved for the symmetric structure and a superlattice can be simplified to a symmetric penta-layered structure. The main result of this paper is the establishment of the iteration method for solving the G-coefficients. Associating this method with that of numerical integration, for which a formulism is developed, the GMR. can be conveniently calculated.     

进口附面层厚度对大转角弯叶片损失的影响

进口附面层厚度对大转角弯叶片损失的影响韩万今，吕红卫，芦文才，王仲奇（哈尔滨工业大学哈尔滨１５０００１）关键词：进口附面层，大转角，弯叶片叶片损失来源于两方面：一是进口附面层带来的“原”损失，二是绕流叶栅产生的新损失。二次流引起“原”损失重新分布，并...     

多层膜线列阵的巨磁电阻和层间耦合

研究了Fe/［NiFe/Cu］₃₀多层膜线列阵的室温磁电阻和磁滞特性，列阵的线密度为250和500线/mm，采用激光全息光刻和离子束刻蚀技术制成.线列阵样品的磁性与刻线加工前的连续膜有明显区别.最大巨磁电阻率有增也有减，最大增量为3.32%.外场平行线轴的矫顽力有的增加有的不变.这除了因为原始连续膜层间耦合态有差异之外，还与由线列阵加工引入的单轴各向异性和其它变化相关. 关键词：     

溅射制备的Co/V多层膜微观结构特征与铁磁共振研究

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Co(1.5nm)/V(d_V)］₂₀(0.5nm≤d_V≤4nm)多层膜的结构和磁性.用X射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析,表明它们层状周期结构良好,沿膜的生长方向具有fcc Co(111)和bcc V(110)织构,且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜.界面一定程度的合金化,使其成为成分调制周期结构,也是它们的一个结构特征.由其铁磁共振谱计算得到较小的g因子和4πM_{e 关键词：}     

溅射制备的Co/V多层膜微观结构特征与铁磁共振研究

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Ｃｏ（１５ｎｍ）／Ｖ（ｄＶ）］２０（０５ｎｍ≤ｄＶ≤４ｎｍ）多层膜的结构和磁性．用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析,表明它们层状周期结构良好,沿膜的生长方向具有ｆｃＣｏ（１１１）和ｂｃｃＶ（１１０）织构,且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜．界面一定程度的合金化,使其成为成分调制周期结构,也是它们的一个结构特征．由其铁磁共振谱计算得到较小的ｇ因子和４πＭｅｆ值,表明多层膜界面存在一定程度的合金化．对于Ｖ层厚度小于２２ｎｍ的多层膜,观测到自旋波共振谱,并作了分析．计算了层间耦合常数,说明Ｃｏ层之间存在较弱的层间交换耦合作用．