导体-介质组合体散射分析两种积分方程法比较

采用耦合积分方程和单积分方程两种方法,分析了三维导体-介质组合体目标的电磁散射问题.与传统的耦合积分方程法相比,单积分方程法使介质体表面的未知量数目减少一半,并且能获得更快的迭代解.讨论了导体-介质交界线上RWG基函数的正确处理问题.对介质锥-导体柱组合体、导体-介质组合球和某导弹模型的雷达截面(RCS)进行了计算和比较,验证了两种积分方程方法的正确性,且数值结果表明单积分方程法更加有效.     

一种分析微带交指滤波器的新思路

本文提出一种直接用耦合多导体多介质结构传输特性计算微波滤波器的方法，它不但考虑了相邻导体，也考虑了所有非相邻导体间的耦合，因此计算精度大大提高。此外，它还可以计算不对称耦合，适应面宽。分区均匀介质填充多导体结构有多个不同传播常数的本征模。这与均匀填充多导体结构有很大差别，即不但要考虑本征阻抗，而且要考虑不同的传播常数。本文用矩阵电报方程求出它们的本征值与本征矢量，从而求得传输特性，最后用网络等效方法优化求得滤波器特性。本文还介绍了由不同宽度谐振腔组成的滤波器的设计     

半导体激光器与光纤耦合系统的研究

采用的耦合系统考虑了耦合方式的简单可行性，耦合系统各个元件的位置和离轴透镜的离轴角度对耦合效率的影响。并且利用高斯传输定理、模式匹配原理和矩阵光学的理论加以分析和解释，得出对半导体激光器与光纤耦合系统结构的设计具有指导意义的结论，对提高半导体激光器与光纤耦合系统的耦合效率提供理论依据。     

4G用漏泄同轴电缆设计与性能研究

本文对漏缆的主要电气性能指标进行了简要阐述,分别介绍衰减、耦合损耗、系统损耗。着重研究分析了内导体尺寸、外导体包覆、外导体开槽形式对衰减、耦合损耗和系统损耗的影响,为4G用漏泄同轴电缆设计提供参考依据。     

小波在导体柱轮廓成像中的应用

本文分别利用Ｈａｒｒ小波和周期正交Ｄａｕｂｅｃｈｉｅｓ小波作为表征导体横截面轮廓和表面电流的基函数，利用Ｎｅｗｔｏｎ－Ｋａｎｔｏｒｏｖｉｃｈ方法将逆散射问题对应的非线性耦合积分方程局部线性化，再用矩量法将线性化的积分方程组化为耦合的矩阵方程形式。利用伪逆方法求解病态的线性方程组。     

静电屏蔽问题中的部分电容与电场耦合

本文以导体屏蔽壳、壳外导体、壳内导体及参考导体(大地)构成的4导体静电独立系统为例,详细分析了其电位系数、感应系数及部分电容的取值特性。结果表明,无论屏蔽壳体是否接地,壳外导体与壳内导体的互有部分电容均为零;屏蔽壳体不接地时,内外导体之间存在电场耦合;屏蔽壳体接地后,内外导体之间不存在电场耦合。     

多导体电容系统多端口表示方法

部分电容是工程电磁场课程的一个重要内容，是电气领域经常应用的重要知识。结合微分形式电荷守恒方程和等效电路模型获得了无损耗多导体电容系统部分电荷守恒方程；基于正弦稳态电路结点导纳法得到了用部分电容和支路电压表示的多端口库伏关系；以3+1多导体电容系统为例，讨论了多导体电容系统的部分电容、感应系数矩阵和电位系数矩阵对应元素关系。该教学思路在教学应用中更易被学生理解和接受。     

精细计算多导体耦合传输线时域响应

本文在多导体耦合传输线时域响应的分析中，引入一种精细计算法，该方法是一种半解析的计算法，它不同用于传统的基于ＦＦＴ的频－时域转换的分析法，而是直接在时域内分析，并且不需要对耦合的电报方程进行解耦，具有快速，简便，准确等优点。     

外部电磁场对屏蔽多导体电缆系统耦合影响的分析

本文给出了一个有效的、用以分析外部电磁场对屏蔽多导体电缆系统电耦合影响的方法，适用于电缆的频域或时域电磁兼容分析。     

外场作用双导线的电磁耦合时域分析方法

基于时域有限差分（finite-difference time-domain，FDTD）法和传输线方程，并结合插值技术，研究了一种高效的时域混合算法，能够快速模拟电磁波照射自由空间和屏蔽腔内双导体传输线的电磁耦合，并实现空间电磁场与双导线瞬态响应的同步计算.该算法先采用FDTD方法模拟双导线周围空间的电磁场分布，结合插值技术构建适用于双导线电磁耦合的传输线方程，再采用FDTD的中心差分格式进行离散，从而求解得到传输线和端接负载上的瞬态响应.同时，分析双导线间距对其电磁耦合的影响，掌握其耦合规律.通过相应数值算例的模拟，并与FDTD方法进行对比，验证了该时域混合算法的正确性和高效性.     

矩量法分析屏蔽导体内的多层介质多导体传输线

利用矩量法分析屏蔽导体内的多层介质多导体传输线。首先，建立该问题的算子方程；然后离散化算子方程，通过对导体和介质分界面的总电荷及介质和介质分界面自由电荷的自由空间二维格林函数分析，得出矩阵方程；最后得出屏蔽导体内多层介质中各导体的电容矩阵和电感矩阵。数值结果与现有类似结构分析结果相比较一致性较好。     

接触电阻和扭距序列作用下CICC耦合损耗模型

国际热核试验反应堆ITER和国内今后要建造的聚变工程实验堆CFETR上的CICC导体，将运行在大电流快速励磁的瞬变复杂磁场中，这使得中心螺线CS磁体上的导体会遭受10T以上的磁场冲击，目前已采用铌三锡(Nb₃Sn)材料，但应变对Nb₃Sn导体临界性能退化作用的研究还在探索中，同时更缺乏导体绞缆级扭距序列和股线接触特性对耦合损耗影响的实验分析研究.为此，在周期载荷模拟应变情况下，开展了不同扭距序列和导体接触电阻对耦合损耗作用的探索.研究分析表明，相对于经典耦合损耗和频谱损耗计算模型，由导体扭距序列比和接触电阻作用组合分析模型，计算获得的耦合损耗误差较小，与测试值最接近.结果显示采用扭距序列比和接触电阻组合的计算方法能取得较满意效果.     

半导体激光器光束耦合效率研究

在远距离无线光通信中,接收点光功率与光束发散角平方成反比。为了获得小的光束发散角和大的功率耦合效率,必须研究光束准直系统与耦合效率的关系。根据非傍轴远场光分布理论,用光线追迹法对半导体激光器光束准直系统中的功率耦合效率进行研究,给出半导体激光器光束耦合效率的计算方法,并进行计算机模拟。这里的研究结果对半导体激光器光束准直系统设计具有一定的指导作用。     

激光混沌耦合同步及其在保密通信中的应用

建立了外部光注入半导体激光器激光混沌耦合同步系统，导出了耦合条件下的激光扰动方程和激光同步扰动方程。成功模拟了外部光注入波长1．3lμm分布反馈半导体激光器的激光混沌耦合同步，其同步误差小且抗噪声干扰能力强。该同步系统在混沌模拟和数字保密通信中的数值模拟表明，无论是在时域还是在频域，信息都难以被分离，该系统确有较高的保密性能和反破译能力。     

电磁格点理论在有耗介质涂层导体薄片上TE波散射中的应用

在ＴＥ波入射下，对于计算二维封闭导体柱散射问题所常用的磁场积分方程法，当用于导体薄片时将会失效．本文采用电磁格点理论和电场方法研究这个问题．结合二维介质柱的电磁格点方程，解决了有耗介质涂层导体薄片的ＴＥ波散射．文中给出计算实例．     

电磁点理论在有耗介质涂层导体薄片上TE波散射中的应用

在ＴＥ波入射下，对于计算二维封闭导体柱散射问题所常用的磁场积分方程法，当用于导体薄片时将会失效。本文采用电磁格点理论和电场方法研究这个问题。结合二维介质柱的电磁格点方程，解决了有耗介质涂层导体薄片的ＴＥ波散射。文中给出计算实例。     

导线贯通金属腔体端接负载电磁脉冲响应规律*

为分析金属导体贯通腔体时导体腔内端接负载电路的电磁脉冲耦合响应,基于时域有限积分方法的 电磁数值计算软件CST 建立了贯通导体端接负载电磁辐射响应耦合模型,研究了高斯脉冲作用条件下入射电场角 度、贯通孔径、外部导体长度、端接负载等对终端负载响应的作用规律,分析了耦合机理。基于GTEM 室搭建了实验 平台,在贯通导体两端开路条件下,通过测量腔体的屏蔽效能,与数值计算结果对比,两者吻合较好。结果表明:贯 通导体方向的电场分量大小对终端负载耦合电压影响显著;入射波长远大于贯通孔径时,贯通导体为主要耦合通 道;负载耦合响应与裸露导体长度、导体半径成正比;负载变化时,自身响应电压随阻值变化,而对另一端负载响应 电压影响不大,两端阻值变化导致负载响应电压波形的衰减振荡不同;容性或感性阻抗是影响响应电压及频率的关 键因素之一。     

偏振模色散对波分复用系统性能影响的仿真分析

基于多波长光波在双折射光纤中传输的非线性耦合方程，用分步傅立叶变换求耦合方程的数值解，仿真分析了偏振模色散对波分复用系统脉冲波形的影响，并进一步仿真分析了输入功率、啁啾系数、占空比不同时，偏振模色散对系统性能的影响。     

基于理想导体界面的三维激光漫反射特性

针对激光点对点通信方式的不足,提出了利用海面作为激光漫反射媒介进行组网通信的设想,并对激光入射理想导体表面后产生的散射场进行了的研究。首先利用三维锥形波对三维入射激光束进行了模拟;然后对散射场在各个方向上的分量之间的耦合关系进行了研究,并列出矩阵方程;最后通过结合格林函数谱积分加速算法的前后向迭代法求解矩阵方程,得出三维散射系数,准确的表示了基于理想导体界面的三维激光漫反射特性,为进一步研究三维激光海面漫反射特性奠定了基础。     

多导体传输线高频分布参数分析

多导体传输线高频场线耦合研究是当前电磁兼容研究的重点和难点,而多导体传输线上的耦合响应与线上的高频分布参数紧密相关。由于经典传输线理论中采用准TEM波近似,使其不适用于求解高频分布参数。为此,从基于TLST理论的非均匀多导体传输线高频场耦合模型出发,对多导体传输线高频分布参数进行了研究和分析,计算出多导体传输线上的沿线单位长度高频分布参数,并将其与利用经典传输线理论计算得到的结果进行了比较,对二者的差异进行了分析,最后通过高频场线耦合算例说明了本文高频分布参数计算的正确性。