高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m2到20000 cd/m2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 mA/cm2时,色坐标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。该器件在1000 cd/m2和500 cd/m2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。     

顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究

本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP∶Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Mg∶Ag.为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能.研究表明,在掺杂比分别为1.0％、1.5％、1.8％、2.0％、2.3％、2.5％的绿光OLED器件中,2.0％的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究显示,发光层主体材料MCP与掺杂料Ir(ppy)3的最佳掺杂比例为1∶0.02,主体材料薄膜厚度为250(A).在20 mA/cm2的电流密度下,得到器件电压为3.62V,亮度为4622 cd/cm2,色坐标(X,Y)为(0.33,0.61).     

基于PEN柔性衬底的顶发射微腔OLED性能研究

设计了结构为Ag/MoOx空穴注入层(HIL)/有机层/LiF/Al/Ag/Alq3的柔性有机电致发光器件(FOLED),研究通过改变HIL层的厚度改变腔长实现对微腔效应的调节,制备了性能优化的微腔FOLED。通过器件性能的对比,得到了可用Ag作为反射阳极的顶发射微腔FOLED全彩显示器件优化结构,即蓝、绿和红FOLED对应的优化HIL层厚度分别为100nm、120nm和160nm。     

有源矩阵小分子型OLED微显示器件

便携性、高亮度、低功耗、高清晰度、无线连接是对电子技术提出的新挑战。为此，世界各大公司正对微显示器件不断增加研发和生产的力度。本文介绍了OLEO技术在微显示中的应用及SXGA级分辨率OLED微显示的设计和结构，并对有源短阵OLED微显示器的性能进行了讨论。     

微腔结构对红光磷光OLED的性能的影响研究

使用新型红光磷光材料R-4B作为微腔有机电致发光显示器(OLED)的发光层,高反射Al阴极和半透半反Al阳极为微腔的两端反射镜。制备的器件结构为Al(10nm)/MoOx(Ynm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(4%)(30nm)/BCP(10nm)/AlQ(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。讨论了腔长的变化对器件性能的影响。结果表明,微腔结构可以使光谱窄化,随着MoOx厚度Y的增加,其峰值波长由600nm增至668nm。当MoOx厚度为40nm时,其发光强度最大,峰值波长为608nm,半高宽(FWHM)为50nm,器件的最大亮度为35 300cd/cm2,最大效率可达23.5cd/A,得到了性能较好的红色磷光OLED。     

顶发射绿光OLED器件制备及其光电性能研究

实验制备了结构为多层阳极/EHI608/NPB/Alq3:ELL/ETL1/LiF/Mg:Ag/CPL的硅基绿光有机电致发光OLED器件,研究了不同掺杂浓度对器件驱动电压、亮度、发光效率和EL光谱影响.在此基础上,通过在阴极上制备了一定厚度的阴极耦合层CPL,并研究了阴极耦合层对OLED器件微腔效应影响.结果 表明,随着发光层掺杂浓度的增大,器件驱动电压、发光亮度和效率逐渐增加,并出现EL光谱发光峰位红移.同时,随着CPL厚度增加,多层膜系ETL/EIL/Mg:Ag/CPL透过率逐渐增加,当阴极耦合层CPL厚度在30 nm时候,多层膜系结构的透过率和透过频带较高,多层膜系透过率光谱坐标接近白光(0.33,0.33)等能点.此时,顶发射绿光OLED器件在不同视角下EL光谱的蓝移现象最大限度得到了抑制,且EL光谱半峰宽明显增加.     

镱银阴极对顶发射白光OLED器件光电性能的影响研究

研制了以镱银合金为透明阴极的顶发射白光OLED器件。采用ITO/NPB: LiQ（5%）（10 nm）/TCTA（20 nm）/FIrpic+3.5% Ir(ppy)₃+0.5%Ir(MDQ)₂(acac)（25 nm）/TPBI（10 nm）/LiF（5 nm）/Yb: Ag (X%)（X nm）器件结构,在相同镱银比例下,蒸镀不同厚度的镱银合金阴极制备了新型顶发射白光OLED器件,获得了优化的镱银合金厚度为12 nm;固定镱银阴极厚度,蒸镀不同比例的镱银合金阴极制备了新型顶发射白光OLED器件,探究不同比例的镱银合金对有机电致发光器件的影响。结果表明,当镱银电极的掺杂比例为10:1时,器件的性能最佳,在20 mA/cm2电流密度下,器件的驱动电压为2.3 V,亮度为1406 cd/m2,色坐标为(0.3407, 0.3922)。     

无线OLED微显示器系统的设计与实现

针对现有微显示器系统采用硅基液晶(LCOS)带来的功耗、用户体验不佳,以及图像发送端和微显示器之间一般通过物理电线连接,或者采用传输效率不高的无线图像传输协议等问题,采用OLED微显示器和基于非压缩数据的无线图像数据传输协议WHDI的无线传输模块,利用FPGA EP2C8Q208C8作为核心控制器件,设计了主控制器以及OLED微显示器的驱动与控制模块,从而完成了整个无线OLED微显示器系统的设计,实现了高清图像的无线实时传输和显示。     

微机械光学器件

微机械光学器件是利用MEMS技术制作的光学元件及器件，目前制备出的微光学器件主要有微镜阵列、微光扫描器、微光阀、微斩光器、微干涉仪、微光开关、微可变焦透镜、微外腔激光器、光编码器等。     

微腔结构顶发射有机白光器件

结合微腔效应,通过调节不同发光层的厚度制作了顶发射有机白光器件.器件结构为Si/Ag/Ag2O/m-MTDATA/NPB/DPVBi/DCJTB:Alq3/Alq3/LiF/Al/Ag,其中DPVBi,DCJTB与Alq3的掺杂层分别作为蓝光和红光发光层,在选定490 nm的谐振波长时,通过调节DPVBi和掺杂层的厚度来实现对器件发光色度的调节.当DPVBi厚度为1 nm,电压为9 V时,器件的色坐标为(0.33,0.34),非常接近白光等能点.此项工作为利用微腔效应制作高效率高亮度顶发射白光器件奠定了基础.     

有机微腔发光的研究进展

分别介绍了小分子和聚合物平面微腔发光的发展历史、研究现状和国际上的最新进展,并提出以后的发展方向,指出对微腔的研究不但可以深化人们对空间限域条件下光子与分了相互作用的认识,还可以推动有机EL的实用化进程。     

顶发射有机发光二极管中的光学性能研究

分别研究了顶发射有机发光二极管光输出耦合层、薄膜封装层以及出光界面对光出射强度的影响,同时综合优化器件的光学性能提出了相应提高硅基OLED器件的性能方法,提出制备高亮度硅基OLED器件新思路。     

BCP增透膜对顶发射器件发光性能的影响

制作了基于有机材料2,9-二甲基4,7-二苯基-9,10-菲咯啉（BCP）作增透膜的硅基顶发射有机电致发光器件,探讨了BCP增透膜对于器件亮度、效率等光学参数的改善以及对于器件光谱的影响,并结合微腔理论和转移矩阵理论进行了计算,验证了理论与实验结果的一致性。     

增强型有机半导体微腔发光器的研究

本文主要研究了有机半导体微腔发光增强性质的问题,微腔的发光层由空穴转移型对次苯基聚合物和电子转移型的染料掺杂8羟基喹啉铝质结构组成,通过调节Al和ITO电极之间有机聚合物层厚度达到微腔效应。研究结果表明这种结构的微腔极大地增强了电致发光效率。     

利用磷光敏化和空穴阻挡层提高白光OLED性能

利用磷光敏化和BCP的空穴阻挡作用,制备了结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPBX(20nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/CBP∶6%Ir(ppy)3∶15%ADN(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的有机白光器件。器件在电压为7V的情况下,最大发光效率达到5.80cd/A,在12V的电压下最大亮度达12395cd/m2,色坐标为(0.30,0.30),接近白光等能点(0.33,0.33),比非敏化器件最大发光效率3.10cd/A(7V)和最大亮度10390cd/m2(12V)及非敏化不加空穴阻挡层BCP的器件最大发光效率2.13cd/A(8V)和最大亮度8852cd/m2(12V)的性能提高很多。     

有机电致发光的全彩色显示

有机电致发光显示器(OLED)作为一种新型的平板显示器件，由于其突出的优点，对现有的显示技术产生了强有力的冲击，目前实现彩色有机电致发光显示器是OLED研究的热点。因发光材料和工艺的多样性，可以有多种途径实现彩色显示，本文详细介绍了有机电致发光常用的彩色化技术。     

新型Al/Mo底电极的顶发射有机发光二极管性能研究

提出了一种新型底电极结构,使用铝钼双层薄膜作为顶发射有机发光二极管的底电极。同时分别从底电极结构、顶电极结构、空穴注入以及出射光谱等方面对器件性能进行分析和优化,最终得到的器件电流效率达到6Cd/A以上,比优化前的器件效率提高了5倍以上,加强了对TEOLED器件的性能影响因素的理解。同时也比Mo作为底电极时的器件性能实现了提高,展示了此电极结构在顶发射OLED中的应用潜力,为下一步在硅基OLED显示器件中的应用打下基础。     

用有机层厚度匹配法制作的有机电致蓝光器件

采用各有机层厚度匹配的方法制备了具有较好性能的有机电致蓝光器件.器件的基本结构为:ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/Alq3/LiF/Al.当2T-NATA的厚度为20nm, NPBX的厚度为15nm, DPVBi的厚度为35nm, Alq3的厚度为30nm, LiF的厚度为0.5nm时,器件的性能最好.在电流密度为796mA/cm2时,最大亮度达到11600cd/m2,在电流密度为30mA/cm2,器件的效率达到最大为2.32cd/A.器件的开启电压较低,在6V工作电压下,亮度达到207.3cd/m2.在5～13V较大的范围内,色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.16,y=0.15附近.