MNOS电容辐照吸收剂量计的研究

从理论上给出了具有存储特性的 MNOS电容在存储电荷后经受γ射线辐照的响应规律 ,并利用这一特性制作电子辐照吸收剂量计。采用 L PCVD工艺制作了具有存储特性的 MNOS电容 ,经自行研制对存储电荷干扰极小的 MNOS电容辐照实验测试系统 ,对样品进行了 60 Co辐照响应规律的研究。结果表明 :MNOS电容电子辐照剂量计适用于 10 3 ～ 10 5Gy范围内的累计剂量的测量。这种新型剂量计的优点是 :一次性校准可重复多次使用并可直接读数的电子测量方式 ,便于测量自动化 ,非常适用于太空飞行器和核技术应用中累计剂量的测量。     

MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究

本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和d分别为1.47×10~(10)cm~(-3)、1.09eV和50A,模型参数τ_o及v_o和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO_2膜Si/SiO_2界面上态密度的D_(it)(E)分布,其结果和MOS结构中厚SiO_2膜的界面情况类似.     

集成双极晶体管基区表面电势的二维模型及其应用

基区表面电特性对双极器件影响很大,本文建立了集成双极npn晶体管基区表面电势的二维模型。文中还通过对采用SiO_2膜和Si_3N_4-SiO_2双层膜一次钝化的电容(MOS和MNOS)和栅控npn晶体管的表面电特性的研究,发现SiO_2-Si_3N_4一次钝化膜能有效地减小基区表面电势。     

不挥发半导体存贮器

本文试图对不挥发半导体存储器进行观察和评价,其中包括电荷存贮器件和具有铁电栅绝缘体的场效应晶体管。电荷存储器进一步又分为两类:1)电荷俘获器件,如MNOS和MAOS;2)悬浮栅器件,如FAMOS和DDC。 为了获得实际的不挥发存储的途径,简短地讨论了挥发半导体存储器。提出了不挥发存贮器的新结构,探索了存贮陈列密度的理论极限。     

射频离子辐射损伤的激光退火

本文介绍了等离子刻蚀和去胶对MOS、MNOS电容器和双板晶体管所产生的辐射损伤的激光退火，用连续CO2激光器从背面照射蕊片，可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱，完全消除辐射损伤，使被损伤的器件特性得到恢复并有所改善，使集成电路成品率明显提高。     

MNOS电容的辐照吸收特

本文报道MNOS存储电容的辐照吸收规律与电容对存储电荷的保留特性之间有一定的内在联系：在SiO2膜辐照响应的集总常数保持不变时，样品对存储电荷的保留能力越强，则辐照响应的敏感剂量越往小剂量方向移动。     

晶体管的特性显示(上)

一、引言晶体管电路的一系列优点,使电子设备晶体管化已成必然趋势.由于制造工艺上难以控制,同类型号晶体管特性的均一性较差,这给电路设计者带来不少困难.因此,晶体管性能的测试引起了普遍的重视,以期寻求精度较高、方便、迅速可靠的晶体管性能鉴别方法.本文介绍一种小功率晶体管特性的快速显示装置.应用电流表电压表的逐点描迹法是获得晶体管特性曲线的最简单的方法,测量精度高,约为1～3%.     

PZT铁电场效应晶体管电学性能

采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁电场效应晶体管.研究了铁电场效应晶体管的C-V特性、I-V特性以及写入速度.顺时针的C-V滞回曲线和逆时针的Id-Vg滞回曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应,并且在-5V到 5V的Vg电压下从C-V和Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口.     

带内建二极管的彩电行管瞬态热阻的测量

本文以实验比较了一般功率晶体管和带内建二极管的功率晶体管的EB结的温度特性,分析了并联在EB结上的扩散电阻Rb对测量晶体管△V_(BE)E产生影响的原因.提出了带内建二极管的功率管△v_(BE)测量条件.     

一个应引起重视的高频参数——晶体管r_(bb'''')C_c乘积

一、引言众所周知,晶体管有放大信号的功能,但当输入交流信号频率升高时,晶体管放大能力要下降,这是所有晶体管的共性.然而实际测量表明:不同晶体管放大能力显著下降的频率各不相同,例如有的晶体管(低频管)的放大能力在几十千赫就开始下降了,但高频和微波晶体管一直可以工作到几百兆赫甚至更高,而且同一种型号的晶体管的放大能力也相差甚多.这些都说明了合理和正确测量晶体管的高频特性就显得极为     

PZT铁电场效应晶体管电学性能

采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁电场效应晶体管.研究了铁电场效应晶体管的C-V特性、I-V特性以及写入速度.顺时针的C-V滞回曲线和逆时针的Id-Vg滞回曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应,并且在-5V到+5V的Vg电压下从C-V和Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口.     

浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究

对浮栅晶体管进行了⁶⁰Co-γ射线总剂量辐照试验，研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性，通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火，分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程，监测了浮栅电荷存储能力。结果表明，辐照导致浮栅晶体管中多晶硅浮动栅极存储电荷的丢失，界面处感生的陷阱电荷数量远少于氧化物陷阱电荷及浮栅中电荷丢失量，退火效应可恢复浮栅受辐射影响的存储能力。试验数据为浮栅晶体管在电离辐射环境的测试及应用提供参考。     

晶体管电路设计(四)

四、晶体管变频电路关于晶体管变频特性的分析可以采用分析放大特性一样的方法,直接引进一组变频参数,通过这些参数的测量就可以象计算放大电路一样来计算变频增益等;也可以根据晶体管的非线性特性导出一个变频等效电路,再利用它来进行分析计算;而更为直观一些的方法,则可以把晶体管变频电路的作用分成两步来进行分析.首先求出接收信号和本地振荡信号通过晶体管非线性输入阻抗的混频作用,产生了中频     

MOS 场引晶体管双极理论和实验

提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.     

MOS场引晶体管双极理论和实验

提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.     

用氧化镉(CdO)为发射区的InGaAsP/InP双异质结晶体管

本文提出和研制了一个新型的InGaAsP/InP双极型晶体管.在单片集成电路中它能与1.55μmInGaAsP/InP双异质结激光器共容而组成一个晶体管-激光器器件.该晶体管的主要特点是采用氧化镉(CdO)薄层作为器件发射区,由InP组成收集区而形成NpN双异质结晶体管.测量结果表明晶体管能双向工作,测得的正向共发射极电流增益为40(V_(CE)=5V,Ic=1mA),反向增益为8(V_(CE)=1.5V,Ic=100μA).文中还给出了h_(fe)—I_c特性和晶体管CdO-InGaAsP发射结的伏安特性.     

简易自动晶体管特性图示仪

该简易自动晶体管特性图示仪以AT89S52单片机为控制核心,由D／A来输出扫描电压和阶梯电流,可以自动识别晶体管的管脚与极性,并测量共射组态下三极管的特性曲线与主要参数以及稳压二极管的反向伏安特性。系统采用示波器作为图形显示终端．可直接从示波器上观察到稳压二极管、三极管的特性曲线．并可同时测量晶体管的主要参数：交／直流电流放大倍数、反向饱和电流Iceo和H参数。     

晶体管参数的测量方法和测试仪器

在晶体管线路設计和晶体管研制工作中,对于晶体管性能和各种參数,需要能够迅速而准确地进行测量。現在就来談谈我們所用的一些测量方法和測試仪器。一、直流特性的測量 (1) 静态特性曲线一种典型晶体管靜态特性曲线(共基极),如图1所示。     

部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性

分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法.     

光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。