共查询到17条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
提出一种新型高速低工作电压的嵌入式flash灵敏放大器,该灵敏放大器由一个新型的位线稳压器和一个折叠共射-共基放大电路组成.基于0.13μm标准CMOS单元库的仿真结果表明,该灵敏放大器在-40℃~150℃的温度范围内有快速的读取速度,在最差工作环境下读取时间为17ns,最佳工作环境下为10ns,常温1.2V条件下的读取时间为12.5ns. 相似文献
2.
3.
4.
提出了一种CMOS SRAM读出灵敏放大器的新结构。该放大器同传统的PMOS电流镜放大器和PMOS交叉耦合放大器相比,具有速度快、增益大、功耗小等特点,可广泛应用于SRAM的设计中。最后,用HSPICE的仿真结果证明了该设计的正确性及其优点。 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
一种快速、低压的电流灵敏放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种快速和低工作电压的非挥发性存储器的电流灵敏放大器。该电路采用自控恒流预充电路提高灵敏放大器的放大速度。TSMC的0.18μm模型库的HSPICE仿真结果表明,电路在-40℃~125℃范围内有快速的读取速度,在1V工作电压和室温下,电路的读取时间是33ns。 相似文献
10.
11.
提出了一种带反馈放大器的电流灵敏放大器 ,将用于放大的 NMOS管同时作为位线多路选择器( MU X) ,与一般的电流灵敏放大器相比 ,延迟时间更短 ,而且更适于低电源电压工作。同时分析了阈值电压失配对电流灵敏放大器的影响 ,结果表明 ,失配不仅可能增大灵敏放大器时延 ,甚至造成误放大 ;带反馈放大器的电流灵敏放大器能够有效地抑制阈值失配的影响 ,其性能和可靠性良好。 相似文献
12.
13.
由于器件尺寸越来越小,器件之间的失配越来越严重,由器件失配引起的失调电压对灵敏放大器性能的影响越来越大。针对此情况,根据灵敏放大器的工作原理,提出了一种具有失调电压自调整的灵敏放大器,通过增加校准支路来平衡灵敏放大器两边的放电速度,从而降低失调电压,减小其对灵敏放大器性能的影响。基于SMIC 65 nm CMOS工艺的后仿真结果显示,在电源电压1.2 V、TT工艺角、室温条件下,相比于传统的灵敏放大器,该新型灵敏放大器的失调电压的标准偏差降低了61.9%,SRAM的读关键路径延迟降低了25%。 相似文献
14.
15.
16.
基于DSP的高速外扩存储器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍一种能与DSP速度相匹配的外扩高速存储器的设计,外扩存储器按地址分为2个模块:一个是SRAM模块,另外一个是FLASH模块,一个作为数据存储器,另一个作为地址存储器。采用IS61LV25616作为SRAM,这种存储芯片的存取时间快且功耗低,非常适合与高速的DSP配合使用;FLASH采用的是三星公司生产的存储器K9F1G08。各个模块从元器件的选择、硬件实现方面介绍了存储器的实现过程。在FLASH模块中还介绍了K9F1G08写操作流程,并简单描述了DSP的在线编程方法。该系统在现场实时采集系统中发挥了重要的作用,给后续数据的分析提供了宝贵的数据材料。 相似文献
17.