30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护

系统介绍３０ｋＶＡ逆变电源中ＩＧＢＴ的驱动与保护技术。提出ＩＧＢＴ对驱动电路的要求,介绍三菱的ＩＧＢＴ驱动电路Ｍ５７９６２Ｌ和逆变电源中ＩＧＢＴ的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。     

具有完善短路保护功能的IGBT驱动器HL402

研制出具有降栅压逻辑模式及软关断两种保护功能的ＩＧＢＴ厚膜驱动器的ＨＬ４０２，解决了低饱和压降ＩＧＢＴ的短路保护问题，经短路实验证明，该ＩＧＢＴ驱动器具有优良的驱动和保护性能。     

对三电平IGBT变流器两种缓冲电路的研究

总结了三电平变流器的几种缓冲电路,分析了ＩＧＢＴ的失效特点,并进一步提出了两种应用于三电平ＩＧＢＴ变流器的新型缓冲电路。这两种缓冲电路有效地钳制了每个ＩＧＢＴ关断时的ｄｖ／ｄｔ和过电压。其中第１种缓冲电路最简单,没有内外ＩＧＢＴ电压不均现象。实验波形证实,这两种电路都是可行的。     

IGBT模块的研制

ＩＧＢＴ模块的研制ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅｓ￥／／北京电力电子新技术研究开发中心李福旺（北京１０００８８）１前言绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ）是集功率ＭＯＳ和双极型晶体管优点于一身的电压控制型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、通...     

IGBT特性的中子辐照效应

简述了中子辐照射ＩＧＢＴ特性的影响；给出了器件在中子辐射注入剂量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果，实验发现，随着中子注入剂量的增加，开关缩短，阈值电压漂移。对研究的注入剂量范围，所观察到的中子效应是因ＩＧＢＴ少子寿命的减少造成的，而不是因有效掺杂浓度的变化引起的。     

从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步（一）

对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅一源极阈值电压的离散性在缩小,栅一源极闽值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通／关断的一致性在提高。     

IGBT脉冲电源系统的设计与研究

分析了ＩＧＢＴ脉冲电源的工作原理。设计了两套运行参数分别为１ｋＶ／４２０Ａ／３００ｎｓ／６００Ｗ和６ｋＶ／３２Ａ／５００Ｗ的ＩＧＢＴ脉冲电源装置,给出了实验结果。     

大功率IGBT瞬态保护研究

在分析ＩＧＢＴ瞬态过程中发生的故障的基础上,针对两种主要的故障类型分别提出了相应的保护方案。对正常工作时发生的故障,采用缓冲电路对ＩＧＢＴ开通关断时的瞬态电压峰值进行有效抑制;短路时则采用钳位保护电路实现对短路电流的快速检测,限制,钳位及瞬态电压峰值的抑制。实验结果表明,这两种方案是切实可行的。     

开关式励磁调节器主回路研究

开关式励磁调节器主回路设计中需要考虑的两个主要问题是开关器件的尖峰电压和冲击电流。在分析了关断过程中产生尖峰电压的主要原因基础上,提出了开关式励磁调节器限制ＩＧＢＴ（绝缘栅双极型晶体管）关断时的尖峰过电压的有效方法,即直流发电机两端并联大容量电容和ＩＧＢＴ两端并联吸收网络,并根据开关状态下电路的近似分析证明了并联大电容以后的稳定性,另外分析了产生开通时冲击电流的原因,还给出了立回路缓冲网络参数确定     

无刷直流电动机控制电路栅极电源的获得方式

无刷直流电动机控制电路栅极电源的获得方式钟仁人（西安徽电机研究所７１００７７）１无刷直流电动机桥路中ＶＭＯＳ（或ＩＧＢＴ）的栅极电源无刷直流电动机广泛采用桥式电路，而ＶＭＯＳ管或ＩＧＢＴ是其主要应用的功率器件。图１绘出了ＶＭＯＳ管的三相桥路（绕组星形...     

新型功率器件IGBT研制

对ＩＧＢＴ的伏安特性，开关特性及闩锁效应进行了系统研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ版图及工艺进行了优化设计。合作开发了适合制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料。研制成功了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，并给出了测试结果。     

GTR和IGBT吸收电路参数的选择

ＧＴＲ和ＩＧＢＴ吸收电路参数的选择成都佳灵电气制造公司吴忠智，吴加林ＴｈｅＳｅｌｅｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅＧＴＲａｎｄＩＧＢＴＳｎｕｂｂｅｒ＇ｓＰａｒａｍｅｔｅｒｓＧＴＲ和ＩＧＢＴ组装的逆变器，主电路线路和吸收电路的引线均有电感，负载大多为感性负载，且这...     

75kVA IGBT PWM变频调速装置研究

本文介绍大容量ＩＧＢＴ ＰＷＭ变频调速装置的设计方法。采用具有软关断特性的驱动、无损耗吸收及１６位微机实现的电压空间矢量ＰＷＭ控制等技术，研制出７５ｋＶＡ ＩＧＢＴ ＰＷＭ变频调速装置。试验结果表明该装置性能优良，具有更广的应用价值。     

GB/T19000-ISO9000 系列标准有关问题问答

ＧＢ／Ｔ１９０００－ＩＳＯ９０００系列标准有关问题问答ＧＢ／Ｔ１９０００－ＩＳＯ９０００系列标准是何时发布、实施的？答：ＧＢ／Ｔ１９０００－ＩＳＯ９０００：１９９４质量管理和质量保证系列标准由国家技术监督局１９９４年１２月２４日发布，自１９９５年６月...     

高频IGBT模块的封装技术

采用计算机辅助设计技术，优化设计了高频ＩＧＢＴ模块的内部结构；利用紧密的布局减小了分布电感；通过ＩＧＢＴ芯片的对称定位和连接路线的最佳选择，使分布电感量相等。同时，亦合理地设计了ＩＧＢＴ模块的内部结构件，改进了ＩＧＢＴ模块的封装工艺，使模块的热阻较小。     

基于电参数的IGBT开关瞬态过程耦合关系分析

IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首先,分析了IGBT内寄生PIN结构、集射极电压对栅极控制模型的影响。其次,基于栅极控制模型的分析,提出集电极电流的拟合次数应考虑电流变化过程持续时间及计算场景,二次及以下多项式拟合可近似描述集电极电流波形并开展功率损耗分析,但不适于电流变化率和感应电压分析。再次,比较了开通和关断过程计算所得回路寄生电感值的差异,提出了不同过程计算回路寄生电感的适用范围及FWD封装寄生电感的计算方法。最后,分析了瞬态过程栅极电压和集射极电压的耦合关系,提出了通过栅极电压估计集射极电压的状态监测方法并进行了实验验证。     

电子辐照对IGBT关断和通态特性的影响

分析了ＩＧＢＴ关断电流断形。指出ＩＧＢＴ的电流下降波形由迅速消失的ＭＯＳＦＥＴ电流和基区载流子复合引起的指数衰减电流两部分组成。给出了电流下降波形与基区电子辐照剂量的关系及关断时间与通态压降的折衷关系。     

自关断器件厚膜驱动电路的研制

采用ＳＭＴ厚膜贴装工艺研制出适合ＧＴＲ，ＧＴＯ，ＩＧＢＴ等自关断器件用的ＨＬ系列厚膜驱动电路模块。本文给出驱动电路模块的原理，电路参数及使用方法。     

新型功率器件（IGCT）的工作原理及其设计技术

阐述了新型功率半导体器件－－集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（ＩｎｊｔｅｇｒａｔｅｄＧａｔｅ Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,兼具ＧＴＯ爱损耗低和ＩＧＢＴ关断均匀的特点。由于其开关频率高,易于串联,故适合在中电压大功率领域使用。     

新型大功率IGBT全桥零电流DC—DC变换器

提出一种新型大功率ＩＧＢＴ全桥主换器，这种变换器在传统的ＰＷＭ硬开关全桥电路控制主式的基础上，使其中两只功率晶体管的关断适当延时，从而使这两只元件实现零电流无损耗关断。