自对准结构α—Si：H TFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制备自对准结构的αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－Ｓｉ ＴＦＴ。它可以有效地提高自对准αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态ＩＯＮ，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ＞１０＾５。     

a—Si：H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。     

识别真正的创新--SID 2005评论

在SID 2005会议上的许多展品都是令人印象深刻的,虽然并不全是真正的创新产品.背光技术的多项重大进展以及遍及全行业的背光技术革命的启动成为本届展会的亮点.     

多晶硅有源矩阵液晶显示器

本文首先就用来制造有源矩阵液晶显示器的非晶硅和多晶硅材料作了性能比较,然后描述了多晶硅薄膜晶体管阵列的制造方法,以及在制造方法上取得的进展。     

a—Si：H TFT电流—电压特性研究

本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性分析及其电路优化。     

液晶显示器的发展及其光电特性

简要介绍薄膜晶体管液晶显示器的发展，分类及其主要光电特性。     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

TFT—LCD的基本结构和TFT制造技术

ＴＦＴ—ＬＣＤ的基本结构和ＴＦＴ制造技术１引言随着信息社会的高度发展，用于人─—机联系的显示越来越重要了。由于计算机趋向于小型化，因此，与计算机连接的显示器件也要求体积小、重量轻、耗电少。从根本上来说，就是要以新的显示器件来取代持续４０多年唱主角的Ｃ...     

金属／α—Si：H（Y）结构的整流特性

在掺稀土元素钇(Y)制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅,即α-Si:H(Y)薄膜上,蒸发一层面积为3mm~2的Au或Al膜,从而形成一种金属/α-Si:H(Y)结构。测量该结构的电流—电压特性,结果观察到明显的Schottky势垒整流效应。但与通常情况不同,当加偏压使金属为负时出现电流的导通态,而加偏压使金属为正时出现电流的截止态。这是由于α-Si:H(Y)表面反型。     

α－Si：H磷掺杂固相效率和相关分配系数

证明了分配系数ｄ是气相浓度Ｘｐ（ｇ）的解析函数，其系数由α－Ｓｉ：Ｈ生长期间界面上固／气相平衡反应常数决定。ｄ这种性质导致磷掺杂固相效率可藉助Ｘｐ（ｇ）进行解析计算。     

周边集成AMLCD的信号失真的和缓冲寄存器TFT尺寸计算

建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用ＴＦＴ的线性近似和Ｅｍｏｒｅ模型，计算了周边驱动电路中的信号失真，讨论了栅延迟与栅电极材料的叛乱级对ＴＦＴ开态电阻的要求。     

α—Si：H太阳电池的反偏压和强脉冲光照研究

研究了各种反向偏压和强脉冲光照对 a-Si:H 太阳电池性能的影响。发现在室温下进行3～5V、30分的反偏压处理能改善电池的性能。证明了经室内光照和室外长期暴露,反偏压处理和强脉冲光照/热退火循环能减少电池的光致衰降,提高电池的稳定性。     

TFT-LCD三基色光谱的温度特性

利用自行搭建的显微光谱测试平台研究了可见光波长范围内温度对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)透射光谱的影响。测试结果表明:红基色光、绿基色光和蓝基色光的透射率随温度的升高呈现出先升高后下降的趋势,但峰值所对应的温度不同。透射率改变的主要原因是温度的变化引起了液晶折射率的改变以及液晶分子指向矢的扰动,这一扰动导致了光散射的改变,使三基色的透射率发生了变化。     

薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性的影响明显增大，本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致。