带温度补偿的50W脉冲功率放大组件的设计

本文讨论了一种应用于L波段雷达发射机的50W脉冲功率前级组件。通过合理选用、设计末级微波功率放大器,在L波段250MHz带宽内实现平坦的大功率幅频特性,同时,微波功率器件的漏级馈电端上采用温度补偿电路,补偿了整个组件输出功率受温度变化而造成的功率起伏。     

P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制

基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50 V,在工作脉宽1 ms、占空比10%的工作条件下,在380~480 MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200 W,功率增益大于18 d B,漏极效率大于50%,抗驻波能力大于5:1,表现出了良好的RF性能,实现了国产P波段LDMOS器件1200 W的突破。     

超大功率L波段脉冲功率晶体管

超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...     

P波段脉冲调制激励放大组件

叙述一种Ｐ波段脉冲调制激励放大组件的设计方法及测试结果，采用微波单片集成电路和微波功率晶体管内匹配技术，制作出５４０～６１０ＭＨｚ下增益Ｇｐ≥３０ｄＢ、输出功率Ｐｏ≥５Ｗ±０．５ｄＢ的脉冲功率放大器。     

L波段窄脉宽500W固态功放组件的设计

介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。     

L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管

南京电子器件研究所最近研制成功 L波段2 5 0 W宽带硅微波脉冲功率晶体管。该器件在 1 .2～ 1 .4GHz频带内 ,脉宽 1 5 0 μs,占空比 1 0 %和 40V工作电压下 ,全带内脉冲输出功率在 2 4 0～ 30 0W之间 ,功率增益大于 7.8d B,效率大于 5 0 %。器件设计为梳条状结构 ,单元间距 6μm,发射极和基极金属条条宽 2 .4μm,金属条间距 0 .6μm。每个器件由 6个尺寸为 1 60 0μm× 75 0μm功率芯片组成 ,每个功率芯片含有 2个子胞。整个器件包含 1 2个子胞、2 0个电容和 2 0 0多条连接金丝匹配而成。在微波功率发射等领域 ,硅微波脉冲大功率晶体管具…     

Ku波段收发组件研制

介绍了Ku波段收发组件的设计与制作,整个组件由低相噪振荡器、滤波器、功分器、发射开关、发射推动级、功率放大器、低噪声放大器、接收开关、混频器和中频放大器等部分组成。文章分别对一些主要部件进行了简要的理论分析,并给出微波电路的结构形式,最后给出样品的测试结果。     

P波段100W硅脉冲功率晶体管

<正>南京电子器件研究所采用φ75mm硅片研制成功脉冲输出功率100W的P波段长脉宽硅脉冲功率晶体管。该器件在电子工程领域有广泛应用。由于这种器件可靠性要求高,工艺难度大,匹配电路要求苛刻,而且工作脉宽长、占空比高,因此,给器件研制带来很多困难,国内长期无法解决。1991年该器件开始研制,同年制出输出50W的样管。1992年进一步改进芯片设计和工艺,优化内匹配电路,研制出脉冲输出100W的功率管。主要技术指标为,测试频率600MHz,脉冲输出功率大于100W,增益大于7dB,集电极效率大于50％。     

Ku波段上变频组件的设计

介绍了Ku波段上变频组件的设计与制作,整个组件由低相噪振荡器、滤波器、功分器、功率放大器、PIN开关、上变频器等部分组成。文章分别对一些主要部件进行了简要的理论分析,并给出微波电路的结构形式,最后给出样品的测试结果。     

L波段2W功率放大器的设计

本文介绍一种在一点多址微波通信设备中应用的Ｌ波段高功率放大器，具有良好的稳定性，生产调试方便，成本低，可靠性高的特点。     

L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法

报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线(TRL)低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且使阻抗调节器获得更多的低阻抗点,提高负载牵引系统测试的准确度。在低阻抗的负载牵引系统测试环境下,1.2 GHz下,脉冲输出功率在1 dB压缩点为109.4 W,功率密度达到1.2 W/mm。     

S波段雷达中功率功放组件

介绍了我们研制S波段雷达中功率功率组件的目的、用途及其主要技术指标，描述了功放组件的组成和具体设计方法，并着得对功放组件的幅相一臻性问题进行了深入的实验研究，提出了改善组件间插入相移离散性的方法。     

X波段宽带功率放大器

介绍了８￣１２ＧＨｚ宽带功率放大器的设计、制作。放大器主要技术指标：工作频率８￣１２ＧＨｚ，增益≥２３ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率≥２７ｄＢｍ，输入输出驻波比≤２：１。     

P波段脉冲调制激励放大组件

叙述一种Ｐ波段脉冲调制激励放大组件的设计方法及测试结果，采用微波单片集成电路和微波功率晶体管内匹配技术，制作出５４０－６１０ＭＨｚ下增益ＧＰ≥３０ｄＢ、输出功率ＰＯ≥５Ｗ±０．５ｄＢ的脉冲功率放大器。     

一种C波段收发组件的研制

收发组件是有源相控阵雷达的关键部件,其设计的成功与否,决定了整部雷达的成本、可生产性和系统性能。本文介绍了一种C波段大功率收发组件的技术要点和研制结果。从产品设计和生产调试的情况可以看出,该收发组件具有输出功率大,功率密度高,控制精度准确,一致性好,调试工作量小,适合批量生产等特点。     

Ka波段倍频放大组件

报道了Ka波段倍频放大组件的研究结果。将厘米波信号通过FET二次倍频和PHEMT四次倍频方式提升到Ka波段，并通过功率放大器获得输出频率在24—30。4GHz范围内，最大的倍频增益为16。6dB，输出功率大于50mW，最大输出功率大于100mW。为无线通信系统毫米波前端提供本振源。     

S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.