钢的离子氮化表层中的α相微晶结构

对W18Cr4V,38CrMoAl,1Cr18Ni9Ti3钢种的离子氮化层进行了透射电镜观察,并对奥氏体不锈钢的离子氮化表层用Auger能谱进行了成分分析,由于离子轰击效应,在离子氮化表层形成了α相微晶结构,其中存在织构.在离子轰击渗扩过程中,1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢的渗层的表层发生成分变化,Cr/Fe比升高,Ni/Fe比下降,所以也形成了α相微晶结构。     

Mg3N2粉末的合成和光致发光性质研究

Mg粉在800℃氨气流中氨化60min，可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明，Mg3N2粉末是体心立方结构，晶格常数α=0．99657nm。SEM分析表明，Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明，在激发波长为490nm的情况下，氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。     

热处理对油页岩渣微晶玻璃结构的影响

以油页岩渣为主要原料制备了微晶玻璃,采用DTA、XRD、SEM及FT-IR等测试手段,分析了核化温度和晶化温度对微晶玻璃微观结构的影响.结果表明:微晶玻璃的主晶相为钙铁透辉石,次晶相为钙长石;随着热处理温度的升高,晶体的规则程度增加,晶体尺寸和结晶度均呈现先增加后减小,最后回升的趋势;在最佳热处理(850℃×100min 980℃×80min)条件下,微晶玻璃形成纤维状细晶结构,红外吸收带发生最明显的分裂,显微硬度和抗压强度达到最大值.     

钢的离子氮化表层中的α相微晶结构SCIEI

对W18Cr4V,38CrMoAl,1Cr18Ni9Ti3钢种的离子氮化层进行了透射电镜观察,并对奥氏体不锈钢的离子氮化表层用Auger能谱进行了成分分析,由于离子轰击效应,在离子氮化表层形成了α相微晶结构,其中存在织构.在离子轰击渗扩过程中,1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢的渗层的表层发生成分变化,Cr/Fe比升高,Ni/Fe比下降,所以也形成了α相微晶结构。     

陶瓷微晶磨料耐高温性能的研究

在显微镜下观察经不同温度焙烧后陶瓷微晶磨料的变化情况,对陶瓷微晶磨料的耐高温性能进行了研究。研究结果表明:当温度达到900℃时,陶瓷微晶磨料一部分晶粒开始出现裂纹、孔洞等缺陷。研究认为,陶瓷微晶磨料在烧成、制作、使用时,温度应控制在900℃以下,才能保证陶瓷微晶磨料性能。     

粒状贝氏体钢的沉淀硬化及其强韧性的研究

本文对20Cr2MoV钢粒状贝氏体在回火过程中的沉淀硬化效应及其强韧性进行了研究。与马氏体组织相比较,粒状贝氏体具有更强的沉淀硬化效应,可使冲击韧性激烈下降及脆性转折温度升高。但此脆性不同于马氏体的回火脆性,其断口呈准解理断裂,随着温度升高,此脆性逐渐消失。     

Fe-N粉末的结构与磁性研究

利用化学反应制备氧化铁粉然后气体渗氮得到细的氮化铁粉,采用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)对所制备的样品进行结构和磁性性能分析.结果表明,这种氮化铁粉的主要成分是γ-Fe4N,其饱和磁化强度为178.6emu/g.     

MOCVD生长GaN力学性能研究

采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明，薄膜以二维模式均匀生长，表面平整，硬度达22．1MPa，弹性模量为299．5GPa，与衬底结合紧密，临界载荷达1．6N，与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0．13，与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。     

氨化合成一维GaN纳米线

用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法，成功地合成了一维GaN纳米线。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑，其直径为20nm～90nm，长可达50μm；纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN，沿[110]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线，避免了在制备过程中引入杂质，合成的纳米线纯度较高。     

热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究

采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。实验结果显示：采用该工艺制备GaN晶体膜时，选择H2作反应气体兼载体，对GaN膜的形成起着非常有利的作用。     

机械合金化W-Ni-Fe纳米复合粉的制备及结构研究

W,Ni,Fe粉末按照91.16W6．56Ni2.26Fe和95W5Ni的成分配比进行了机械合金化(MA)．通过调整球磨转速、球磨时间等工艺参数研究了其对粉末结构的影响,并对机械合金化粉末的物相、合金化特性、晶粒尺寸、点阵畸变及粉末形貌和颗粒度作了测定和分析讨论.机械合金化使晶粒细化并产生孪晶和位错．有利于原子扩散形成过饱和固溶体和非晶；高的球磨能有利于形成非晶相、晶粒细化和点阵畸变，350r／min球磨20h后晶粒尺寸可达25nm；输入的球磨能不同．粉末粒度的变化路径不同，但都会经历长大，变小和稳定三个不同阶段.     

高温氨化Ga2O3形成GaN粉末

采用NH3为N源，以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对粉末进行结构、形貌分析。结果表明：当Ga源温度为850℃时得到六方纤锌矿结构的GaN晶体颗粒。     

苹果酸诱导合成花状WO_3粉体及其光致变色性能

以钨酸钠为钨源,通过添加苹果酸诱导剂,利用水热法合成花状WO3粉体。所得产物用XRD,SEM和TEM等手段进行结构和形貌表征,并用紫外-可见(UV-Vis)漫反射光谱仪及测色计测试光致变色性能。结果表明,未添加和添加苹果酸诱导剂合成的WO3粉体均为六方相,未添加苹果酸的WO3粉体是粒度为200～300nm的无规则块状颗粒,以苹果酸为诱导剂合成的WO3粉体是由许多直径为300～500nm,厚度在20～30nm的纳米片层层叠加,彼此交错而成的花状结构。这种花状结构增大WO3粉体的比表面积,增强其对光子的捕获能力,提高对光的利用率,从而优化WO3粉体的光致变色性能。     

采用铝灰和粉煤灰合成Sialon粉

以铝灰、粉煤灰和碳黑为主要原料,采用碳热铝热复合还原氮化工艺制备了Sialon粉体.研究了原料组成(Si/Al比分别为1.5、1和0.27)、碳黑含量(分别为10%、17%、22%和27%)以及合成反应温度(分别为1400, 1450, 1500 ℃)对生成物相的影响.结果表明,合成温度为1450 ℃,可以得到较纯的物相;随着还原剂碳黑含量的增加,使还原氮化反应进行的更为充分;在原料中Si/Al比为1时,加入17%的碳黑可以得到主要物相为Si_3Al_3O_3N_55(β-Sialon,z=3)和SiAl_4O_2N_4(15R)的产物;在原料中Si/Al比为1.5时,即加入80%的粉煤灰,在1450 ℃可以制备较纯的Si_3Al_3O_3N_5粉.     

Synthesis of GaN films on porous silicon substrates

A novel and simple method was employed to synthesize GaN films on porous silicon (PS) substrates. GaN films were obtained through the reaction between NH3 and Ga2O3 films deposited on the substrates with magnetron sputtering. Since GaN and PS are all good materials for luminescence, it is expected to obtain some new properties from GaN on PS. The samples were analyzed with X-ray diffraction (XRD) to identify crystalline structure. Fourier transmit infrared (FTIR) spectrum was used to analyze the chemical state of the samples. The films were observed with scanning electron microscopy (SEM) and were found to consist of many big crystal grains. Photoluminescence (PL) spectrum was used to illuminate the optical property of the GaN films.     

（Short communication） Synthesis of GaN films on porous silicon substrates

A novel and simple method was employed to synthesize GaN films on porous silicon （PS） substrates, GaN films were obtained through the reaction between NH3 and Ga2O3 films deposited on the substrates with magnetron sputtering. Since GaN and PS are all good materials for luminescence, it is expected to obtain some new properties from GaN on PS. The samples were analyzed with X-ray diffraction （XRD） to identify crystalline structure. Fourier transmit infrared （FFIR） spectrum was used to analyze the chemical state of the samples. The films were observed with scanning electron microscopy （SEM） and were found to consist of many big crystal grains. Photoluminescence （PL） spectrum was used to illuminate the optical property of the GaN films.