铀铌合金在O2气氛中氧化初期的XPS研究

采用X射线光电子能谱（XPS）分析研究了298K时铀铌合金的清洁表面在O2气氛中的原位氧化过程。通过分析反应各阶段U4f,Nb3d和Ols谱峰的变化,揭示了O2在轴铌合金表面吸附解离后,优先与表面Nb原子和U原子结合生成NbO、UO2-x和UO2,然后NbO进一步氧化为NbO2和Nb2O5,在氧化的不同阶段U和Nb分别向表面偏析。     

铀铌合金表面热氧化膜结构研究

采用X射线光电谱分析技术、结合Ar离子枪溅射,研究了大气环境、不同温度(室温、100、200和300℃)条件下铀铌合金样品表面氧化膜结构的变化情况。实验结果表明:随温度升高,氧化膜厚度增大,氧化膜结构发生明显变化。不同温度热氧化处理后,铀铌合金初始表面Nb主要以Nb2O5形式存在,在Nb2O5与金属Nb之间,总存在一定厚度的NbO及少量其他价态氧化物NbOx(0x1,1x2)的混合层。室温～200℃热氧化合金样品表面铀均以含间隙氧的UO2+x(P型)存在,其U4f7/2结合能较UO2低约0.7eV。室温条件下,氧化膜成分主要为UO2;100、200℃热氧化后,氧化膜中除UO2外,还含有少量P型UO2+x,其U4f5/2卫星峰的结合能为396.6eV。300℃热氧化后的合金样品表面为铀的高价氧化物(U3O8或UOx,2x3),U4f特征峰的结合能分别为381.8和392.2eV;氧化层为UO2和金属铀的混合物。热氧化过程中,温度对铀氧化的影响较对Nb的明显得多。     

O钝化对铀铌合金电化学腐蚀行为的影响

采用电化学方法研究了铀铌合金经CO（0.3MPa)钝化前后的电化学耐蚀性能,并用X射线光电子能谱（XPS）分析了铀铌合金经CO钝化后表面层的组成。研究结果表明：铀铌合金经CO钝化后表面生成了致密的钝化膜,这层钝化膜增大了腐蚀过程的阳极阻力,提高了铀铌合金的电化学耐蚀性能。     

铀铌合金中铌的测定

本文介绍了氯代磺酚Ｓ直接分光光度法测定铀铌合金中的铌．方法具有简便、快速、灵敏度高等优点。可测铀铌合金中１％～１０％的铌．回收率为９９％～１０２％。     

金属铀与H_2表面化学行为的XPS研究

采用X射线光电子能谱 (XPS)分析研究了金属铀的清洁表面在 10 0和 2 0 0℃时与H2 作用的表面化学行为。通入 12 0Pa·s口H2 即可观察到明显的氢化反应 ,UH3的U 4 f7/2 峰结合能为378 7eV。温度由 10 0℃升高至 2 0 0℃有利于UH3生成。深度分析表明 :清洁的金属铀表面与H2 作用后 ,表面层结构由表向里依次为UO2 、UH3和U。     

八氧化三铀的X射线光电子能谱研究

用Ｘ射线光电子能谱分析研究了八氧化三铀的表面结构以及一氧化碳对Ｕ３Ｏ８表面结构的影响，Ｕ３Ｏ８为混合价比合物，ＸＰＳ分析表明它符合Ｕ２＾ⅥＵｎ－２＾ⅥＯ２ｎ＋２模式。同时ＵＯ３的量减少了１６％，研究结果表明一氧化碳气氛对Ｕ３Ｏ８的表面有一定的还原作用。     

光纤光度计测定铀及铀铌合金中氮含量

以光纤光度计为检测仪,百里酚为显色剂,用分光光度法测定了铀及铀铌合金中的氮含量。在次氯酸钠溶液中w(Cl)=0.1%～0.14%的条件下,氨与酚形成的络合物最大吸收波长为660nm,方法检测限为20μg/g,测量相对标准偏差小于15%,方法回收率为88%～106%。经比对,该法测定结果与传统分光光度法基本一致。     

金属轴与H2表面化学行为的XPS研究

采用X射线光电子能谱(XPS)分析研究了金属铀的清洁表面在100和200℃时与H2作用的表面化学行为。通入12.0Pa     

ICP-AES法测定铀铌锆合金中的铌和锆

将铀铌锆合金试样用硝酸、过氧化氢和氢氟酸溶解,在JY-70Ⅱ改进型光电直读光谱仪上,用内标同步稀释法,快速、简便地测定了铀铌锆合金中的铌、锆含量.测量范围(质量分数)为铌,1%～10%;锆,0.33%～3.33%.其相对标准偏差分别为铌,优于3.2%;锆,优于2.5%.     

铀铌合金真空热氧化膜的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下，环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响。当温度高于603K时，氧化膜表面结构发生明显改变，表面主要由铀碳化合物、金属态的U和Nb组成。利用Ar^ 溅射铀铌合金真空热氧化膜进行深度分布分析，发现在热氧化膜的表面氧含量很小，而在热氧化膜的内部有氧增多的现象。     

金属铀在CO气氛中表面反应的X射线光电子能谱研究

用Ｘ射线光电子能谱分析研究了金属铀在ＣＯ气氛中２５℃和２００℃时的表面反应，ＣＯ在金属铀表层上的吸附层导致了Ｕ４ｆ峰向低结合能方向位移，表层氧化物中氧含量减少，Ｏ／Ｕ比值随ＣＯ吸附量的增加而减少，研究结果表明ＣＯ气氛可抑制金属铀表面的进一步氧化。     

动态离子束混合技术制备氧化铬薄膜的X射线光电子能谱与俄歇电子能谱研究

本文介绍的动态离子束混合技术制备氧化铬薄膜系在不锈钢基体上进行1keV氩离子束溅射沉积铬(同时通入一定量的O),并用100 keV的氩离子束或氧离子束轰击该样品.对两种离子束轰击形成的氧化铬薄膜进行了X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和俄歇电子能谱(Auger electron spectroscopy,AES)的分析研究.发现Ar 离子束制备的氧化铬薄膜主要是Cr2O3化合物,而O 离子束制备的氧化铬薄膜含有其它价态的铬氧化物.Ar 离子束制备氧化铬薄膜的污染碳少于O 离子束制备.与O 离子束制备相比较,相同能量的Ar 离子束轰击更有利于提高沉积的Cr原子与周围O2的反应性;Ar 离子束制备的氧化铬薄膜过渡层的厚1/3左右,较厚的过渡层显示了制备的薄膜具有较好的附着力.     

固化氛围对丙烯酸酯紫外光固化材料表面性能的影响

在空气或氮气氛围下对同样配方的光敏树脂进行紫外光固化,固化膜的表面能测定表明,空气中固化材料的表面能大于氮气中固化材料.固化膜的元素分析和衰减全反射-傅立叶变换红外光谱(Attenuated total reflectance-Fourier transform infrared spectroscopy,ATR-FTIR)分析表明,氧阻聚反应并未导致空气下固化的材料中氧含量的明显变化,其红外谱图中未见有过氧基团的吸收峰,但其表面富集有较多的吸电子基团;而氮气下固化的材料表面存在较多的碳碳单键.X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)分析表明,不同的固化氛围使材料表面C1s和O1s原子结合能产生差异.说明固化氛围影响固化速率,使固化过程中固化膜组成分布或聚集态密度产生差异,最终使固化层的表面化学组成乃至表面能存在差别.     

PL and XPS study of radiation damage created by various slow highly charged heavy ions on GaN epitaxial layers

Photoluminescence (PL) spectrum, in conjunction with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is used to evaluate the surface damage of GaN layer by highly-charged Xe^q+ (18 ? q ? 30), Ar^q+ (6 ? q ? 16) and Pb^q+ (q = 25,35) ions. The intensity of PL emission of GaN layer, including near band-edge peak and yellow luminescence, decreases with increasing fluence and charge state of the incident ions. Finally the PL emission is completely quenched after irradiation to high fluences at high charge state. A new peak at 450 nm appeared in PL spectra of the specimens irradiated with Xe¹⁸⁺, Ar⁶⁺ and Ar¹¹⁺, indicating that radioactive recombination within donor-acceptor pairs (DAPs) during irradiation. After irradiation, XPS spectra show N deficient or Ga rich on GaN surface and XPS spectra of Ga3d core levels indicate spectral peak evidently shifts from a Ga-N to Ga-Ga and Ga-O bond. The relative content of Ga-N bond decreases and the content of Ga-Ga bond increases with the increase of ion fluence and ion charge state. The binding energy of Ga3d_5/2 electron corresponding to Ga-Ga bond of the irradiated GaN film is found to be smaller than that of metallic Gallium (Ga⁰), which can be attributed to irradiation damage.     

Ar离子辐照PET膜引起的表面结构和组分变化研究

用35MeV/u的Ar离子室温下辐照多层堆叠的半晶质的聚酯（PET）膜,采用X射线衍射技术和X射线光电子谱仪分析研究了辐照引起的表面结构和组分的变化。结果表明：Ar离子辐照PET膜引起了明显的非晶化转变和化学键断裂、断裂主要发生在甲氧基和羰基功能团上,并使这两个功能团中的C和O的比分相对减少。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和离子在样品表面的电子能量损失、剂量越高,表面电子能量损失越大,效应就明显。同时定性地讨论了结果。     

类金刚石薄膜的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱全电子产额模式(TEY)对石墨、金刚石薄膜和类金刚石薄膜(DLC)的ClsX射线吸收谱进行了研究。在高真空里表面净化处理后,在类金刚石薄膜的Cls吸收谱中分别观察到对应于金刚石sp^3杂化结构成分和石墨sp^2杂化结构成分的特征峰,说明了类金刚石薄膜是由碳sp^2、sp^3两种杂化结构无序混合形成的非晶碳结构;然后,测量了一系列类金刚石薄膜样品的ClsX射线光电子能谱(XPS),得到了每组样品的sp^2、sp^3成分比。     

Kinetic study of wet oxidation of Si0.5Ge0.5 alloy by Rutherford backscattering spectroscopy

1IntroductionSilicongermaniamalloyshavereceivedgreatattentioninrecentdecadefOrtheirpo-tentialapplicationinadvancedelectronicandoptoe1ectronicdeyices[1~41.Theoxidationbehaviorofthismaterial,however,continuestobeatroublesomeissuethatimPedesitstAnelydevelopment.Previousresearchesdemonstratedthathighgermaniamcontent,inthealloyandlowtemperaturecouldformaAnxtureoxidelayeIofSiO, GeOgst'].WhengermaniumconcentrationisloweIonlySiO2fo...d[7'8].Inthepresentstudy,OkidationhasbeenpeIformedat8oO'Cand9…