掺钕钇铝石榴石单晶的生长

现在加稀土元素的钇铝石榴石,特别是掺钕的钇铝石榴石单晶Y_3Al_5O(12)对从事量子电子学的人们有很浓厚的兴趣。制取大形钇铝石榴石单晶的主要方法是切克洛斯基熔体引上法。但是用这种方法制备单晶存在着明显的困难。例如,钇铝石榴石的掺钕超过2～3％就很难生长出单晶。这     

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz.     

ZnSe和ZnTe原子层外延的生长过程

近几年来,原子层外延(ALE)技术的应用已不是罕见的工作了。过去,一直认为在生长过程中,薄膜始终是二维生长的。而且衬底和单晶薄膜间的晶格匹配是影响较接近衬底区域的生长状况的主要因素。为了提高Ⅱ—Ⅵ新材料的原子层外延质量,进而尝试Ⅱ—Ⅵ材料超晶格薄膜的生长,日本 Takafu-     

砷化镓掺硫气相外延

<正> 为了重复可靠地获得研制肖特基混频器的优质外延材料(n～1-3×10~(17)/cm~3;d～1μm),对 Ga-AsCl_3(S_2Cl_2)H_2系统中硫的掺杂规律作了研究,获得一些有用数据.从而较好地控制了外延层的电学性质及表面形貌.     

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz.     

GaAs闭管热氧化自生氧化膜的生长及其特性的研究

本文在初步探索了闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜生长条件的基础上,进一步对薄膜的生长规律进行了研究。实验发现在As_2O_3过量的条件下,自生氧化膜的厚度可达1μm以上,其生长速率大约为1000A/hr。同时也开展了对氧化膜的化学稳定性、光学、电学特性以及对杂质Zn的掩蔽扩散特性的初步研究,并利用平面工艺试制了具有变容管特性的样管。     

掺Yb3+钇铝石榴石晶体的生长和热处理研究

研究了掺Yb3+钇铝石榴石(Yb:YAG)晶体的生长和性能,通过试验得出了合适的温场系统、生长工艺和热处理条件.通过测量Yb:YAG晶体在939nm处的透过率得出了其吸收系数与原始掺杂浓度之间的关系.所生长的Yb:YAG晶体连续输出功率14.1 W,光-光转换效率为38.6%,斜率效率达55.1%.对Yb:YAG-YAG,Nd:YAG-YAG进行了热键合技术研究,获得了较满意的结果.     

掺铬氟化锂锶铝激光器

掺铬氟化锂锶铝激光器掺铬氟化锂锶铝（Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ）晶体是一种性质优良的近红外可调谐激光晶体，其最空出的特点是增益高、激发态吸收小、利于储存能量。该晶体调谐范围在０．７８～１．００μｍ。这种可调谐激光在激光测距、激光雷达、激光光谱学等领域中具有极其...     

分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格

提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。     

低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善

研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。     

掺钕钇铝石榴石激光棒双折射与生长方向的函数关系

当光束线性偏振时,因热引起的应力双折射对固态激光系统的性能有严重影响。本文分析了双折射与掺钕钇铝石榴石棒-轴取向的函数关系,并举例说明了除〔111〕晶体方向外其它方向的双折射的角依赖关系,同时阐述了不同棒轴的和偏振器取向的损耗。     

共掺铝的掺铒光纤放大器的光谱特性

用Stark能级分裂的变化分析了掺铝改变掺铒光纤放大器(EDFA)光谱特性的原理，并用改进型化学气相沉积法(MCVD)结合溶液浸泡掺杂法制作了采用不同掺铝比例的掺铒光纤，测试了用这几种光纤制作的放大器的自发辐射谱，得出掺铝浓度的提高使荧光谱的峰值往短波长移动，与Stark能级分裂理论分析得到的结果相一致。同时采用截断法测试了两种不同掺铝浓度的掺铒光纤的吸收谱，实验结果表明掺铒光纤中增加铝的含量将提高铒离子浓度，并提高掺铒光纤的吸收系数，减短掺铒光纤放大器中的掺铒光纤长度。高掺铝掺铒光纤放大器具有更宽更平坦的增益谱线，可以适用长距离波分复用(WDM)系统。     

用籽晶生长碲锡铅单晶的闭管汽相传输法

1.碲锡铅单晶的生长闭管汽相传输法已证明可获得高质量的单晶。这种工艺就是使碲锡铅固态源汽化,并把气体分子传输到生长管的另一端而凝聚在定向的籽晶上。升华过程在抽空的封闭石英管中发生,该石英管放在生长炉接近等温的温区中,而温度远低于熔点。源材料是均     

软着陆洁净闭管扩散炉研制

介绍了一种用于晶体硅光伏电池片工艺的软着陆洁净闭管扩散炉,着重介绍了设备结构组成及性能,并给出了工艺结果说明设备性能达到国内领先水平。