电化学沉积金属铅的二维枝晶生长及其结构

用电化学沉积方法,在负电极周围生长出二维铅枝晶,通过处理其表面形貌,计算了铅枝晶的分形维数．修改了DLA模型．据改进的DLA模型,用计算机模拟了铅枝晶生长图像．结果表明,铅枝晶明显具有分形的自相似特征．对影响铅枝晶结构的因素进行了讨论．     

二维锌枝晶生长行为研究

采用恒电压方法得到了不同电解质浓度和电压下金属锌二维电沉积生长的形貌分布图．在枝晶生长条件下,研究了支持电解质、全氟表面活性剂和脉冲电压等对锌枝晶生长行为的影响，并检测了电解池中Zn^2 的浓度分布．实验结果表明：支持电解质、表面活性剂和脉冲电压改变了阴极附近的电场分布和Zn^2 的浓度分布，对沉积物形貌产生很大的影响．同时发现，Zn^2 仅通过电迁移作用到达阴极附近，扩散对传质的贡献可忽略不计．     

铅掺杂对锡电沉积物形貌的影响

采用电化学沉积，配合扫描电镜(SEM)、电子探针微分析仪(EPMA)、金相等分析技术，研究了纯Sn及Pb0.1Sn0．9的二维沉积物的显微形貌和微结构，结果表明：由于晶粒生长的择优取向，纯锡的沉积物是规则的枝晶结构；铅掺杂削弱了锡晶粒生长的择优取向性，导致枝晶主干分叉，形成“之”字形枝晶结构，为结晶学因素对生长形貌的影响提供了一个实验证据。     

氨基酸对电沉积CuBr薄膜的取向生长及形貌的影响

以组氨酸、甘氨酸为添加剂,采用电沉积方法制备出具有不同生长取向和形貌的CuBr薄膜．用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、紫外-可见吸收光谱（UV—vis）和荧光光谱（PL）对样品进行了表征．结果表明：添加组氨酸后,CuBr晶体生长（111）优先取向大大削弱,导致形貌转变为片状结构聚集成平均直径为4μm的均匀微球．而甘氨酸添加剂对CuBr只有微弱的影响．另外对添加不同氨基酸电沉积制备CuBr晶体生长机理进行了初步探讨．     

Ni-纳米TiO2微粒复合电沉积研究

在Watts型镀镍液中，分别加入粒径为80—100nm的TiO2的两种同质异构体：金红石型和锐钛型，得到了Ni-纳米TiO2微粒的复合沉积层．研究了电沉积工艺体系的pH值、电流密度、搅拌速度、镀液中TiO2的含量及添加剂对复合沉积层的表观和沉积层中TiO2含量的影响，确定了最佳工艺条件．通过能量色散谱和SEM，对复合沉积层成分及形貌分析，在最佳组成及工艺条件下，得到了复合微粒重量为5％-10％，且表观形貌良好的Ni—TiO2复合沉积层。     

三价铬电沉积的动力学数学模型

系统分析了三价铬电沉积阴极各反应间的逻辑关系，采用数学方法推导了三价铬电沉积速度与镀液Cr^3＋浓度、搅拌（对流）强度、温度等因素的相互关系，建立了三价铬电沉积动力学数学模型．从所建模型可知，三价铬电沉积第一步反应（Cr^3＋→Cr^3＋）的电流密度受液相传质步骤控制，强搅拌下此反应可生成更多的Cr^2＋，但同时也加速了Cr^2＋从电极表面向镀液本体的扩散．Cr^2＋的还原（Cr^2＋→Cr^o）是整个三价铬电沉积过程的速度控制步骤，其电流密度与镀液扩散状况无关．选择合适的配体，加速Cr^2＋的电荷转移是提高三价铬电沉积质量的关键．     

混合增溶剂存在下分光光度法测定微量铅

本实验采用PVA+TritonX-100作混合增溶剂,铅(Ⅱ)、碘化钾和丁基罗丹明B形成λmax=610nm,ε610nm=6.8×105L.mol/cm-1的高灵敏显色反应,同时对反应条件及共存离子的干扰情况也作了详细的研究,拟定了痕量铅的水相高灵敏直接测定法,并作了试剂和人工混合液中铅的回收试验,其结果符合要求.     

纳米锌镀层在硫酸中的腐蚀和缓蚀机理

用失晕法测试了纳米锌镀层和0^#锌片在0．2mol／L硫酸介质中的腐蚀性能．结果表明纳米锌镀层的耐腐蚀性要远优于锌片，且在一定的实验条件下，纳米锌镀层的腐蚀速率为一常数．另外，本文还研究了溴化十六烷基吡啶和吡啶及其甲基衍生物在硫酸介质中对纳米锌镀层和0^#锌片的缓蚀性能．其中溴化十六烷基吡啶和3-甲基吡啶的缓蚀性能较好．并用密度泛函B3LYP方法和Onsager溶剂化模型，在6-31G水平上优化了溴化十六烷基毗啶、3-甲基吡啶和4-甲基毗啶分子的几何构型，用其电子结构数据探讨了它们的缓蚀机理。     

外源Ca2+参与铅对盐藻毒害作用的研究

研究r不同浓度Pb^2＋对盐藻生长的胁迫作用及外源10mmol／L Ca^2＋、La^3＋对Pb^2＋胁迫的影响。Pb^2＋抑制盐藻的生长，其抑制程度与Pb^2＋浓度成正相关；外源Ca^2＋在初期可缓解Pb^2＋对盐藻生长的抑制作用，后期加重Pb^2＋对盐藻生长的抑制；La^3＋处理加重Pb^2＋对盐藻生长的胁迫作用。实验结果初步表明外源Ca^2＋内流参与盐藻对Pb^2＋胁迫的适应性调节作用。     

掺杂钴对锆钛酸铅铁电薄膜电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3／Si衬底上制备了Pb(Zrx，Ti1-x)O3(PZT)与PbCoy(Zr，Ti1-x)O3(PC—ZT)铁电薄膜，实验发现钴掺杂对PZT的铁电性能产生了很大的影响．不掺杂的PZT铁电薄膜剩余极化强度Pr=14.05uC／cm^2，矫顽场Ec=26．35kV／cm，而钴的掺杂有效地提高了PZT薄膜的剩余极化强度，当掺杂钴达到12%时，Pr=36．26uC／cm^2，矫顽场减小．同时，掺杂钴增强了PZT薄膜的介电性能并且减少了漏电流。     

Au-Ag复合纳米阵列的制备及其等离激元共振吸收特性

利用二次阳极氧化法在硫酸体系中制备了多孔氧化铝模板,用交流法在模板中沉积了Au-Ag复合纳米阵列,并研究了其表面等离激元共振吸收特性.和单独的Au、Ag纳米线阵列不同,Au-Ag复合纳米阵列的紫外可见吸收光谱中有两个横向吸收峰,一个纵向共振吸收峰.Au-Ag复合纳米阵列的纵向等离共振波长可以通过改变Ag的生长时间进行有效调节.实验结果发现,Au沉积对后续沉积Ag的最佳沉积电压有影响.