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先进封装步进投影光刻机焦深研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对先进封装步进投影光刻机的焦深进行评估.投影光刻机是IC制造与先进封装行业的关键设备,对后道封装而言,厚胶工艺是典型工艺,最厚部分可达0.1mm以上,大焦深能够保证光刻机容纳各种工艺误差,能够保证封装光刻机用于曝光厚光刻胶时仍拥有较好的侧壁陡度. 相似文献
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分步重复投影光刻机套刻误差模型的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了套刻误差的组成及误差模型的建立,并介绍了套刻误差的表示方法。套刻误差教学模型对于光刻机整机套刻精度的估计、对于光刻机的多机(单机)套刻匹配等工作将会是一个非常重要的工具。 相似文献
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有机发光二极管(OLED)尤其是AMOLED由于其独特的性能,其可能成为下一代显示技术。目前AMOLED显示还未达到量产之前,200 mm×200 mm的研发线对于AMOLED技术工艺验证尤为重要。AMOLED对TFT曝光的要求(CD均匀性、套刻精度等)较TFT-LCD高。基于此,介绍了可用于OLED研发要求的步进投影曝光机SS B200/10A,实测数据及显示器件成功开发表明该设备能够很好地满足AMOLED工艺要求。 相似文献
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从设备设计者及使用者的角度,详细描述了影响先进封装步进投影光刻机生产效率的主要因素,并基于灵敏度分析给出了产率优化方法,综合曝光性能分析给出了产率平衡策略。实测数据表明,SSB500系列光刻机达到了良好的产率性能,最高产率超过90片/h,适应厚胶大剂量曝光要求,能够满足后道FAB的生产线要求。 相似文献
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介绍对亚微米分步重复投影光刻机光刻工作分辨力、套刻和生产能力三项主要技术指标的设计分析,方案考虑以及采取的技术措施。测试结果表明这些考虑是必要并且有效的,它为光刻机的研制成功打下基础,也为设计下一代指标要求更高的光刻机提供有益的参考。 相似文献
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0.50μm步进光刻机关键技术设计 总被引:1,自引:0,他引:1
田陆屏 《电子工业专用设备》1999,(2)
阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状,就05μm分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的设计方案,并对影响、难度最大的工作台技术、自动对准技术、投影镜头技术等的设计原理进行了研究。还对系统的套刻精度进行了分析和测算。 相似文献
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一、引言1992年为了建立一条3μmr技术的试验线,双极事业部引进了两台PE-340HT投影光刻机,于1993年4月安装调试完毕,投入使用。由于3Pm试验线为正胶工艺,品种少,也不能形成大生产。为提高设备的利用率,同期着手将PE-340HT投影光刻机应用于负胶SPin工艺的大生产中,以克服接触式光刻图形尺寸均匀性差、缺陷多的缺点,从而提高采用负胶工艺的产品、尤其是象二片机之类的高要求产品的工艺一致性。二、设备简介PE-340HT是美国Perkin-Elm。r公司80年代初的产品,处理圆片最大尺寸为4英寸,当时广泛用于64K存贮器的生产,为标准… 相似文献
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以某型投影光刻机为例介绍了调平调焦系统的基本原理和主要构成,详细叙述了调平调焦系统的运行步骤,并结合多年的投影光刻机维修经验总结了调平调焦系统的常见故障,给出了处理故障的方法和步骤。 相似文献
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IC封装工艺过程中,芯片表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品质量,如果在封装工艺过程中的装片前、引线键合前及塑封固化前进行等离子清洗,则可有效去除这些污染物.介绍了在线式等离子清洗设备及清洗原理,并对清洗前后的效果做了对比. 相似文献
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杜润 《电子工业专用设备》2006,35(9):36-42
随着手机、掌上电脑、薄形笔记本等消费类电子产品的迅速发展,芯片尺寸封装技术(CSP)在我国从无到有,并在短短几年时间内取得了突飞猛进的发展。论述了芯片尺寸封装(CSP)的7大特点,总结了6大类别,归纳了主要生产制作工艺,并对我国芯片尺寸封装技术(CSP)的发展提出了几点建议。 相似文献
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半导体封装形式介绍 总被引:1,自引:0,他引:1
梅万余 《电子工业专用设备》2005,34(5):14-21
半导体器件有许多封装型式,从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进,这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来,它大概有三次重大的革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现,它不但满足了市场高引脚的需求,而且大大地改善了半导体器件的性能;晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物,其目的就是将封装减到最小。每一种封装都有其独特的地方,即其优点和不足之处,而所用的封装材料,封装设备,封装技术根据其需要而有所不同。驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。 相似文献