GaN材料的特性与应用

本介绍了GaN材料的特性、生长及应用，并展望了其应用前景。     

GaN基薄膜材料的器件的最新进展

综述了ＧａＮ基薄膜材料研制与器件开发的新进展，着重阐明其技术突破与商品化应用前景。     

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．     

纳米GaN的制备及HREM观测

纳米ＧａＮ的制备及ＨＲＥＭ观测张庶元谢毅钱逸泰张裕恒（中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６）ＧａＮ是一种宽能隙的半导体材料，具有制备光电器件的潜在应用价值［１，２］，因而受到日益增长的关注。据文献报道［３］，ＧａＮ具有三种物相，即纤锌...     

GaN——第三代半导体的曙光

自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后,氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术,包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件,如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状,同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景．     

GaN蓝光材料及其应用

本文介绍了作为第三代电子材料的ＧａＮ的基本性质，综述了其主要制备方法及应用领域，对其应用前景进行了预测。     

GaN基半导体材料研究进展

简单回顾半导体短波长激光器的发展过程，总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。     

光电子新材料GaN研究进展

给出了ＧａＮ晶体的制备方法和特性，详细介绍了ＧａＮ外延生长技术及ｐ－ＧａＮ掺杂的热退火技术。     

SiC材料,器件及其应用前景

ＳｉＣ是一种具有宽禁带，高击穿场强，高饱和电子漂移速度和高热导率的半导体材料，ＳｉＣ微电子与光是电子器件的潜在军事用途尤为引人注目，ＳｉＣ器件最有希望成为替代Ｓｉ以及饱和ＧａＡｓ在内的Ⅲ－Ｖ族化合物器件在高温，高速，高功率以及强辐照环境下应用的新型半导体器件。     

GaN半导体研究与进展

介绍了 Ｇａ Ｎ 器件制备的关键技术以及 Ｇａ Ｎ 半导体在微电子和光电子领域的研究进展情况。     

半导体产业及其支撑技术的发展动向

作为当今社会高技术产业之一的微电子工业,以其卓越的成就,影响着人们的生活方式,改变着现代社会的生产方式和经济结构。对代表微电子技术的集成电路工业,世界各国都极为重视,投入了大量的人力和巨额的资金,从而使其发展日渐成熟。本文主要介绍了半导体存储器的生产和研究情况。另外,还介绍了ASIC、逻辑电路、砷化镓器件、半导体材料和设备等方面的发展情况。     

N面GaN材料及器件的研究进展

N面GaN材料及器件是宽禁带半导体技术中的重要研究内容.对N面GaN材料及器件的概念、优势、研究现状以及存在的问题进行了系统的分析.在此基础上,论述了N面GaN材料及器件未来的发展趋势.     

短波长半导体激光器开发动向

对ＧａＮ系和ＺｎＳｅ系两类主要材料制备蓝绿光激光器方面的问题和发展动向作了介绍。     

提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。这门技术目前在国际上得到了广泛的应用。     

GaN技术发展新趋势

氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表,受到学术界和产业界的广泛关注,正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。对于射频(RF)GaN技术,在电信和国防两大主要应用增长行业,尤其是军用领域对先进雷达和通信系统不断增加的需求,推动了RF GaN器件向更高频率、更大功率和更高可靠性发展。文章梳理了在该领域中GaN RF/微波HEMT、毫米波晶体管和单片微波集成电路(MMIC)、GaN器件空间应用可靠性和抗辐射加固等技术发展的脉络。在功率电子方面,对高效、绿色和智能化能源的需求拉动GaN功率电子、电源变换器向快速充电、高效和小型化方向发展。简述了应用于纯电动与混合动力电动汽车(EV/HEV)、工业制造、电信基础设施等场合的GaN功率器件的研发进展和商用情况。在数字计算特别是量子计算前沿,GaN是具有应用前景的技术之一。介绍了GaN计算和低温电子技术研究的几个亮点。总而言之,对GaN技术发展几大领域发展的最新趋势作了概括性描述,勾画出技术发展的粗略线条。     

浅谈半导体电力电子器件的发展

本文简略回顾了半导体电力电子器件的发展,介绍它的研制及生产现状,并探讨了发展方向。     

微波铁氧体器件的控制及其应用

阐述了微波铁氧体器件在现代雷达中所起的重要作用,从外加磁场的角度对微波铁氧体器件进行了分类,对各种器件的控制方式进行了讨论,介绍了微电子技术在相控阵雷达中的应用。最后,对器件及电路的发展趋势进行了分析。     

氮化镓微波功率器件研究动态(上)

氮化镓微波功率器件是继砷化镓微波功率器件之后在21世纪新发展起来的微电子领域的研发热点,追踪研究了美国目前正在进行的"氮化电子下一代技术"计划、日本正在进行的氮化镓微波器件科研项目、欧洲"KORRIGA"及"GREAT"项目近况,总结了氮化镓微波功率器件的发展趋势.