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相似文献
 共查询到16条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
一种高速低功耗LVDS接收器电路的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了LVDS系统链路结构及数据传输原理,分析了LVDS标准对接收器电路的需求,文中基于65 nm 数字CMOS工艺设计,实现了一种高速低功耗LVDS接收器电路。仿真结果表明,在2.5 V电源电压工作下,该LVDS接收器具有2 Gbit·s-1的数据传输速率,平均功耗为3 mW。  相似文献   

2.
依据标准IEEE Std.1596.3-1996,提出了一种高速低电压差分信号(LVDS)发射器电路,给出电路结构、仿真数据及版图。电路采用65 nm 1P9M CMOS Logic工艺设计实现。用Spectre仿真器对发送器进行模拟仿真,仿真结果表明该发射器电路在电源电压为2.5 V的工作条件下,数据传输速率可以达到2 Gbps,平均功耗为9mW。  相似文献   

3.
主要介绍了低压差分信号(LVDS)的工作原理和特点,主要叙述了LVDS的布线技巧,如何在PCB上实现阻抗控制、延时要求等。  相似文献   

4.
基于SMIC 0.18 μm 1P6M 标准CMOS工艺,设计了一种2.5 Gb/s LVDS接收器电路。仿真结果表明,所设计的LVDS电路参数符合LVDS标准,LVDS接收器的输出信号上升沿抖动约为0.76 ps,有效版图面积约为(83×44) μm2,能应用于高速数据接口。  相似文献   

5.
卜山  周玉梅  赵建中  刘海南 《半导体技术》2014,39(5):326-329,334
基于绝缘体硅(SOI)0.35μm工艺实现了一款满足IEEE 1596.3和ANSI/TIA/EIA-644工业标准的低压差分信号(LVDS)驱动器芯片。全芯片分为预驱动模块、输出驱动模块、共模反馈模块、使能模块和偏置模块。提出了一种具有低输入电容输出驱动模块电路结构,经仿真验证可有效降低LVDS预驱动模块30%的功耗,同时降低29%的信号延时。芯片利用共模反馈机制控制输出信号的共模电平范围,通过环路补偿保证共模反馈电路的环路稳定性。芯片使用3.3 V供电电压,经Spice仿真并流片测试,输出信号共模电平1.23 V,差分输出电压347 mV,在400 Mbit/s数据传输速率下单路动态功耗为22 mW。  相似文献   

6.
韦雪明  李平 《半导体技术》2010,35(12):1213-1216
设计了一种内置差分信号有效性检测电路的串行低压差分信号接收器,通过对信号的差分摆幅进行比较,能够正确检测差分信号是否处于标准范围之内.采用片内阻抗匹配网络和镜像补偿型差分电路结构实现了高速串行差分信号到CMOS电平信号的转换,也克服了高速信号传输过程中的信号完整性问题.基于0.13μm CMOS混合信号工艺设计,仿真结果表明,所设计的电路能够正确检测和接收数据率高达2.5 Gb/s,差分摆幅超过200 mV的串行差分信号.  相似文献   

7.
于越 《红外》2024,45(3):15-22
在大规模红外读出电路中,接口电路的数据传输效率及接口数量尤为关键。传统接口电路采用并行接口进行数据传输,这种方式会占用较多的芯片引脚。为了提升数据的传输效率,设计了一款用于数据接收的3通道串行低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling, LVDS)接口电路。电路采用0.18um互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)工艺设计。仿真结果表明,LVDS接口电路在400 MHz频率下,能够将2路接收端数据转换为8路数据并将其输出给内部数字处理单元。与传统并行接口相比,本电路节省了6个数据传输引脚,大大提高了数据传输效率。  相似文献   

8.
蔡敏  王谧 《半导体技术》2005,30(4):61-64
提出了一种用于LVDS(Low Voltage Differential Signal)接收器的内置失效保护电路.它能在接收器输入开路、短路和接负载的三种情况下,使输出保持高电平状态,而不受这三种非正常输入的影响.着重分析了这种内置失效保护电路的电路结构以及工作原理,并给出了用Spectrc进行模拟验证的结果.  相似文献   

9.
低压差分信号(LVDS)是用于高速低功耗数据传输的一种非常理想的传输技术。由于使用全差分技术和低电压摆幅,LVDS技术达到高速度的同时消耗的功耗非常小。设计了一种具有Gbps发送速度的LVDS发送电路。通过在输出采用闭环控制模式,使得LVDS输出共模电平和电压幅值被控制在一个合理的范围内。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,采用Hspice仿真器对整个发送电路进行模拟,结果表明所设计的发送电路具有4Gbps发送速度,功耗仅为18.6mW。  相似文献   

10.
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种用于10位200 MHz高速流水线模数转换器的CMOS LVDS收发电路。该收发电路由发射器(TX)和接收器(RX)组成。发射器通过带共模反馈的闭环控制电路,将0~3.3 V的CMOS信号转换成(1.2±0.35)V的LVDS信号。接收器采用一个轨至轨预运算放大器保证LVDS信号的完整接收,并实现一定的增益,之后由迟滞比较器和输出缓冲器实现对共模噪声的抑制以及信号驱动能力的提高,最终正确恢复出CMOS信号。仿真结果表明,在400 MHz脉冲输入下,收发器可以稳定工作在3.3 V电源电压,总功耗仅为22.4 mW。  相似文献   

11.
尤扬  陈岚 《微电子学》2007,37(6):899-902
提出了一种符合IEEE Std 1596.3-1996[1]标准,适用于芯片间高速数据传输的低电压差分信号(LVDS)接收电路;有效地解决了传统电路结构在电源电压降至3.3 V或更低以后不能稳定工作在标准规定的整个输入共模电平范围内的问题,电路能在符合标准的0.05~2.35 V输入共模电平范围内稳定工作,传输速率可达1.6 Gb/s,平均功耗1.18 mW。设计基于HJTC(和舰科技)Logic 0.18μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺,使用3.3 V厚栅MOS管和1.8 V薄栅MOS管。  相似文献   

12.
尤扬  陈岚   《电子器件》2008,31(3):915-918
低电压差分信号(LVDS)是串并转换电路(SerDes)的一种主流接口技术.本文设计并实现了一种适合于8B/10B编码串并转换电路的LVDS接收器(Receiver).本设计的指标完全兼容IEEEStd1593.3-1996标准.它支持最大0.05 V至2.35 V的共模电平输入范围,最小100 mV的差模输入,能够在至少40英寸FR4带状线上达到1.6 Gb/s的接收速率,平均功耗3 mw.电路设计基于0.18μm1.8 V/*3.3 VCMOS工艺,同时采用了3.3 V器件和1.8 V器件.  相似文献   

13.
高速多电平LVDS收发器设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
为了提高现有LYDS接口的工作速度,介绍了一种多电平LVDS收发器的设计,其发送器可以以5电平的形式发送数据.而接收器通过内部的数控增益和自动增益控制电路将接收到的信号恢复为一个固定幅度的信号供下一级AD转换为数字信号。仿真结果表明,在0.18μm/1.8V工艺条件下,此收发器实现了3.125Gb/s的数据传输速率。  相似文献   

14.
针对电子系统设计中不同电路板之间的大量数据的高速实时传送问题,提出采用并行低压传送技术的解决方案;由于Altera公司的Cyclone系列产品提供了对低压差分信号(LVDS)接口的支持,因此选用该器件在宽幅面喷墨绘图机设计中实现了高速的并行低压差分传送接口,数据传输的速率达到20 MB/s。  相似文献   

15.
在65Ω连接器的基础上,采用增大连接器差分阻抗的方式对连接器进行了改进,比较了改进前后连接器的差分阻抗和眼图的测试结果,证实了此改进方法对提高差分阻抗,进一步改善产品传输性能是有效的。  相似文献   

16.
LVDS在仿人灵巧手高速串行中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
在仿人灵巧手与PC机之间的串行通信系统中使用LVDS技术可使通信速率和工作距离大大增加。本文通过一个具体应用环境介绍了利用TI公司的SN65LVDM176半双工LVDS芯片和Altera公司的FPGA实现PPSeCo(PointtoPointHighSpeedSerialCommunication)高速串行通信系统的方法,并将其应用到仿人灵巧手系统中,取得了良好的效果。  相似文献   

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