微通孔填充的电镀铜工艺

电子设备的不断轻便化和功能增长的发展趋势推动PCB板朝小型化及线路密度增加的方向发展。传统的过孔（through hole)与导通孔（via）互连的多层PCB板并不是满足这些密度要求的实用解决方法。这促使高密度互连？（HDI）如顺序积层法技术等颠倒是非代方式的引进，同时对微通孔应用的需求也在快速增长，预计这种趋势会不断持续。     

导通孔电镀铜填充技术

概述了下一代PCB用镀铜层导通孔填充技术。     

导通孔填充镀铜技术

概述了导通孔填充镀铜技术的应用和工艺条件,贯通孔填充和Si贯通电极（TSV）填充等其它的填充镀铜技术和今后的展望。     

硅通孔电镀铜填充工艺优化研究

研究了孔径40μm的硅通孔铜电镀填充工艺,通过改善电镀工艺条件使得孔径40μm、孔深180μm的硅通孔得以填充满。首先,在种子层覆盖以及电镀液相同条件下通过改变电镀电流密度,研究不同电流密度对于铜填充的影响,确定优化电流密度为1ASD(ASD:平均电流密度)。之后,在相同电流密度下,详细分析了超声清洗、去离子水冲洗以及真空预处理等电镀前处理工艺对铜填充的影响。实验表明,采用真空预处理方法能够有效的将硅通孔内气泡排出获得良好的铜填充。最终铜填充率在电流密度为1ASD、真空预处理条件下接近100%。     

采用电镀铜充填盲导通孔工艺

概述了采用电镀铜充填盲导通孔的积层板制造工艺,可以在短时间内完全填充盲导通孔内部,不含残留空隙, 可以获得高导电性和高可靠性的填充盲导通孔。     

全自动导通孔填充制程

主要介绍导通孔填充制程的另一种替代方法,即用封闭头网板印刷的细节,也称封闭式整体印刷方法。     

导通孔和通孔填孔镀用的CuSO4电镀工艺“Cu-BRITE TFⅡ”

概述了CuSO4电镀工艺＂CU-BRITE TFⅡ＂的开发和特性,适用于镀铜层填充导通孔和贯通孔。     

贯通导通孔填充用导电性Cu胶

概述了填孔用导电性Cu胶和贯通导通孔填充工艺,可以制造具有高可靠性和高散热性的高密度PWB。     

导通孔填充简介

文章介绍了导通孔的电镀填充的几种影响因素，重点介绍了电镀液中的添加剂的作用及其对填孔效果的影响。     

通孔电镀填孔工艺研究与优化

为了提高高密度互连印制电路板的导电导热性和可靠性,实现通孔与盲孔同时填孔电镀的目的,以某公司已有的电镀填盲孔工艺为参考,适当调整填盲孔电镀液各组分浓度,对通孔进行填孔电镀。运用正交试验法研究加速剂、抑制剂、整平剂、H2SO4浓度对通孔填充效果的影响,得到电镀填通孔的最优参数组合,并对其可靠性进行测试。将得到的最优电镀配方用于多层板通孔与盲孔共同填孔电镀。结果表明:电镀液各成分对通孔填充效果的影响次序是:抑制剂>整平剂>加速剂>H2SO4;最优配方是:加速剂浓度为0.5 ml/L,抑制剂浓度为17 ml/L,整平剂浓度为20ml/L,H2SO4浓度为30 g/L。在最优配方下,通孔填孔效果显著提高,其可靠性测试均符合IPC品质要求。该电镀配方可以实现多层板通孔与盲孔共同填孔电镀,对PCB领域具有实际应用价值。     

PCB微盲孔电镀铜填平影响因素研究

为满足含微盲孔的高密度互连印制电路板高可靠性的要求,提出了微盲孔电镀铜填平的互连工艺技术.通过对微盲孔电镀铜填平工艺影响因素的分析,主要研究了电镀铜添加剂对微盲孔电镀铜填平的影响,运用了正交试验的分析方法,得到了各添加剂的最佳浓度范围,并验证了其可行性,从而使微盲孔获得了很好的填充效果.     

四层埋／盲孔制作工艺

本文介绍了四层埋/盲孔的制作工艺。     

不同电镀参数组合对电镀填孔效果影响研究

电镀填孔存在填孔爆发期,即在填孔爆发期内盲孔底部和面铜的电沉积速率之比逐渐达到最大值,其中电流密度对填孔爆发期以及爆发前后盲孔内外铜层的电沉积速率变化有较大影响,若能了解其规律可帮助优化电镀参数,以期望缩短电镀填孔时间,获得较好填孔效果。在不同电流密度及盲孔孔径下,电镀填孔不同时期(初始期、爆发期、末期)持续时间以及填孔过程中盲孔底部、面铜电沉积速率的变化规律,并在不同填孔时间段内使用不同电镀参数进行电镀填孔。研究表明:在电镀填孔不同时期采用不同电镀参数组合,能缩短电镀填孔时间,获得较好盲孔填平效果。     

脉冲电镀在微盲孔填孔上的应用

电子产品的轻薄短小的发展趋势要求印制线路板的布线密度越来越高,这就使得板上的孔(包括通孔、埋孔和盲孔)径必须越来越小。在导通盲孔上直接叠孔的结构是实现最高布线密度的有效方法之一。作者通过水平脉冲电镀进行了微盲孔填孔电镀实验,在最佳的工艺条件下,在厚径比达到1.4:1的情况下仍然获得了良好的填孔效果,并对影响微盲孔填孔能力的一些因素进行了初步的探讨。     

浅谈高多层埋／盲孔板制作的重点控制项目

本文主要概述了大尺寸高多层/埋盲孔板制作的重点控制项目,达到提高产品的成品率。     

基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究

针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了 一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程.该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155 μm、直径为41μm的TSV结构.使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测...     

埋／盲孔多层PCB制作工艺

本文阐述了埋盲孔多层印制板的制作工艺,并对关键工序的控制作了详细说明。     

HDI刚挠印制板中的埋盲孔工艺研究

电子产品日益向便携式发展,使得刚挠结合板的应用也扩大,如今已成为印制板工业中的研究热点。随着组装技术的提高,刚挠结合板出现了改善性设计,高密度互连成为其发展方向之一。文章结合实例,讨论了高密度互连刚挠结合板的制造工艺,并对刚挠结合板中埋盲孔工艺的关键技术做了研究。较详细地研究了埋盲孔工艺中的材料选择、层压、钻孔和孔金属化等问题,得到了较好的工艺参数,并通过飞针测试检测导电性能,孔的合格率达99．9％以上。