溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜

采用了溶胶-凝胶工艺在普通的玻璃载玻片上成功地制备出具有c轴择优取向性、高的可见光透光率、平整均匀的氧化锌薄膜。通过XRD、AFM以及UV光谱仪等分析,其结果表明:所制备的氧化锌薄膜具有纤锌矿型结构,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在40~90 nm,溶胶浓度增大时,其晶粒大小呈增大的趋势。随着涂膜层数的增加,薄膜的(002)方向的取向度增加。薄膜在可见光区的光透过率>85%,在近紫外光波段透射率急剧减小,对应的禁带宽度为3.34 eV。     

溶胶—凝胶工艺参数对PLT10薄膜显微结构的影响

研究了溶胶－凝胶工艺中溶胶陈化时间，热处理工艺条件和衬底材料对ＰＬＴ１０（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１Ｔｉ０．９７５Ｏ３的简称）薄膜显微结构的影响。结果表明，在（１００）Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＬＴ１０薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜；在（１００）ＳｒＴｉＯ３衬底上制备的ＰＬＴ１０薄膜为（００１）择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜，（００１）择优取向度高达０．９５。溶胶陈化时间愈长，薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高，ＰＬＴ１０薄膜钙钛矿结构发展越充分，薄膜晶粒尺寸越大。     

MgO薄膜的制备和二次电子发射性能的表征

以无机盐为原料,用溶胶-凝胶技术在S i(111)衬底上制备(100)取向M gO薄膜。镁硝酸盐的冰醋酸溶液加热回流转化形成的M g(CH3COO)2,与乙酰丙酮(A cA c)分子形成环状螯合物M g(CH3COO)2-x(A cA c)x可抑制M g2 离子的过度水解,经水解形成的M g(OH)2-x(A cA c)x羟基聚合形成镁的羟基簇状结构溶胶。丙三醇(GL)防止羟基镁过度聚合,聚乙烯醇(PVA)分子中强极性基团-OH和金属离子螯合或化学吸附,使镁的羟基簇状结构溶胶具有线状或网状结构,易于成膜。有机添加剂也会使M gO薄膜在热处理过程的热应力因薄膜塑性增强而降低。文中对形成的M gO薄膜的微结构、形貌等进行了分析,通过M gO薄膜二次电子发射系数γ值的测定,反馈M gO薄膜的性能,为提高PDP(p lasm a d isp lay panels)性能提供依据。     

Sol-Gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究进展

综述了溶胶—凝胶法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究现状,主要介绍了制备过程中衬底材料、热处理工艺、前驱体以及掺杂等因素对铁电陶瓷薄膜择优取向的影响以及铁电陶瓷薄膜的择优取向与铁电性能的关系。     

Sol-Gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究进展

综述了溶胶—凝胶法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究现状,主要介绍了制备过程中衬底材料、热处理工艺、前驱体以及掺杂等因素对铁电陶瓷薄膜择优取向的影响以及铁电陶瓷薄膜的择优取向与铁电性能的关系。     

溶胶——凝胶法制备SiO2薄膜

本研究采用ＴＥＯＳ－ＥｔＯＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料，应用低温合成技术，成功地在玻璃在底上制备了完整透明的ＳｉＯ２薄膜。对合成材料进行了差热－失重分析，Ｘ射线衍射分析，红外透射光谱分析及理化检验。结果表明，无序ＳｉＯ４四面体网络已经形成，薄膜的固体物理状态可控制的晶态，非晶态，并赋予基底优良的理化性能。     

溶胶凝胶法制备氧化亚铜薄膜及其工艺条件

以单质锂、无水甲醇和氯化铜为原料,葡萄糖为还原剂,醋酸为络合剂,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备Cu2O薄膜,并确定了制备的工艺条件:CH3OH及CuCl2·2H2O为原材料,C6H12O6·H2O为还原剂,CH3COOH为络合剂。通过X射线衍射仪、紫外 可见分光光度计和扫描电镜等分析和表征,确定了影响Cu2O薄膜性质的因素。结果表明:用溶胶 凝胶法可以制备具有良好性能的Cu2O薄膜。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜的研究

利用金属醇盐以溶胶-凝胶方法制备In掺杂SnO2薄膜,并用正交试验系统地研究各种因素对溶胶稳定性和薄膜成膜性的影响,研究表明：溶液配比、加水量、催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素,适当地稀释倍数对抑制膜层开裂有明显作用。In^3 离子注入极大地提高了薄膜的导电性。     

Sol—Gel V2O5薄膜的成膜和取向研究

采用溶胶－凝胶法在SiO2/Si衬底上沉积V2O5薄膜,详细介绍了对衬底表面作亲水处理的方法。以不同浓度溶胶,在不同温度和不同气氛下对薄膜进行热处理,得到以＜001＞向为主取向的高取向薄膜,从理论上解释了V2O5薄膜的取向机理,并与相同衬底上的热蒸发和PLD氧化钒薄膜的取向作了比较。     

Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜

采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取向AlN薄膜,而且N2百分比为40%时,AlN薄膜的c-轴取向最好,具有尖锐的XRD峰,此时对应于AlN(002)晶向。计算了(002)取向AlN和两种Si衬底的失配度,Si(111)面与AlN(002)面可归结为正三角形晶系之间的匹配,失配度为23.5%;而Si(100)面与AlN(002)面可归结为正方形晶系与正三角形晶系之间的匹配,失配度为0.8%,可以认为完全共格。理论分析和实验结果相符。     

溶胶凝胶法制备掺杂锑（Sb）的透明导电膜

采用溶胶－凝胶方法制备了SnO2掺杂Sb的透明导电膜（简称ATO膜），并讨论了掺杂量和热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响，用XRD，SEM，TG－DTA以及IR等研究了所得薄膜的结构性质，制备出导电性能优良的透明导电膜。     

溶胶凝胶法制备掺杂锑(Sb)的透明导电膜

采用溶胶 凝胶方法制备了SnO2 掺杂Sb的透明导电膜 (简称ATO膜 ) ,并讨论了掺杂量和热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响 ,用XRD ,SEM ,TG DTA以及IR等研究了所得薄膜的结构性质 ,制备出导电性能优良的透明导电膜     

溶胶—凝胶法制备TiO2氧敏元件研究

用溶胶－凝胶法和液相共沉淀法分别制备了ＴｉＯ２厚膜氧敏元件，对所得元件的性能进行了分析。通过对比实验发现，溶胶－凝胶法是一种很有潜力的制备ＴｉＯ２氧敏元件的新方法。     

溶胶-凝胶法制备BST/MgO复合粉体晶化过程研究

为降低钛酸钡锶BST/MgO陶瓷烧结温度,减小BST晶粒尺寸,采用溶胶-凝胶法制备BST/MgO复合粉体,DTA/TGA,FT-IR,XRD,TEM和SEM分析BST/MgO干凝胶的晶化过程.结果表明,采用溶胶-凝胶法制备出包裹MgO粉体的BST凝胶,凝胶经干燥、预烧得到BST/MgO复合粉体.凝胶干燥后形成含Ba2 ,Sr2 的非晶态干凝胶,干凝胶在晶化过程中会形成BaCO3和SrCO3,它们与TiO2反应形成钙钛矿晶型结构的BST.BST的钙钛矿结构主要在550~650℃形成,粉体在700℃预烧后基本完全晶化,得到包含BST和MgO两相的复合氧化物粉体,其中BST晶粒大小约20 nm,MgO晶粒大小>0.1μm.粉体经冷等静压成型和1300℃无压烧结制得BST晶粒为3~5μm的BST/MgO陶瓷,烧结温度比普通固相反应烧结温度低约150℃.     

二氧化锡衬底上Sol—Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅 (PLT)溶胶 ,在CVD法沉积生成的二氧化锡 /玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火 (RTA)处理后 ,用X射线衍射 (XRD)测试了膜的结晶取向 ,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明 ,Sol-GelPLT膜在SnO2 衬底上能正常结晶 ,结晶温度与在Pt衬底上一致 ,结晶取向以〈10 0〉为主取向。 10V时 ,SnO2 衬底上厚度为 0 5 6μm的PLT膜的漏电约为 5 6× 10 - 7A/mm2 ,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=2 4μC/cm2 ,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2 的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

Sol-Gel法制备纳米二氧化钛粉体

以钛酸四丁酯为原料，采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备出了晶粒尺寸6～23nm的二氧化钛粉体，并对酸度．制备温度和升温速率等条件进行了研究．实验证明：室温下，硝酸与钛酸酯摩尔比为0．30～0．39；450℃左右煅烧2h可得锐钛型二氧化钛纳米粉体；600℃煅烧2h得到金红石型二氧化钛粉体。