集成电路封装热设计的发展动向

本文根据半导体芯片技术的发展和用户的需求论述了影响半导体制造的热设计的发展动向。用几个特例(如双列直插式管壳,陶瓷芯片载体,针栅阵列管壳)来描述封装材料、管壳设计、外部环境和封装集成度的重要性。管壳设计的发展趋势与散热技术的重大进展有密切关系。     

用于集成电路扁平封装的平行缝焊技术

随着半导体集成电路封装技术的迅速发展,国内扁平管壳和双列直插式管壳已先后试制成功并逐步采用。这些管壳本身结构虽属气密性的,但由于封帽问题未彻底解决,封装的气密性最终仍难得到保证。目前扁平封装最终达到气密封接的主要途径,一种是采用低温合金焊料,另一种是电阻熔焊技术。比较这两种封接方法其优缺点如下:     

层流病房表面擦拭消毒的效果观察

利用压电陶瓷技术,设计并制备球面阵列压力传感器,并用于爆炸冲击波压应力的测试.结果表明,阵列传感器可测试爆炸冲击波的的压应力及其分布、体密度分布、面密度分布等参数,测试结果证明爆炸过程产生+的冲击波存在空间分布不均匀性.球面阵列压电陶瓷传感器的性能:测试单元数为136个,呈球面密排分布;不同单元的介电常数分布偏差小于±2.5%;压电常数分布偏差小于±2%;动态响应频率约为1 MHz;冲击破坏阈值为100 MPa量级.     

集成电路封装小辞典

封装缩写缩写词释义外形特点安装特点BEAML梁式引线封装射频模块外形射频安装CAN金属壳封装标准外形通孔安装DIMM双列直播存储器型组件模块化外形通孔安装DIP双列直插式封装标准外形通孔安装SDIP收缩型双列直插式封装标准外形通孔安装DIP一tab带散热片的双列直插式封装标准外形通孔安装DPAK小外形表面安装小外形表面安装FP扁平封袭标准外形表面安装FPLL引脚扁平封装标准外形表面安装JDIP“丁”引脚双列封装标准外形表面安装LDCC引线载体芯片载体外形表面安装LLCC无引线载体芯片载体外形表面安装PLCC塑料无引线载体芯片…     

钼离子的氧化对电真空陶瓷管壳的污染

通过对电真空陶瓷管壳在金属化过程中表面产生变色现象的探讨，论述了陶瓷高温烧结中钼离子的氧化造成陶瓷管壳表面污染是产生色变的又一新的原因。     

DFZ481型八元红外前置放大电路组件

本文介绍了与HgCdTe红外探测器阻抗相匹配的DFZ481型红外前置放大电路组件。组件单元电路具有高增益(≥50dB)、宽带、低源阻、低噪声等特性。组件采用双列直插式陶瓷管壳封装,很容易制成16、32……160元组件。     

用四边引线和方片载体方法使高密度封装向更高密度发展

正是由于电路封装主要是依靠在芯片上更多的互连。所以它不是象在印刷电路板上作较少的连线。芯片电路和印刷电路继续沿着这种方向达到更高的密度。为了制作这种高密度封装管壳销售厂终于得到了一些可采用的方法,其中有两种值得注意的方法是:四侧引线封装(简称QUIP)和陶瓷方片集成电路载体。 采用LSI大尺寸塑料和陶瓷双列直插式封装(DIP)已经很久了,由JEDEC标准化的尺寸为48腿、64腿的管壳,管脚间隙为0.1吋。但是在1985年以后,超大规模集成电路芯片含有100000个或者更多的半导体器件,这将需要比现在的DIP具     

简讯

我所一室在ECLⅢ系列电路制作工艺的基础上,采用先进的补偿网络设计和氧化物隔离等平面技术,于1981年10月在国内首先研制成功全温度、电压补偿的ECL100K系列五输入三门电路SF101。 该电路采用24引线双列直插式埋线陶瓷管壳封装。其典型参数与国外同类产品F100101相当:     

东芝开发的多芯片组装

移动电话等通信器材正向更微型、轻量发展。东芝公司用SRAM和快闪存储器裸片复合实现了微型封装。管壳尺寸为10mmx12mm,组装面积为原TSOP（ThinSmallOut－linePackage）的1／3.另外,由于SRAM和快闪存储器的地址及数据公用,所以,容易进行器材的印刷基板布线。由于探片复合化,可开发出各种新制品。东芝开发的多芯片组装     

双极化全金属Vivaldi三角栅格阵列设计北大核心CSCD

本文设计了一个超宽带宽角扫描双极化三角栅格阵列天线，天线采用全金属Vivaldi结构。相较于相同最佳采样的矩形栅格阵列天线而言，采用三角栅格布阵，可以大大减少天线单元数量，降低天线成本。但由于三角形栅格布阵的不对称性，两个极化不完全正交，导致在E面和H面有相比于矩形栅格阵列更高的交叉极化。对基于此结构的无限大阵列进行仿真，该相控阵天线工作带宽9:1(2～18GHz)，端口隔离度大于20db，在有源VSWR小于3的情况下，D面、H面扫描角达到±45°，E面扫描达到±30°。     

乳胶模制球面微反射镜阵列

英国南安普顿大学的科研人员将研制出一种以球面反射镜阵列构成的阵列器件。该器件包含激光器或由光学活性材料填充的微谐振腔，以金(Au)、铂(Pt)或者其他材料作反射表面。为了制造这种阵列，把含有微型乳胶球的胶体溶液铺在金膜上，在合适的条件下，微乳胶球置于密堆积的     

热疗用凹球面状环形换能器的研究

引入负声源，导出了凹球面状环形换能器声场的简洁表示式。通过数值计算，研究了凹球面状环形阵列的阵元几何尺寸、阵元分布和阵元数及激励信号等因素对声场特征的影响，分析了此类阵列的相控聚焦效果。     

陶瓷LCC散热片规格的确定

半导体工业愈来愈关心复杂微电路的热控制。为了保证可靠的工作,排除来自电路的热量是极端重要的。设计工程师需要掌握各种散热片的资料和数据,才能够确定满足特殊散热要求的元件。 在过去的几年里,由于新一代VLSI器件对IC封装的电气和空间方面的限制,陶瓷无引线芯片载体(LCC)已成为双列直插式管壳(DIP)的很有希望的替换物。合理封装,正向更大和更复杂的芯片、更多的输入/输出,更高的功耗和多芯片管壳的方向发展。     

单模光纤全金属化耦合封装1.3μm侧面发光二极管

阐述了１．３μｍ侧面发光二极管（ＥＬＥＤ）到单模光纤的耦合和实验结果。获得了在１００ｍＡ的驱动电流下，对于芯径为８～１０μｍ的标准单模光纤，最大尾纤输出功率大于５０μＷ，典型值２０μＷ的同轴式、扁平式、１４针双列直插式的全金属化耦合封装器件具有较高的可靠性和温度稳定性。     

一种MCM12位A／D转换器的设计和研制

介绍了一种ＭＣＭ１２位逐次逼近型Ａ／Ｄ转换器ＳＡＤ５０３的特点和工作原理，探讨了它的系统设计、电路设计、工艺技术，阐述了其研制及应用。这种Ａ／Ｄ转换器在３６．５ｍｍ×１０．５ｍｍ的双层薄膜布线陶瓷基板上组装了１８个ＩＣ裸芯片和其他片式器件及电阻网络，并封装于３２引出端双列直插式陶瓷管壳中。线性误差±１／２ＬＳＢ，微分线性误差＜±１ＬＳＢ，转换时间６μｓ，最大功耗８７０ｍＷ     

压电及其它功能器件

３压电及其它功能器件９４０９５多层陶瓷致动器的制作──ＲｉｔｔｅｒＡＰ．Ｐｒｏ－ｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＡＤＰＡ／ＡＩＡＡ／ＡＳＭＥ／ＳＰＩＥＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９９１：６９３～６９６采用生产多层陶瓷电容器的技术来制作层状陶瓷致动器，能达到具备...     

LGA焊接工艺研究

随着电子制造业的发展,栅格阵列封装（LGA）封装越来越多地应用在各种电子产品上。由于其扁平式、无预上焊料的结构,非常容易造成焊接后焊点空洞过大,进而影响其焊接的可靠性。LGA焊点空洞在所有贴装类型元件中相对较难控制,如何减少LGA焊接空洞成为当前表面贴装（SMT）行业的难题之一。主要从采用不同锡膏、不同钢网开孔和不同回流焊接曲线等3个方面,探讨了不同的工艺手段对焊接空洞的影响,以及如何优化焊接工艺以减少LGA元件的空洞。     

气密性陶瓷管壳

本发明披露了制造气密性陶瓷管壳的方法。这种方法包括如下几个步骤：先在管状陶瓷零件开口端面上涂复由Ｔｉ和／或Ｚｒ组成的活性金属，其涂复的数量为０．１－１０ｍｇ／ｃｍ＾２，这样，就形成了一系列支，然后把钎焊放置于活性金属层上，再放置画住管状陶瓷零件开口部分的金属罩，而金属罩端面圆周应与钎焊料相接触，于是，卞把罩钎焊到了管状陶瓷零件的开口端面上。     

CCF型片式塑封交流瓷介电容器

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难，我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接，再用模塑环氧树脂封装，然后分割并切开连体引线，将切开后的扁平引线平贴在外壳表面，得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器，该产品比MLCC交流瓷介电容器的制造更容易，可靠性更高，且适用于表面贴装。     

乳胶模制球面微反镜阵列

英国南安普顿大学的科研人员将研制出一种以球面反射镜阵列构成的阵列器件.该器件包含激光器或由光学活性材料填充的微谐振腔,以金(Au)、铂(Pt)或者其他材料作反射表面.为了制造这种阵列,把含有微型乳胶球的胶体溶液铺在金膜上,在合适的条件下,微乳胶球置于密堆积的单层中.然后把一种金属电镀到球体上,在用溶剂溶解掉微型乳胶球后留下微型凹球面反射镜阵列.