掺OH^—稳定的F^＋2型心的激光振荡

利用我所研制的掺质均匀、色心稳定性好的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）Ｈ和ＫＣｌ（Ｎａ＾＋，ＯＨ＾－）：（Ｆ＾＋２）ＡＨ色心晶体，我们实现了＞２５０ｍＷ的１．５７μｍ和＞４０ｍＷ的１．８８μｍ色心激光输出。本文报道其实验结果。     

红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究

推导了ｄ＾３（Ｃ＾＊３ｖ）组态离子的中间场能量矩阵，建立了红宝石（Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３）晶体基态＾４Ａ２零场分裂（ＺＦＳ）参量Ｄ及＾２Ｅ态分裂△Ｅ（＾２Ｅ）与晶体结构之间的定量关系；假设晶格畸变的基础上，统一地计算了Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３晶体的ＺＦＳ参量Ｄ、Ｚｅｅｍａｎｇ因子、精细光谱及＾２Ｅ态的分裂△Ｅ（＾２Ｅ），计算结果与实验观测十分吻合，定量的研究结果表明：当Ｃｒ＾３＋离子掺入Ａｌ２Ｏ３晶     

NaCl（OH^—或O^—2）：F^＋2）H色心激光研究的进展

文中介绍了近几年来ＮａＣｌ（ＯＨ＾－２或Ｏ＾－２）：（Ｆ＾＋２）Ｈ色心激光研究的进展，简要说明了它的应用前景。     

在300nm波段OCS分子的多光子电离谱

本文首次测定了ＯＣＳ分子在２９９￣３０２ｎｍ波段的多光子电离谱。这一段的谱线被归属为Ｄ＾１Σ＾＋←Ｘ＾１Σ＾＋的跃迁。通过激光功率和离子信号强度的关系，认为ＯＣＳ分子多光子电离经历了（２＋１）三光子电离的过程。此外，还考察了ＯＣＳ的压力对离子信号强度的影响，并对此进行了讨论。     

生长气氛对Ti^3＋：Al2O3单晶光纤质量的影响

在不同性质的气氛下，用激光加热基座法，生长Ｔｉ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤，作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析。并研究了不同性质的气氛对Ｔｉ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤的内部缺陷（气泡，散射颗粒等）、外部形貌、钛离子浓度的影响。     

Hg系高温超导体的电子显微镜研究

Ｈｇ系高温超导体的电子显微镜研究邵贝玲，王晓华，刘安生，宿延京，曹国辉，赵忠贤（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（北京科技大学，中科院物理所国家超导中心）具有高临界转变温度的Ｈｇ系列高温超导体ＨｇＢａ＿２Ｃａ＿（ｎ－１）Ｃｕ＿ｎＯ＿（２ｎ＋２...     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

亚稳态惰性原子与SOCI2传能反应产物SO（A）的发射光谱和强度分析

本文在流动余辉装置上，利用亚稳态惰性气体原子《Ｈｅ（２＾３Ｓ），Ｎｅ（３Ｐ０，２），Ａｒ（３Ｐ０，２）》与ＳＯＣＩ２专能反应，在（２３０－４３０ｎｍ）波段观察到了产物的发射谱，光谱归属为自由基ＳＯ（Ａ＾３П２，１，０→Ｘ＾∑＾－）的跃迁。对光谱强度分析表明：ＳＯ（Ａ→Ｘ）的偶极跃迁矩Ｒｅ随核间距明显地变化。通过拟合，找出了这一变化的关系。另外，本文还计算了ＳＯ（Ａ＾３П０→Ｘ＾３∑＾－）跃迁的...     

新型氟化物激光晶体

基于近年来的工作，并与Ｔｉ＾３＋，Ａｌ２Ｏ３激光晶体对比，对掺Ｃｒ＾３＋的ｃｏｌｑｕｉｒｉｉｔｅ结构氟化物激光晶体的性能进行了分析，论述了此类激光晶体的优势和不足，并提出了一些可能的解决办法。     

三乙胺分子的共振增强多光子电离解离通道研究

利用ＴＯＦ质谱装置对三乙胺分子在和两谱区进行了共振增强多光子电离解离研究。质谱中除有极强的母体离子１０１＾＋和母体上甲基的８６＾＋峰外，还检测到明显的５８＾＋，４２＾＋，３０＾＋，２９＾＋，３０＾＋，２９＾＋，２８＾＋，２６＾＋，２７＾＋和较弱的７２＾＋，７０＾＋，５６＾＋，４４＾＋，１５＾＋，１２＾＋等峰，并与电子轰击谱进行了对照。     

（Nd,Er）：YAG晶体中Nd^3＋和Er^3＋离子间相互作用

用激光加热基座法生长了Ｅｒ：ＹＡＧ、（Ｎｄ、Ｅｒ）：ＹＡＧ和Ｎｄ：ＹＡＧ单晶光纤，测试了单晶光纤的透过率谱和Ｅｒ＾３＋离子＾４Ｉ１１／２、＾４Ｉ１３／２态，Ｎｄ＾２＋离子＾４Ｆ３／２态的固有寿命τ０，双掺晶体中这些态的平均寿命τ０。讨论了Ｎｄ＾３＋离子对Ｅｒ＾３＋离子的敏化作用。     

BF2^＋注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用ＳＩＭＳ技术，分析了ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅退火前后Ｆ原子在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移特性，结果表明，８０ｋｅＶ，２×１０＾１５和５×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅经过９００℃，ｍｉｎ退火后，部分Ｆ原子已扩散到ＳｉＯ２中，Ｆ在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移行为呈现不规则的特性，这归因于损伤缺陷和键缺陷对Ｆ原子的富集作用。     

硅光电二极管快中子和氧离子的辐照效应

研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为１０＾１１ｃｍ＾－２，能量２．４５ＭｅＶ）和Ｏ＾＋＋＋（注入剂量为１０＾１０ｃｍ＾－２，能量１２ＭｅＶ）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分布进行了分析。结果表明，两种辐照垃引起器件的光电流下降，暗电流增加，在本实验条件下，快中子造成的损伤轻微且均匀地分布在整个器件体内，而Ｏ＾＋＋＋，辐照损伤区集中在器件表面附近，其损伤国快中子     

多媒体视频处理子系统的设计与实现（下）

用矿化度０．９２ｇ／ｌ的ＨＣＯ＾－３－Ｎａ＾＋．Ｍｇ＾２＋型地下水对黄土地区无作物农田进行定额灌溉，观测分析灌溉水入渗作用对黄土相关易溶阳离子的影响。结果表明，土壤表层的Ｃａ＾２＋，Ｍｇ＾２＋，Ｎａ＾＋均产生明显的淋溶解析作用 ，点淋溶率最大值分别为４９．３％、７３％、１８．８％和５４．９％；Ｋ＾＋和在０．２ｍ以下趋于稳定；     

〔O2（^1Δg）〕2二聚物激光振荡研究

本文从理论上估算了〔Ｏ２（＾１Δｇ）〕２二聚物激光输出功率，在实验中以微波（２４５０ＭＨｚ）激励高纯氧产生〔Ｏ２（＾１Δｇ）〕２二聚物，采用平凹稳定谐振腔，在波长６５６．１ｎｍ处实现了〔Ｏ２（＾１Δｇ）〕２二聚物的激光振荡，当氧气压强为１３３．３Ｐａ，微波激励功率为６００Ｗ时，此结果在数量级上与理论上估算相同，另外还测得激光束散角约为３７．３ｍｒａｄ。     

BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。     

Nd^3＋：NaY（WO4）2晶体的激光性能研究

本文报种新型的激光晶体Ｎｄ＾３＋：ＮａＹ（ＷＯ４）２．测定了它的结构、荧光光谱、吸收光谱。     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

CdCOB：Er^3＋,Yb^3＋晶体的光谱分析

生长了新型激光晶体ＧｄＣａ４Ｏ（ＢＯ３）３：Ｅｒ＾３＿（简称ＧｄＣＯＢ：Ｅｒ＾３＋,Ｙｂ＾３＋）,并测量了其室温透过谱、荧光谱及红外吸收谱。在９７４ｍｎ的二极管泵浦下,观察到微弱薄的绿光发射。在１５３６ｎｍ左右的荧光发射较强,讨论了ＧｄＣＯＢ：Ｅｒ＾３＋,Ｙｂ＾３＋→Ｅｒ＾３＋的能量传递解释了绿光发射,提出Ｙｂ＾３＋合作向Ｅｒ＾３＋合作向Ｅｒ＾３＋进行能量传递的机制。     

不同掺杂浓度Tm^3＋在YVO4晶体中光吸收各向异性的研究

在室温下测量了５种没的掺杂浓度（６．０ａｔ％,４．０ａｔ％,３．２ａｔ％）ＹＶＯ４;Ｔｍ＾３＋在２００－９００ｎｍ波段的吸收光谱。结果指出,Ｔｍ＾３＋掺杂的ＹＶＯ４晶体光 Ｔｍ＾３＋浓度而变化,每一谱带形状和结构是相似的;而高掺杂浓度Ｔｍ＾３＋的光吸收相对强度比低掺杂浓度的ＹＶＯ４吸收强;不同晶轴ＹＶＯ４晶体吸收质显示出各向异性。观察到在ａ晶轴含π和σ偏振的吸收谱。简要地讨论了Ｔｍ＾３＋,ＹＶＯ４