γ—射线辐照从Ni^2＋—Cu^2＋混合水溶液环境中制备复相纳米级超细粉

报道γ－射线辐照从Ｎｉ＾２＋－ＣｕＴ＾２＋混合水溶液环境中制备复相纳米级超细粉的物理化学过程及其相应的产物，分析了影响产物组成和粒径晶粒度的各种因素，制得Ｃｕ－Ｃｕ２Ｏ、Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｕ２Ｏ和Ｃｕ－Ｎｉ等多种复相纳米级超细粉体。     

四水顺丁烯二酸镍配合物的光谱研究

四水顺丁烯二酸镍配合物晶体是由苹果酸和碳酸镍反应制得的。在这一体系中，加热时苹果酸转化为马来酸并与镍离子络合物成标题配合物。本文测定了该配合物的电子吸收光谱和光声光谱，并用配位场理论定地解释了其光谱性质，得到了配合物的晶场参数及中心离子的轨道能级。理论结果与实验结果的互洽表明了配合物晶体结构与电子结构的一致。     

中子辐照对Bi2Sr2CaCu2O8Tc的影响

本文报道低通量慢中子辐照对Bi_2Sr_2CaCu_2O_8超导体的电阻转变的影响,而且辐照的这种影响随时间退化较小。结果可用改善弱连接来解释,说明低通量中子辐照也可作为研究超导体性质的一种手段。     

a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

 用射频（13.56MHz）反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜，并将制得的薄膜采用高能中子（14MeV）进行辐照。采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明：所得a-SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐照剂量的增加，a-SiC:H薄膜中SP-2C=C键增加，即其中的碳存在类石墨化的趋势。中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象，可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释。     

PAMS基凝胶型聚合物锂电池的制备及电化学性能表征

将丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯和苯乙烯按一定的摩尔比同电解液LB-302(1mol/LLiPF6的1∶1EC∶DEC溶液)进行混合制成凝胶型聚合物电解质前驱体,将此凝胶型聚合物电解质前驱体同电极材料和隔膜一起组装成扣式CR2032锂电池,再将此电池经γ射线原位辐照聚合制得三元共聚物(PAMS)为基体的凝胶型聚合物电解质可充电锂电池.用傅里叶红外和差示扫描量热对原位辐照聚合所制得的PAMS的结构和热稳定性进行了表征.并用交流复阻抗谱、循环伏安法和恒流充放电等技术对PAMS基凝胶型聚合物电解质锂电池进行了电化学性能表征.结果表明采用原位聚合法制备凝胶型聚合物锂电池不仅工艺简便,而且所制得的电池的充放电性能较好.     

交叉磁学的新进展

本文在当代磁学研究深入、领域扩大和应用广泛的背景下，介绍了当前若干交叉磁学在科学研究和高新技术应用方面的一些新的进展．目前，交叉磁学的研究和应用领域已经突破传统磁学的概念，而属于广义磁学的范畴．文中介绍的交叉磁学有：生物磁学、原子核磁学、基本粒子磁学（粒子磁学）、地磁学和天体磁学．     

中子辐照对熔融织构YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体磁学性能及微观组织的影响

本文研究了中子辐照对熔融织构生长(MTG)YBaCuO 超导样品磁学性能及微观组织的影响.采用了两种辐照剂量:2.3×10~(16)n/cm~2和1.16×10~(17)n/cm~2.通过比较辐照前后样品磁滞回线,发现临界电流密度明显提高,在77K、0.1T 磁场下,临界电流密度达到4.7×10~5A/cm~2,此辐照前样品的临界电流密度提高了几十倍.通过观察辐照前后不可逆线 T~*(H)的变化,发     

He+辐照对Ga0.94Mn0.06As薄膜铁磁性的改善

离子辐照半导体可以很好的改善半导体材料的磁学性质.用He⁺ 辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜,可以较方便的调制Ga_0.94Mn_0.06As 薄膜中产生铁磁性载体的浓度.由于空穴居间而导致Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的铁磁性, 可以通过He⁺的辐照来得到改善,其结果是Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的矫顽力可以增加3倍多. 当He⁺辐照流强增加时, 居里温度和沿着样品面外磁化难轴方向的饱和磁场都减小了. 被辐照的Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的电学性质和结构特征显示, He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜可以有控制地改善它的铁磁性, 其结果源于He⁺辐照Ga_0.94Mn_0.06As薄膜所诱导产生电缺陷对空穴的补偿, 而不是He⁺辐照改变了Ga_0.94Mn_0.06As薄膜的结构.     

N掺杂钛酸盐的电子结构和磁性研究

基于密度泛函理论,从头计算了N掺杂立方结构钛酸盐的电子结构和磁学性质.结果表明,N掺杂钛酸盐在自旋极化状态下的总能量比自旋非极化状态下的总能量小,说明N掺杂钛酸盐的基态具有铁磁性.从态密度和自旋密度分析可知,其磁性源于掺杂的N 2p电子和价带顶O 2p电子间的p-p耦合作用. 关键词： 钛酸盐 电子结构 磁学性质     

过渡金属与碳共掺ZnO磁光学性质的第一性原理研究

采用密度泛函理论第一性原理超软赝势的方法,计算了过渡金属与C共掺杂ZnO的磁学和光学性质. 计算结果表明,共掺杂均导致费米能级发生移动,掺杂体系共价性强弱发生变化,且共掺杂更有利于高居里温度铁磁性半导体的实现;为了进一步分析掺杂体系的磁学性质,研究了其铁磁态与反铁磁态的能量差、空间电荷和自旋密度分布．各种类型掺杂体系在高能区的光学性质与纯净ZnO几乎一致,而在低能区却存在较大差异,结合电子结构定性解释了光学性质的变化.     

第12届全国磁学和磁性材料会议简讯

由中国电子学会、中国物理学会、中国金属学会、中国稀土学会、中国计量学会、中国仪器仪表学会联合主办、中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室、中国电子学会应用磁学分会承办的“第12届全国磁学和磁性材料会议”于2005年11月16日至21日在福建武夷山市举行．这次会议是本世纪中国磁学界的一次大型盛会，内容涉及磁学和磁性材料科研、生产、市场和设备等各个方面，来自全国各地包括香港、台湾的业界人士330余人参加会议，共同探讨磁学和磁性材料的发展前景．会议主要内容包括：磁学基础研究，磁性材料研究，磁性测鼍与计量技术，检测仪器和设备制造，磁性材料生产、应用和市场等．     

原子吸收光谱法测定TG6钛合金中痕量镍不确定度的分析

通过对原子吸收光谱法测定TG6钛合金中痕量镍的不确定度的系统分析,阐述了测量结果不确定度主要来源于测量试液中镍的浓度、试液定容体积及样品质量产生的不确定度,并对这些分量进行了量化计算,最后计算出合成标准不确定度和扩展不确定度.同时通过评估,得出影响镍含量测定不确定度的主要因素是测量试液中镍浓度引起的不确定度.     

质子和电子对薄膜聚合物改性的研究

用能量为２０和１００ｋｅＶ的质子及８和１２ＭｅＶ的电子辐照低密度聚乙烯和聚丙烯薄膜，发现其作用效果是不同的。一定剂量的质子束使聚丙烯应力强度和相对伸长增加，而使聚乙烯力学性质变坏；电子束可使聚乙烯发生交联，而使聚丙烯辐照降解。Ｘ射线的结构研究表明，电子辐照聚丙烯，存在α和β相的转变，而聚乙烯则不存在这类相变．红外吸收谱的研究说明，在质子辐照聚丙烯时，随着剂量的增加，聚丙烯薄膜内部出现新的结构．这可能是两者根本不同的原因．     

钴掺杂二氧化锡纳米粉的光致发光和磁学性质

研究了钴掺杂对二氧化锡纳米粉的光致发光性质和磁学性质的影响,发现钴掺杂对发光带的位置影响很小,但紫外发光带与蓝色发光带的强度之比随掺杂含量的增加而下降.当钴掺杂含量达到0.02时,样品中的铁磁性被完全破坏.讨论了样品中的磁相互作用的机理,认为掺杂离子的不均匀分布、自旋极化子与掺杂离子之间的耦合都可能导致反铁磁性的相互作用,这种反铁磁性的作用破坏了铁磁性. 关键词： 钴掺杂二氧化锡 光致发光 磁学性质     

高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷

对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外，磷化铁(FeP₂)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷，而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰，对应的激活能分别为0.23 eV, 0.26 eV, 0.31 eV, 0.37 eV和0.46 eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多，电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比，辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下，经FeP₂ 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响. 关键词： 磷化铟 电子辐照 缺陷     

磁控溅射法制备钴掺杂氧化锌薄膜室温磁学性质

钴掺杂氧化锌是室温稀磁半导体的重要候选材料,其磁学特性和钴掺杂浓度、显微结构及光学性质密切相关。磁控溅射具有成本低、易于大面积沉积高质量薄膜等特点,是广受关注的稀磁半导体薄膜制备方法。利用磁控溅射方法制备了不同浓度的钴掺杂氧化锌薄膜,并对其显微结构、光学性质和磁学特性进行了系统分析。结果表明:当掺杂原子分数在8%以内时,钴掺杂氧化锌薄膜保持单一的铅锌矿晶体结构,钴元素完全溶解在氧化锌晶格之中;薄膜在可见光区域有很高的透射率,但在567, 615和659 nm处有明显吸收峰,这些吸收峰源于Co2+处于O2-形成的四面体晶体场中的特征d-d跃迁。磁学特性测试结果表明钴掺杂氧化锌薄膜具有室温铁磁性,且钴的掺杂浓度对薄膜的磁学特性有重要影响。结合薄膜结构、光学和电学性质分析,实验中观察到的室温铁磁性应源于钴掺杂氧化锌薄膜的本征属性,其铁磁耦合机理可由束缚磁极化子模型进行解释。     

磁控溅射法制备钴掺杂氧化锌薄膜室温磁学性质（英文）

钴掺杂氧化锌是室温稀磁半导体的重要候选材料,其磁学特性和钴掺杂浓度、显微结构及光学性质密切相关。磁控溅射具有成本低、易于大面积沉积高质量薄膜等特点,是广受关注的稀磁半导体薄膜制备方法。利用磁控溅射方法制备了不同浓度的钴掺杂氧化锌薄膜,并对其显微结构、光学性质和磁学特性进行了系统分析。结果表明:当掺杂原子分数在8%以内时,钴掺杂氧化锌薄膜保持单一的铅锌矿晶体结构,钴元素完全溶解在氧化锌晶格之中;薄膜在可见光区域有很高的透射率,但在567,615和659nm处有明显吸收峰,这些吸收峰源于Co2+处于O2-形成的四面体晶体场中的特征d-d跃迁。磁学特性测试结果表明钴掺杂氧化锌薄膜具有室温铁磁性,且钴的掺杂浓度对薄膜的磁学特性有重要影响。结合薄膜结构、光学和电学性质分析,实验中观察到的室温铁磁性应源于钴掺杂氧化锌薄膜的本征属性,其铁磁耦合机理可由束缚磁极化子模型进行解释。     

乔吉（Giorgi,Giovanni,1871-1950）意大利物理学家（Physicist,ltaly）

乔吉提出在电学、磁学和力学中得到广泛应用的计量单位制，在罗马工学院学过市政工程，1906-1923年主管罗马技术局，1913-1939年在罗马大学任教，并且还担任过卡利亚里和巴勒莫大学以及皇家高等数学研究所的职位。他最著名的工作是于1901年创立了乔吉国际计量单位制（又称MKSA制）。这一单位制提出把米、千克、秒、安培作为科学的计量单位，并于1960年得到计量大会的赞同。他还对发展水力发电设备、配电网络以及城市有轨电车系统作出了贡献。     

X射线荧光光谱成型滤纸片法测定生油岩抽提物中的钒和镍

本文提出以成型滤纸片作为标样与试样的支撑材料，点滴法制备样片，用钒和镍的有机金属标准试剂配制标准样品，以透空照射法直接测定生油岩抽提物中的钒和镍，方法检出限较低，制样与测量精度好于５％。方法简单、快速和实用。     

γ 射线辐照缺陷对单层 MoS2 光谱学性质的调控研究

围绕着过渡金属二硫族化合物( 简称 TMDs) 材料的研究在近十年来一直是相关领域的热点. 本文利用γ射线辐照, 在单层 MoS2 中引入辐照缺陷, 利用光谱学手段结合原子力显微术研究辐照缺陷对单层 MoS2 光谱性质和能谷特性的影响. 结果表明,γ 射线成功地在单层 MoS2 中引入了辐照缺陷, 辐照缺陷对其室温拉曼谱和光致发光谱(photoluminescence, 简称PL) 影响较小, 但对其低温PL 特性有显著影响, 并且缺陷态束缚激子呈现出与自由激子截然不同的谷极化特性; 相较于自由激子, 缺陷态束缚激子的谷极化度对外加磁场的变化更为敏感, 并在面外磁场>2 T 时达到饱和, 保持在约30% .