包银Bi—2223多芯带制备的最佳轧制工艺

色银Bi－2223长带的制备已取得引人注目的发展，其成功应用取决于传输电流特性和机械耐用性，这是与Bi一2223大规模带子的陶瓷芯丝均匀性和鲢芯丝闻界面的光滑程度有关。Bi－2223晶粒在银一陶瓷界面排列，即历一2223的a—b面在银表面有择优趋向，而带材加工时其界面形貌是完全取决于冷加工的工艺过程。这方面的研究近年已有大量报道，其中包括B＊theCuo”冯复合体的机械变形、轧制单芯和多芯机基银带的应力状态、非均匀又形即所谓“香肠”状表现形式的定性解释1使份人不能自由流动的临界纷本赛既）、芯丝密度均匀性对最终止的明显影响、边…     

包银带Bi（2223）相晶内临界电流密度的确定

包银Bi（2223）带中的电流传输机理是个复杂的问题，曾有人提出过多种模型，一般认为阻碍电流流动的因素包括空洞、裂纹、存在的第二相和游离的Bi2223簇等．最近也有人从实验证明，在To附近限制电流的最主要因素之一是晶内电流密度的薄弱，为了弄清这一复杂的行为，寻找确定包银带Bi（2223相晶内临界电流密度的方法，意大利和瑞士的科学家合作对多品带材中的颗粒性进行了深入的研究．对采用粉末套管法制备的37芯包银（B，Ph）。Sop批以带（29mm宽，180gn厚，超导芯平均尺寸约为10mp厚，350gn宽，占超导带体积比约为26低其中单晶尺寸沿c轴…     

Bi（2223）／Ag带轧制机械应力对Ic退降的敏感性

Bi（2223）／Ag带实际应用最重要的参数之一是传输电流，但是这种超导体的成功应用还取决于它们的机械耐用性．由脆性BSCCO芯丝和柔软金属基体组成的复合带会因为组元不同的热收缩、绕制过程中的拉伸和弯曲、以及最终作用线圈上的电磁力等因素引起导体的应变，为此实际应用考虑必须弄清这些应变对临界电流Ic的影响．一般认为0．l％的弯曲应变并不降低单芯带的Jq0．7o的弯曲应变也可以作用到1296芯带上，而不使地退降．包银B0223）带在弯曲再弄直后的Ic是可以恢复的，原因是冷却到77K时，银皮的压缩会使Bi（222）晶粒滑动，当应变去除…     

高TC超导Bi2223／Ag带的临界电流

在超导体载流能力研究中，一般用Jc（B）αB－α（幂定律）来描述低磁场区（77K，10mT—100mT）的行为，而在高磁场区用Jc（B）We（-B／B0）（指数关系）来描述，这两种不同的磁场关系反映不同的耗散机制．带状BQ223化合物是高度各向异性的多晶材料，由于材料小的相干长度，沿品界的缺陷会治污晶粒的连接性从而导致弱连接．小的相干长度、大的穿透深度、以及陆通结构的二维特性，导致材料相当低的钉扎势，从而引发磁通烧动乃至在一定温度下的磁通流动．限制载流能力的这两种重要耗散机制：弱连接电流抑制和磁通运动，都与存在磁场有关…     

Bi—2223／Ag带的透射电子显微术研究

晶粒之间的连接性、晶粒取向，以及磁通钉扎是影响超导临界电流Jc的主要因素。要全面了解不同的结构特性就必须使用不同的研究方法。为检验退火过程中的相转变、织构(晶粒取向一致度)、化学计量的变化只能采用高能同步加速X射线衍射方法。这种方法可以研究1mm2~2mm2面积大小的平均特性。具有能谱X射线分析(EDS)的扫描电镜可以用来研究Bi-2223带中微米尺度的第二相，以及局域成分。而透射电子显微镜(TEM)就可以用来研究亚微米尺度的电流通路中的晶粒状况，包括晶粒厚度，束晶(colony)厚度，以及晶界的角度。高分辩率透射电子显微镜(HRT…     

Bi（2223）／Ag带材结构和电流传输机制

在过去几年中，人们已充分地研究了粉末装管（OPIT）工艺制备的Bi（2223）／Ag带材．制备高电流密度的带材要求机械变形（压制或轧制）结合随后的多次热处理．最佳工艺通常是经验性的，并且，在许多情况下，一些工艺细节还不能完全被人们所理解．但是，一般认为，要使片状2223晶粒有序排列，变形是必要的．品位有序排列被认为是提高传输电流密度的主要因素之一．变形也增加超导芯的密度，因而增加超导芯的连接性，高密度和良好的连接性均增加临界电流密度几．总之，在高性能2223带材的制造过程中，变形是一个有益的工序．然而，如果变形…     

Bi（2223）／Ag带材均匀性连续检测

对超导Bi（2223）／Ag带来说，由于包套银和Bi（2223）超导陶瓷粉末间机械性能的明显区别，及加工变形工具中应力应变的不均匀分布，使得复合体的应变过程变得十分复杂，个别芯丝的变形变得不均匀，再加上2223相的片状晶特征和陶瓷芯丝在纽构方面和密度上的区别，使Bi（2223）／Ag带中的传输电流呈不规则分布，最终带子沿长度方向局部临界电流密度地会有差别，影响起导带整体的应用性能．为了改善这种不均匀性，提高其带材性能，人们采用各种手段研究带材的不均匀性，最近斯洛伐克的研究者介绍了他们采用四引线法结合合尔探头陈列组成的可…     

MgB2超导带的中子散射研究

人们之所以特别关注MgB2 超导体的研究开发 ,是因为这种超导体不仅具有近 40K的超导转变温度 ,而且具有低的制作成本和高的临界电流密度 ,是一种很有应用前途的超导材料。为使这种应用变为现实 ,必须确定最适合的制备工艺方法。粉末装管法是目前最合适的方法之一 ,主要包括原位法(in -situ)和先位法 (ex -situ)。为使这种方法最佳化 ,必须深入研究不同工艺阶段的影响。无论对基础研究还是应用研究来说 ,中子辐照都是研究材料结构特性的最有力的工具之一。由于中子对固态材料具有较大的穿透深度 ,所以可用来在不破坏样品的情况下研究复合材…     

（Bi,Pb）—2223／Ag单芯带陶瓷芯横截面上的不均匀性分布

人们普遍认为,较高的２２２３相织构度会产生较高的Ｊｃ,因此,最广泛报道的一些带材成型工艺均是以扁轧为基础的一些方法．轧扁后进行退火,以便使芯内ａｂ－面平行于带材宽面的晶粒择优取向排列,以及愈合宏观和微观缺陷．一些研究工作者还指出,超导电流自动地从接近于银与氧化物芯之间的界面层中流过,而界面层的面积却低于氧化物芯横截面积的１０％．超导电流从界面层中流过导致的结果是：与厚的、边缘芯丝没有很好织构化的多芯带材相比,薄的、中心部分也很好织构化的多芯带材中接近于银／氧化物界面处织构发展相当好的２２２３相的…     

扭绞和宽厚比对Bi-2223超导带交流损耗的影响

在77K及在外磁场下,对具有不同扭矩的多芯Bi-2223超导带的交流损耗进行测量。该研究中所使用的样品(扭矩6～12mm)具有扭绞芯线和非扭绞芯线。在频率范围为3.33～2430Hz的正弦变化的外磁场下,对交流磁场损耗进行了测量。研究了扭绞对Bi-2223超导带的临界电流和交流损耗影响。研究发现,临界电流随扭矩的减小而减小。另外,可以观察到,在平行场下,由于扭绞带芯线的退耦,造成扭绞带中平行磁场损耗也随之减小。在垂直场下,芯线的扭绞对垂直磁场损耗的减小是不明显的,通过运用小的扭矩和选择小的宽厚比的带材,能够明显减小交流损耗。