具有与硅互换性的超高速 GaAs LSI

<正> 据报导,日本电气公司研制出在高速计算机领域能够与硅 LSI 配合用的超高速 GaAs LSI.这种与 Si LSI 可互换的 GaAs LSI,其所用电源电压、输入输出信号电平与 Si ECL一致。在电路中所用的单元电路为耗尽型 FET 结构。这种电路由3646个晶体管、1136个二极管以及45个电阻来组成,能完成1013个逻辑门功能。工作速度为硅的4倍(t_(pd)=170ps),功耗为硅的三     

系统LSI中存储器的测试方法

系统LSI的存储器测试技术有直接存储器访问测试、高速直接存储器访问测试及内置自测试,几种方式各有优缺点,最好能加以组合应用。     

存储器非易失存储器中PRAM的开发进入佳境易失性RAM追求超高速

大电容、低成本、高速、非易失,它们在ISSCC 2007的会议上成为了新型存储器技术的重要特点. 在非易失存储器方面,随着应用领域的扩大(从可靠性要求极高的汽车到要求超低功耗的无线标签),增大容量、提高速度、强化功能等各方面的技术不断问世.     

存储器混载系统LSI的测试

在一枚芯片上集成有存储器和逻辑电路时,由于两种电路功能不同,测试技术日趋复杂;原来用于存储器和逻辑电路的传统测试方法,都已经遇到难以克服的困难;为了克服困难简化系统LSI的测试提出了若干设想。     

富士通公司开发用于WiMAX的GaN放大器

据《Compound Semiconductor》2007年第4期报道,富士通公司和KDDI通信公司开发出了基于GaN HEMT技术的25W的RF放大器。该公司计划将宽禁带半导体技术嵌入到射频系统基站中去。这项新的功放业务将在今年下半年启动。自2006年5月起,富士通和KDDI合作开发了一个项目,研发这些WiMAX     

超高速GaAsFET及其LSI的新结构与新技术

本文评述了超高速GaAs FET及其LSI的发展概况。从应用与需求、GaAs的物理优势、技术进步现状三个方面分析了这种器件迅速发展的原因。重点评述和分析了最新开发的超高速GaAs FET的新结构、新技术、新水平。主要包括:侧壁辅助技术自对准GaAsFET的类型、基本技术、制造工艺及性能;采用离子注入穿透氮化铝膜制造超高速GaAsLSI的基本分析、制作技术以及效果;超高速GaAs SISFET的开发现状、主要特点、互补型GaAs SISFET的制作和特性;GaAs SRAM的基本电路种类、开发高性能4K位GaAs SRAM的技术措施及效果。     

Si和GaAs LSI在超高速方面的角逐

即使进入了1989年开始的亚100ps时代,硅双极的优势也并没有动摇。无负载的门廷时已达到80ps左右并快速地应用到系统中。展望未来可以预测到,它将以每4年提高3倍的速率实现高速化,并能可靠地提供1万门以上规模的LSI,这一切将会牢固地支撑着人们常说的“硅王国”。向硅双极挑战的GaAs LSI的研制,以美国为主,集成度已提高到1万门,它正以低功耗为武器积极攻占计算机市场。不过,许多大厂家当前都采取了对LSI不急于求成,而以通信设备用的MSI为主,扩大自己战线的战略方针。     

一种具有时标对齐功能的存储器设计

大型装备在实验中获得的数据对后续设备的研究及改进有着重要意义,因此获得可靠有效的实验数据至关重要。该文提出了一种基于FPGA的数据存储器设计,通过工作模式、接口电路、时标对齐及存储逻辑等的设计,实现了对多路数据的可靠存储。经实验验证,该存储器时序控制合理、工作状态可靠,能够满足高可靠性的实验数据获取要求,对装备的研发及改进有着重要的参考依据。     

1kb超高速内容联想存储器的设计

超高速内容联想存储器（ＣＡＳＭ）是一种将ＲＡＭ和ＣＡＭ功能集于一体的特种存储器，分析了ＣＡＳＭ存储单元的结构，分别阐述了顺序写，顺序法，联想写和联想读四种工作模式下的工作原理，最后给出了优化设计和模拟结果。     

LSI推出无需外部存储器的多核通信处理器

LSI公司日前宣布面向企业及服务提供商推出LSI APP3100多核通信处理器。LSI APP3100基于获奖的LSI APP3300通信处理器之上,能够为网络设备提供商提升电信级以太网和网络安全功能提供节省空间的高性价比解决方案。     

两种低压高速BiCMOS开关电流存储器

为了提高数字通信电路的速度,设计了两种BiCMOS开关电流存储器.设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),但在电路的主体部分则设置MOS器件.推导出了存储电路的传输延迟时间估算式,优选了元器件参数,并采取了提速措施.进行了仿真试验和硬件电路实验.结果表明,所设计的两种开关电流存储器在低电源电压(VDD)为2.6～4.0V时,综合性能指标--时延-功耗积DP比CMOS存储电路AD585平均降低了约18.8pJ,特别适用于低压高速数字通信系统.     

具有无痕存储器的安全管理器

DS3660具有1024B无痕存储器的安全管理器，器件可安全存储敏感数据。片上无痕存储器包含8个128B存储区，基于用户指定的篡改事件，这些存储区可由终端用户选择清除。此外，     

具有存储潜能的PLEDM存储器

Ｈｉｔａｃｈｉ剑桥实验室的一个小组在 Ｈａｒｃｏｎ Ａｈｍｅｄ教授的带领下，正在开发一种相态低电子数字驱动存储（ＰＬＥＤＭ），是一种把图象和声音储存在单片上的全长薄膜。这种存储器采用两个晶体管组成一个增益单元，它的硅单元面积小于传统ＤＲＡＭ单元面积。它被堆叠在用标准的２００ｎｍ硅工艺制作ＭＯＳＦＥＴ器件的二氧化硅栅上。要求此单元的硅面积与单个晶体管的相同：约４００ｎｍ×２００ｎｍ。在临界势垒里，采用热氮化硅来生产极薄的２ｎｍ绝缘层。 其读写时间小于１０ｎｓｅｃ，但工作速度快，可能会形成一种快速非挥…     

一种具有实用价值的准分子激光步进机的设计及其特性

准分子激光步进机在其实用价值方面已达到成熟阶段。本文对大视场大ＮＡ透镜的开发和０．３５μｍ及其以下的成像特征尺寸进行了说明。准分子激光器在其生产性、稳定性、可靠性、安全性和使用成本等方面己达到实用阶段。准分子激光步进机设备的综合控制问题例如：聚焦、曝光和套刻稳定性等已经得到解决。并且可使抗蚀剂系统、抗蚀剂工艺、测量和传统掩模制造等技术得到不断地改进和利用。本文专门讨论准分子激光步进机设计的具体问题，并根据一些生产现场安装采用的新型透镜ＸＬＳ￣（ＴＭ）远紫外步进机来描述其特性数据。     

安捷伦推出具有深度存储器的示波器

安捷伦日前发布适用于Infiniium54830系列数字存储和混合信号示波器的新存储器选件。该选件将MegaZoom术与128Mpts的存储器深度融于一体，实现对复杂信号的快速捕获和立即响应。     

ROHM成功开发出适用于USB存储器/SD存储卡的单片MP3解码器LSI

半导体制造商ROHM株式会社最近开发出将USB存储器/SD存储卡HOST功能、MP3声频解码器功能、系统控制功能集成于单芯片上的BU9435KV型LSI。这种LSI是适于CD盒式收录机、小型组合音响、汽车音响、时钟收音机等音响设备使用的产品。BU9435KV型LSI能够自动查找USB存储器和SD存储卡等存储介质内的MP3文件,并很简单地播放出堪与CD媲美的高音质音乐来。