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雪崩式光电二极管微型组件,在光纤通信网中,常常作为变换器使用,其工作波段为1.0至1.3微米。这种光电二极管组件采用Ⅲ-Ⅴ族化合物制成,它包含一个InP雪崩区和一个独立的InGaAsP吸收区(如图1所示)。采用混合结构的目的在于将漏电流大大减小。Zn重掺杂InP基片、N型InP层、P型InP层和N型InGaAsP层组成。Zn从基片向N-InP外延层扩散,形成了P-InP层;另外,还剩下一层N-InP,其厚度则应符合设计的要求,大致为1.4微米。 光通过基片照射到雪崩式光电二极管上,其响应速度与量子效率均可达到最佳状态。若外加偏压接近于雪崩电压,则耗尽区向InGaAsP层扩展,并恰好可扩展到InGaAsP层中;如果耗尽区扩展太深,那么漏 相似文献
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在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用。在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一。基于传输线理论,建立了包含芯片、金丝、管座的小信号等效电路模型。等效电路元件与实际封装器件有对应的关系。组件高频特性随元件参数值变化而变化。仿真结果表明金丝对其高频特性影响很严重。为了减小金丝电感,提出一种优化方案。并结合实际工艺条件,制作了样品,实验结果表明该样品的传输速率达到10 Gb/s,满足10 Gb/s光网络传输的要求。 相似文献
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针对应用于850nm光通信中的10/100Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0.6mm2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100mW,并给出了具体的测试性能结果。结果表明,在850nm光照下,光接收芯片带宽达到53MHz,工作速率为72Mbit/s。重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构,并给出了相应的制造过程和电路等效模型,对整个光接收芯片进行了多种实用性测试,可以满足系统的性能要求。 相似文献
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<正> 当你连入因特网并已打开Netscape浏览器后,使用它的电子邮件功能是非常方便的。在图1所示的Netscpe浏览器窗口的右下角有一个信封状的小图标,用鼠标双击这个小图标,即开始执行Mail程序,若前面进行配置时没有输入用户口令,将会弹出Mall登录对话框,对Passwrod栏输入用户口令,该数据传回到ISP主机经核实无误,就会弹出如图1所示的mail窗口,你就可以使用电子邮件功能了。 1.Netscaape的Mail窗口 在Mail窗口的上端是菜单栏,Netscape处理邮件的功能均可通过这些菜单来实现。菜单栏下面有一排按钮,称为功能按钮,每个按钮上都标有 相似文献
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从理论上分析了40GPIN/TIA的各种噪声源,并通过各个噪声源产生噪声的机理,推导出了各种噪声的计算公式,从而可量化探讨探测器组件的噪声.根据仪器性能,采用测试噪声功率测试方法,对光电探测器接收组件的噪声进行了测试,测试结果与理论能很地好吻合. 相似文献
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VLSI(超大规模集成)逻辑电路和存储器都建立在半导体器件技术的基础上,这种技术具有固有的快速性,但对负载亦是非常敏感的。因此,高性能的 VLSI 系统的设计就取决于可以采用的能清除绝大多数互连电容的总体封装概念。本文提出了这样一种 VLSI 封装概念。它有如下的特点:1.用于 VLSI 和其它 IC 芯片的混合电路封装方法,是用一块抛光的蓝宝石基板实现的,借助典型的单元电路互连金属化技术,在该基板上实现高密度多层互连。目前的光刻法容许使用的线宽和间距为6微米。这意味着,互连线和交叉点的寄生电容,与一般的薄膜或厚膜混合电路相比,可降低近2个量级。2.将 VLSI 器件和高密度混合电路互连技术结合起来使用,以便在单片监宝石基板上达到主计算机功能的集成度。这些功能,典型地讲,是一部完整的处理机,一部主存储器或一部信号处理机。因为这些主要的功能只需通过母线来相互联系,所以,所有更高一级的互连实际上已统统被取消了。3.蓝宝石基板的叠加以及它们之间的互连是借助于压力下的弹性接触实现的,这些接点只起电源、地线、母线和某些输入/输出互连等作用。4.这种由基板叠加而成的可拆卸的组装件,放在一个密封的容器中,可保证全部元件浸入气态(氦)或液态的冷却剂中。这种组装方法为 VLSI 提供一种理想的信号环境,并把简易性和可靠性、性能和极高的组装密度结合在一起。 相似文献
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