浅谈大功率LED陶瓷基板制作工艺及填通孔技术

介绍了将直接镀铜工艺和填通孔技术相结合制备大功率LED(发光二极管)陶瓷基板的工艺流程,重点介绍了采用直流电镀一步法、脉冲电镀一步法和脉冲电镀两步法填通孔的常用配方和填充效果.     

用陶瓷cBN砂轮磨削LED基板

为提高LED基板的磨削效果,研究了结合剂成分及造孔剂形态和粒度对cBN陶瓷砂轮磨削性能的影响;通过调整陶瓷结合剂中成分的比例,使cBN砂轮的性能得到了不同程度的提高。实验结果表明:采用不同结合剂、同粒度同比例造孔剂,结合剂耐火度范围为800℃～865℃,流动性为140%～190%,抗折强度由85.21 MPa提高到92.37 MPa,抗拉强度由18.69 MPa提高到19.34 MPa;采用不同结合剂、不同粒度同比例造孔剂,结合剂耐火度范围为820℃～865℃,流动性为140%～160%,抗折强度由62.26 MPa提高到102.25 MPa,抗拉强度由16.46 MPa提高到20.38 MPa。     

LED陶瓷基板烧成用高温超平板国产化探索研究

随着LED产业的快速发展,解决制约LED寿命的散热陶瓷基板问题也变得尤为重要,因此LED陶瓷基板烧成用高温超平板的国产化研究也迫在眉睫。本工作通过对进口超平板和试制超平板性能进行对比,来探索超平板国产化问题的可能解决方法,为下一步的国产化研究奠定一定的理论基础。凝胶注模成型未来有望成为解决国产超平板问题的新工艺。     

氧化铝陶瓷基板工艺研究

本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺.研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96%氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素.     

高反射率LED陶瓷基板制备及其COB封装光源光效的研究

在普通氧化铝陶瓷基板中,增加气孔率,掺杂ZnO、SnO_2或ZrO_2,将普通陶瓷基板的反射率从92%提高到99%,其中掺杂ZrO_2的氧化铝陶瓷基板,其抗弯强度可以从412MPa提高到787MPa。采用99%高反射率的陶瓷基板制成的1512COB,比采用92%反射率的普通陶瓷基板制成的1512COB,光效高出6%-7%;采用99%高反射率的陶瓷基板制成的1919COB,比采用98%反射率的镜面铝基板制成的1919COB,光效高出1%-2%。     

关于大功率LED散热研究

大功率LED体积小、工作电流大,输入功率中大部分转化为热能.散热是需要解决的关键技术。文章介绍了大功率LED热设计的方法,针对大功率LED的封装结构。建立了热传导模型;对某照明用大功率LED阵列进行了散热设计,通过仿真分析和热评估试验验证了所采用的散热方法和设计的散热器满足LED阵列的散热要求。     

电子封装陶瓷基板

随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用,半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化、多功能等方向发展,对封装基板性能也提出了更高要求。陶瓷基板(又称陶瓷电路板)具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点,在电子器件封装中得到广泛应用。本文分析了常用陶瓷基片材料(包括Al_2O_3、AlN、Si_3N_4、BeO、SiC和BN等)的物理特性,重点对各种陶瓷基板(包括薄膜陶瓷基板TFC、厚膜印刷陶瓷基板TPC、直接键合陶瓷基板DBC、直接电镀陶瓷基板DPC、活性金属焊接陶瓷基板AMB、激光活化金属陶瓷基板LAM以及各种三维陶瓷基板等)的制备原理、工艺流程、技术特点和具体应用等进行了论述,最后对电子封装陶瓷基板发展趋势进行了展望。     

大功率LED器件封装材料的研究现状

LED灯具有高效节能、绿色环保等优点,在照明市场的前景备受各国瞩目,对LED封装材料的研究也备受关注.本文介绍环氧树脂及有机硅的LED封装材料的研究现状以及存在的问题.有机硅封装材料被认为是大功率LED器件封装的最佳材料.高性能有机硅封装材料将具有广阔的应用前景及巨大的经济效益.     

多层陶瓷基板制造技术

采用CuO浆料为布线导体材料是制造多层陶瓷基板的新技术,该方法可彻底除去浆料中的有机物,制造性能良好,易于推广和批量生产的多层陶瓷基板,本文总结了CuO多层陶瓷基板材料及其制造技术,分析了各工艺对基板性能的影响,确定了最佳技术条件。     

臭氧发生器用AlN陶瓷基板材料的研究

为了提高臭氧发生器的臭氧产量,要求臭氧发生器用的陶瓷基板材料具有较高的介电性能和热导率.本文研究了掺杂成分CaO、Y2O3、YF3、(Y,Ca)F3对臭氧发生器用AlN陶瓷基板材料的相对密度、热导率、介电常数、介质损耗等性能的影响.采用XRD分析其物相和SEM观察其显微结构,结果表明,掺杂成分对改善陶瓷基板材料性能的作用大小依次排列为(Y,Ca)F3>YF3>Y2O3>CaO,最适合的掺杂配方是(Y,Ca)F33.0wt%,YF32.0wt%,Y2O31.0wt%,CaO1.0wt%.     

氮化铝陶瓷覆铜基板的研制

通过高温热氧化的方法,在ＡＩＮ陶表面形成一薄层ＡＩ２Ｏ３作为过渡层,成功地将铜与ＡＩＮ陶瓷键合在一起,研制出性能优越的ＡＩＮ陶瓷覆铜基板。研究了ＡＩＮ热氧化时间及温度对键合质量的影响,提出子较佳的儿得的键合力可达１１０Ｎ／ｃｍ,同时,运用扫描电镜（ＳＥＭ０、电子能谱（ＥＤＸ）对键合结构作了分析和研究。ＡＩＮ衬底上的氧化物相对键合过程中上重要作用。     

LED铝基板用UV油墨的制备及性能研究

以环氧丙烯酸酯树脂(牌号6233)、聚氨酯丙烯酸酯树脂(牌号6112-100)和脂环族环氧树脂(牌号TTA26)为预聚体,并引入活性稀释剂、光引发剂和填料等助剂,采用自由基和阳离子UV(紫外光)固化工艺制备了LED(发光二极管)铝基板用UV油墨。研究结果表明:制备混杂型UV油墨的最佳工艺条件是m(6112-100)∶m(TTA26)=35∶65、w(活性稀释剂)=11%、w(光引发剂)=5%和w(钛白粉)=27%(均相对于预聚体总质量而言),此时该油墨的固化速率适中、附着力(为96%)相对较大、折射率(为1.60)相对较高且不发生黄变现象,并且膜性能优异。     

氮化铝陶瓷基板化学镀镍工艺优化

氮化铝陶瓷基板在化学镀镍生产过程中出现了局部区域起泡、腔体部位发黑的现象。通过故障复现试验,发现原因有二:(1)化学镀前基材钨金属化层在四周边存在亮斑色差,亮斑区域属于二次相聚集,与中间正常区域相比,钨层连续性较差,导致镀层与基材咬合力不足而起泡;(2)在烘干过程中,由于产品倒扣,腔体内部兜水,大量高温下形成的水蒸气在腔体处无法排出,氮化铝与热的水蒸气长时间接触而发生水解反应,导致腔体周围表面变黑。通过对镀前来料的筛选,并在烘干时切水和腔体朝上放置,该问题得到了解决。     

3M公司推出成本效益好的LED芯片封装的陶瓷基板的替代产品

<正>3M公司电子材料解决方案事业部今天宣布推出新的3M LED芯片封装基板,其具有成本效益的陶瓷基板替代产品。该新款基板由铜和聚酰亚胺构造而成,与高效能的陶瓷基板相比,其能够满足高功率LED芯片对电和热性能的要求,且其价格具有竞争力。3M公司提供的基板呈托盘和卷盘样式,卷盘样式的基板     

99氧化铝陶瓷基板注凝成形工艺的研究

以注塑成型技术为基础，研究99氧化铝陶瓷基板的制备工艺，实验研究了影响料浆性能及坯体均匀性的因素，确定了合理的制备工艺参数。     

二流体清洗低温共烧陶瓷基板可靠性研究

激光划切后的低温共烧陶瓷基板表面会不可避免地存在异物残留,传统的人工清洗方式效率较低,不太适合大规模的工业化生产.通过使用"去离子水-压缩空气"的二流体体系对激光划切后的低温共烧陶瓷基板进行清洗,可有效去除划切后基板表面的沉积异物,清洗效果与二流体中的气压呈正相关关系,并且二流体清洗不会对金属化图形与基板表面的结合产生...     

用于大功率LED/LD的YAG∶Ce荧光陶瓷在固态照明的研究进展

荧光陶瓷是将荧光粉末直接烧结或配合其他烧结助剂在高温高压下烧结制备的透明陶瓷.在LED/LD芯片的激发下,不同的荧光陶瓷片会发出不同类别的光.在大功率LED/LD照明方面,相比于荧光有机材料和荧光玻璃,新型的YAG∶Ce荧光陶瓷具备热导率高、热稳定性好、高透光性等优点而被广泛研究,但由于缺乏热稳定性好的红光成分,制备的...     

直接敷铜陶瓷基板及制备方法

直接敷铜技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术,随着大功率模块与电力电子器件的发展与要求,直接敷铜已从氧化铝陶瓷基板发展到其他陶瓷基板。介绍了国内外陶瓷基板直接敷铜技术、理论研究、新进展和今后的发展趋势。     

射频CO2激光陶瓷基板划片机

介绍了RF CO2激光器及其陶瓷基板划片的特点；分析了RF CO2激光陶瓷基板划片的机理，给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟，给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图，整机性能指标达到国外进口机的水平。     

射频CO_2激光陶瓷基板划片机

介绍了RFCO2激光器及其陶瓷基板划片的特点;分析了RFCO2激光陶瓷基板划片的机理,给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟,给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图,整机性能指标达到国外进口机的水平。